半导体激光器驱动电路

1. 半导体激光器用恒流源电路

你是想买一个恒流源，还是想要高功率大电流驱动源的电路，然后自己制作电源？

后者，你就算了。
前者，你可以联系美国Portable power systems公司、美国Ametek公司、德尔塔(希腊字母δ)公司等等。。国产许继电源等很多公司。

2. 在光发射机中,半导体激光器的驱动电路是利用输入的( )信号,调制激光器的( )

这样看楼主具体选择什么型号规格半导体激光器。

3. 半导体发光二极管LED和半导体激光器LD的结构、工作原理是什么它们的特性差别是什么

1. 它们的结构简单说就是三明治的夹心结构，中间的夹心是有源区。
   

2. 二者的结构上是相似的，但是LED没有谐振腔，LD有谐振腔。
   

3. LD工作原理是基于受激辐射、LED是基于自发辐射。
   

4. LD发射功率较高、光谱较窄、直接调制带宽较宽，而LED发射功率较小、光谱较宽、直接调制

   带宽较窄。

5. 激光器的工作存在与普通光源不同之处在于，它同时需要 激光工作物质（这在半导体激光二极管LD中，激光工作物质即为半导体材料）， 泵浦（即外加的能量源），谐振腔。
   

6. LD和LED 的工作时，其体系结构中都存在半导体工作物质和泵浦源，唯一不同的是，LD在其外层通过自然解理形成一重谐振腔，该谐振腔有一定的发光门限条件（即阈值条件） 当达到这个条件是，激光器才开始粒子数反转受激发光。 当LD的驱动还没达到阈值条件时，它的发光机理其实和LED是没有明显区别的。
   

4. 激光器的驱动电路复杂吗

首先做个单独调节电流和电压的供电模块，然后先升电压达到工作电压，再升电流，然后记录下输入功率，如果不带软启动直接降低到原始功率的80%使用了。

5. 半导体激光器的驱动电路是靠的什么原理

这个原理也没什么了，驱动电路低功率的都比较简单，需要恒流源，电流稳定性要比较高，开关瞬间不能存在尖峰，输出端电压要能满足大于激光器工作电压，满足这些条件就可以了，还有输出最大电流不能超过激光器的极限工作电流，这点最重要，限流要做好
上海熙隆光电科技有限公司

6. 我要求个激光驱动电路

没法儿详细，不同的激光器有不同的激发电路。气体激光器本质上就是个螺旋形的专霓虹属灯。需要高频交流电经过很多次倍压之后，经过高压开关接灯管。具体参数和电路要看器件参数和应用目的。

半导体激光器不需要激发，给点儿电压就灿烂。激光笔直接用纽扣电池串接后点亮激光器。cd机上为了保护光头，通常是用恒流源电路驱动激光器的。具体参数，还是要看器件参数和应用目的。

7. 求激光模组驱动电路图

半导体激光器来（激光自二极管、LD）的驱动电路很简单，就是一个恒流源。

LD是对电流变化很敏感的器件，导通电压一般1.9-2.3伏，依据功率不同，一般阈值电流二十几毫安到一百多毫安，低于阈值电流时完全无光输出，高与阈值电流后电流稍微上升则光功率输出迅速上升，因此要得到稳定的输出功率则必须使用恒流源供电。

恒流源的典型接法：一个三极管，基极接一个很小的偏置电阻，同时通过一个稳压二极管（或两个正向串联的普通二极管）接地钳位；发射极通过一个电阻R接地，集电极为恒流输出端。设稳压管稳压值为Vw，三极管发射结压降为Vbe0，则这种恒流源的输出电流为：

