场效应管电路符号

『壹』 场效应管在电路板上用什么符号表示

场效应管和普通三极管的代号一般都是Q。但丝印的符号是不同的。

『贰』 一些场效应管的规格书里面，场效管符号上有一个二极管符号，但是我以前在书上看到的符号没有这个二极管

这是寄生二极管，是等效出来的，只是符号不一样，不是什么保护作用，可以看一下这个链接的详细解释

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『叁』 急求各种电子元件符号表示法和图

电子元件符号图:二极管表示符号:D变容二极管表示符号:D双向触发二极管表示符号:D稳压二极管表示符号:ZD,D稳压二极管表示符号:ZD,D桥式整流二极管表示符号:D肖特基二极管隧道二极管隧道二极管光敏二极管或光电接收二极管发光二极管表示符号：LED双色发光二极管表示符号：LED光敏三极管或光电接收三极管表示符号：Q,VT单结晶体管（双基极二极管）表示符号：Q,VT复合三极管表示符号：Q,VTNPN型三极管表示符号：Q,VTPNP型三极管表示符号：Q,VTPNP型三极管表示符号：Q,VTNPN型三极管表示符号：Q,VT带阻尼二极管NPN型三极管表示符号：Q,VT带阻尼二极管及电阻NPN型三极管表示符号：Q,VTIGBT 场效应管表示符号：Q,VT带阻尼二极管IGBT 场效应管表示符号：Q,VT接面型场效应管P-JFET接面型场效应管N-JFET场效应管增强型P-MOS场效应管增强型N-MOS场效应管耗尽型P-MOS场效应管耗尽型N-MOS电阻 电阻器或固定电阻 表示符号：R电阻 电阻器或固定电阻 表示符号：R电位器表示符号:VR，RP,W可调电阻表示符号:VR，RP,W电位器表示符号:VR，RP,W可调电阻表示符号:VR，RP,W三脚消磁电阻表示符号：RT二脚消磁电阻表示符号：RT压敏电阻表示符号：RZ,VAR热敏电阻表示符号：RT光敏电阻CDS电容（有极性电容）表示符号：电容（有极性电容）表示符号：C可调电容表示符号：C电容（无极性电容）表示符号：C四端光电光电耦合器表示符号：IC，N六端光电光电耦合器表示符号：IC，N单向可控硅(晶闸管)双向可控硅(晶闸管)双向可控硅(晶闸管)晶振 石英晶体振荡器表示符号：X晶振 石英晶体振荡器表示符号：X石英晶体滤波器表示符号：X双列集成电路表示符号：IC或U单列集成电路表示符号：IC或U运算放大器倒相放大器AND gate 非门 OR gate 或门 NAND gate与非门 NOR gate 或非门保险管表示符号：F保险管表示符号：F变压器表示符号：T永久磁铁电感表示符号：L带铁芯电感线圈表示符号：L继电器继电器线路输入端子按键开关表示符号:S双极开关扬声器电池 或直流电源电池 或直流电源电流源特别重要的AC交流DC直流公共接地端恒压源恒流源信号源GND公共接地端

『肆』 电路图符号大全

电阻器与电位器；

符号详见图 1 所示；

1，(a )表示一般的阻值固定的电阻器。

2，( b )表示半可调或微调电阻器。

3，( c )表示电位器。

4，( d )表示带开关的电位器。

5，电阻器的文字符号是“ R ”。

6，电位器是“ RP ”，即在 R 的后面再加一个说明它有调节功能的字符“ P ”。

(4)场效应管电路符号扩展阅读；

电路图主要由元件符号、连线、结点、注释四大部分组成。

元件符号表示实际电路中的元件，它的形状与实际的元件不一定相似，甚至完全不一样。但是它一般都表示出了元件的特点，而且引脚的数目都和实际元件保持一致。

连线表示的是实际电路中的导线，在原理图中虽然是一根线，但在常用的印刷电路板中往往不是线而是各种形状的铜箔块，就像收音机原理图中的许多连线在印刷电路板图中并不一定都是线形的，也可以是一定形状的铜膜。 结点表示几个元件引脚或几条导线之间相互的连接关系。

所有和结点相连的元件引脚、导线，不论数目多少，都是导通的。 注释在电路图中是十分重要的，电路图中所有的文字都可以归入注释—类。细看以上各图就会发现，在电路图的各个地方都有注释存在，它们被用来说明元件的型号、名称等等。