Ih ≈ (Vw-Vbe0)/R

也可以用场效应管制作恒流源，你可以根据场效应管特性，参考上述恒流源原理自行设计。

8. 半导体驱动激光器电源是多少伏的

半导体驱动激光器电源是220伏的.
半导体激光电源电路部分由：稳压电路、 激光电源脉冲控制电路、脉冲产生电路、保护电路组成。数字半导体激光电源以数字集成电路为核心，设计能够实现智能控制的半导体激光器电源。
半导体激光器的核心是PN结一旦被击穿或谐振腔面部分遭到破坏，则无法产生非平衡载流子和辐射复合，视其破坏程度而表现为激光器输出降低或失效。
造成LD损坏的原因主要为腔面污染和浪涌击穿。腔面污染可通过净化工作环境来解决，而更多的损坏缘于浪涌击穿。浪涌会产生半导体激光器PN结损伤或击穿，其产生原因是多方面的，包括：①电源开关瞬间电流;②电网中其它用电装备起停机;③雷电;④强的静电场等。实际工作环境下的高压、静电、浪涌冲击等因素将造成LD的损坏或使用寿命缩短，因此必须采取措施加以防护。
传统激光器电源是用纯硬件电路实现的，采用模拟控制方式，虽然也能较好的驱动激光，但无法实现精确控制，在很多工业应用中降低了精度和自动化程度，也限制了激光的应用。使用单片机对激光电源进行控制，能简化激光电源的硬件结构，有效地解决半导体激光器工作的准确、稳定和可靠性等问题。随着大规模集成电路技术的迅速发展，采用适合LD的芯片可使电源可靠性得到极大提高。

9. 求问激光二极管驱动芯片，输出电流250mA以上，工作频率100MHz，谢了

一、激光的产生机理
在讲激光产生机理之前，先讲一下受激辐射。在光辐射中存在三种辐射过程，

一时处于高能态的粒子在外来光的激发下向低能态跃迁，称之为自发辐射;
二是处于高能态的粒子在外来光的激发下向低能态跃迁，称之为受激辐射;
三是处于低能态的粒子吸收外来光的能量向高能态跃迁称之为受激吸收。
自发辐射，即使是两个同时从某一高能态向低能态跃迁的粒子，它们发出光的相位、偏振状态、发射方向也可能不同，但受激辐射就不同，当位于高能态的粒子在外来光子的激发下向低能态跃迁，发出在频率、相位、偏振状态等方面与外来光子完全相同的光。在激光器中，发生的辐射就是受激辐射，它发出的激光在频率、相位、偏振状态等方面完全一样。任何的受激发光系统，即有受激辐射，也有受激吸收，只有受激辐射占优势，才能把外来光放大而发出激光。而一般光源中都是受激吸收占优势，只有粒子的平衡态被打破，使高能态的粒子数大于低能态的粒子数(这样情况称为离子数反转)，才能发出激光。
产生激光的三个条件是:实现粒子数反转、满足阈值条件和谐振条件。产生光的受激发射的首要条件是粒子数反转，在半导体中就是要把价带内的电子抽运到导带。为了获得离子数反转，通常采用重掺杂的P型和N型材料构成PN结，这样，在外加电压作用下，在结区附近就出现了离子数反转-在高费米能级EFC以下导带中贮存着电子，而在低费米能级EF以上的价带中贮存着空穴。实现粒子数反转是产生激光的必要条件，但不是充分条件。要产生激光，还要有损耗极小的谐振腔，谐振腔的主要部分是两个互相平行的反射镜，激活物质所发出的受激辐射光在两个反射镜之间来回反射，不断引起新的受激辐射，使其不断被放大。只有受激辐射放大的增益大于激光器内的各种损耗，即满足一定的阈值条件:
P1P2exp(2G - 2A) ≥ 1
(P1、P2是两个反射镜的反射率，G是激活介质的增益系数，A是介质的损耗系数，exp为常数)，才能输出稳定的激光，另一方面，激光在谐振腔内来回反射，只有这些光束两两之间在输出端的相位差Δф =2π =1、2、3、4。。。。时，才能在输出端产生加强干涉，输出稳定激光。设谐振腔的长度为L，激活介质的折射率为N，则
Δф=(2π/λ)2NL=4πN(Lf/c)=2π，
上式可化为f=c/2NL该式称为谐振条件，它表明谐振腔长度L和折射率N确定以后，只有某些特定频率的光才能形成光振荡，输出稳定的激光。这说明谐振腔对输出的激光有一定的选频作用。
二、激光二极管本质上是一个半导体二极管，按照PN结材料是否相同，可以把激光二极管分为同质结、单异质结(SH)、双异质结(DH)和量子阱(W)激光二极管。量子阱激光二极管具有阈值电流低，输出功率高的优点，是目前场应用的主流产品。同激光器相比，激光二极管具有效率高、体积小、寿命长的优点，但其输出功率小(一般小于2mW)，线性差、单色性不太好，使其在有线电视系统中的应用受到很大限制，不能传输多频道，高性能模拟。在双向光接收机的回传模块中，上行发射一般都采用量子阱激光二极管作为光源。
半导体激光二极管的基本结构如图所示，垂直于PN结面的一对平行平面构成法布里--珀罗谐振腔，它们可以是半导体晶体的解理面，也可以是经过抛光的平面。其余两侧面则相对粗糙，用以消除主方向外其它方向的激光作用。
半导体中的光发射通常起因于载流子的复合。当半导体的PN结加有正向电压时，会削弱PN结势垒，迫使电子从N区经PN结注入P区，空穴从P区经过PN结注入N区，这些注入PN结附近的非平衡电子和空穴将会发生复合，从而发射出波长为λ的光子，其公式如下:
λ = hc/Eg (1)
式中:h-普朗克常数; c-光速; Eg-半导体的禁带宽度。
上述由于电子与空穴的自发复合而发光的现象称为自发辐射。当自发辐射所产生的光子通过半导体时，一旦经过已发射的电子-空穴对附近，就能激励二者复合，产生新光子，这种光子诱使已激发的载流子复合而发出新光子现象称为受激辐射。如果注入电流足够大，则会形成和热平衡状态相反的载流子分布，即粒子数反转。当有源层内的载流子在大量反转情况下，少量自发辐射产生的光子由于谐振腔两端面往复反射而产生感应辐射，造成选频谐振正反馈，或者说对某一频率具有增益。当增益大于吸收损耗时，就可从PN结发出具有良好谱线的相干光--激光，这就是激光二极管的简单原理。
随着技术和工艺的发展，目前实际使用的半导体激光二极管具有复杂的多层结构。
常用的激光二极管有两种:①PIN光电二极管。它在收到光功率产生光电流时，会带来量子噪声。②雪崩光电二极管。它能够提供内部放大,比PIN光电二极管的传输距离远，但量子噪声更大。为了获得良好的信噪比，光检测器件后面须连接低噪声预放大器和主放大器。
半导体激光二极管的工作原理，理论上与气体激光器相同。
激光二极管本质上是一个半导体二极管，按照PN结材料是否相同，可以把激光二极管分为同质结、单异质结(SH)、双异质结(DH)和量子阱(W)激光二极管。量子阱激光二极管具有阈值电流低，输出功率高的优点，是目前场应用的主流产品。同激光器相比，激光二极管具有效率高、体积小、寿命长的优点，但其输出功率小(一般小于2mW)，线性差、单色性不太好，使其在有线电视系统中的应用受到很大限制，不能传输多频道，高性能模拟。在双向光接收机的回传模块中，上行发射一般都采用量子阱激光二极管作为光源。
半导体激光二极管的常用参数有:
(1)波长:即激光管工作波长，目前可作光电开关用的激光管波长有nm、nm、nm、nm、nm、nm、nm、nm等。
(2)阈值电流Ith :即激光管开始产生激光振荡的电流，对一般小功率激光管而言，其值约在数十毫安，具有应变多量子阱结构的激光管阈值电流可低至10mA以下。
(3)工作电流Iop :即激光管达到额定输出功率时的驱动电流，此值对于设计调试激光驱动电路较重要。
(4)垂直发散角θ⊥:激光二极管的发光带在垂直PN结方向张开的角度，一般在15&#;~40&#;左右。
(5)水平发散角θ∥:激光二极管的发光带在与PN结平行方向所张开的角度，一般在6&#;~ 10&#;左右。
(6)监控电流Im :即激光管在额定输出功率时，在PIN管上流过的电流。
激光二极管在上的，激光中的打印头等小功率光电设备中得到了广泛的应用。
实在不行换一个 或者在硬之城上面找找这个型号的资料

10. 半导体激光器驱动电路

三极管也是射极输出，没有电压放大，有电流放大作用；

通过负反馈使得版运放输出电压稳定，从权而三极管输出电流稳定，属于可控恒流源的一种形式；

U3=U2 - Ube；U3=2（U+U'）；U4=U3 - Ic*R5；