『伍』 场效应管的电路符号中,箭头方向向外表示是什么沟道

是P沟道吧

『陆』 场效应管的电路符号

这叫绝缘栅型场效应管，里面的不是稳压管，而是反相保护二极管。

『柒』 如何识别场效应管

帮你找的，希望有用。

【场效应管的识别】
场效应管在电路中常用字母“v”、“VT”加数字表示，如VT1表示编号为1的场效应管。对于国产场效应三极管的型号， 现在有两种命名方法。一是与普通三极管相同：第三位宁母J代表结型场效应管，o代表绝缘栅炀效应管。第位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如，3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3D06C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。
第二种命名方法是采用字母“CS”+“xx#”的形式，其中“cs”代表场效应管，“xx”以数字代表型号的序号，“#”用字母代表同‘型号中的不同规格，如CS16A、CS55G等。
常见的金属封装场效应管的外形图如图6-9所示。常见的塑料封装场效应管的外形图如图6. 10所示。
在国家标准电路中，常用场效应管的符号如图6-11所示。
目前，在有些人功率MOSFET管中的G-S极间或者D-S极间增加了保护二极管，以保护管了不至于被静电击穿。这种管子的电路图符号如图6-12所示。
与普通晶体管一样，场效应管也自三个引脚，分别足门板（义称栅极）、源极、漏极3
个端子。场效应管可看作是一只普通晶体三极管，栅极（闸极）G对应基极b，漏极D对应
集电极c，源极s对应发射极e（N沟道对应NPN型晶体管，P沟道对应PNP型晶体管）。
场效应管引脚排列位置依其品种、型号及功能等不l司而异。要正确使用场效应管，首先必须识别出场效应管的各个电极。对于大功率场效应管来说，从左至右，其引脚排列基本为G、D、S极（散热片接D极）；采用绝缘底板模块封装的特种场效应管通常有叫个引脚，上面的两个通常为两个S极（相连），下面的两个分别为G、D极；采用贴片封装的场效应管，其散热片是D檄，卜面的i个引脚（无沦中问脚是否被剪短）分别是G、D、S极，如图6-13所示。
罔6—1 3贴片场效应管引脚排列
【用指针式万用表检测场效应管】
MOS场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高，而栅一源极间电容又非常小，极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可存极间电容上形成市H当高的电压( U=Q/C)，将管子损坏。凶此出厂时各引脚都绞合在一起，或装在金属箔内，使G极5S极短接，防止积累静电倚。管子不用时，全部引脚也应短接。在测量时应格外小心，并采取相应的防静电措施。
测量前，先把人体对地短路后，才能触摸MOSFET的引脚。最好在手腕卜接一条导线与
大地连通，使人体与大地保持等电位，再把引脚分开，然后拆掉导线。
根据PN结的正、反向电阻值不同的现象可以很方便地判别出结型场效应管的G、D、S极。 ．
将万用表置j：Rxlk挡，任选两电极，分别测出它们之间的正、反向电阻。若正、反向
电阻值相等（约几千欧），则该两极为漏极D和源极S（结型场效应管的D、S极可百换），
余F的则为栅极(闸极)G。
也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一支表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当}}；现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极（闸极>，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，则说明PN结为反向，即都是反向电阻，可以判定是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极（闸极）。若两次测出的电阻值均很小，则说明是正向PN结，即是正向电阻，判定为P沟道场效应管，
黑表笔接的也足栅极（闸檄）。若不出现上述情况，则可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极（闸极）为止。
4场效应管跨导测量小意图
【用数字万用表检测场效应管】
利用数宁万用表不仅能判定场效应管的电极，还可以测量场效应管的跨导（放大系数）。由于数宁万用表电阻挡的测试电流很小，所以不适用于检测场效虑管，应使用h FE挡进行测试。将场效应管的G、D、S极分别插入hFE测量插座的B、C、E孔中（N沟道管插入NPN插座中，P沟道管插入PNP插座中），此时，显示屏上会显示一个数值，这个数值就是场效应管的跨导（放大系数），如图6-14所示；若电极插错或极性插错，则显示屏都不会显示出这个数值，此时将显示为“ooo”或“1”，如图6-15、图6-16所示。

『捌』 MOSFET 有几种类型，电路符号是什么样

一、场效应管的分类 按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。见下图。
二、场效应三极管的型号命名方法 第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。
三、场效应管的参数 1、I DSS — 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压U GS=0时的漏源电流。 2、UP — 夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。 3、UT — 开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。 4、gM — 跨导。是表示栅源电压U GS — 对漏极电流I D的控制能力，即漏极电流I D变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数。 5、BUDS — 漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。 6、PDSM — 最大耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。 7、IDSM — 最大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM.