㈠ MOS管驱动电路与MOSFET作开关作用有什么区别
MOSFET的开关作用是针对MOS特性得出的，MOS管输出特性曲线有可变电阻区、夹断区和恒专流区，当在可变属电阻区和夹断区内工作时，MOS管相当于一个电子开关。
MOS管驱动电路跟MOS本身没有必然联系，因为MOS管的控制比一般三极管麻烦一些，特别是关断的要求比较高，为了让MOS用起来更简单，就出现了驱动电路这类东西。MOS管当然不用驱动电路，也完全可以工作。
简单的说，驱动电路类似MOSFET的服务电路。
㈡ mos管或igbt为什么要用驱动电路
不太复理解你的问题的意思啊制。驱动电路能进行受控的开和关，这样就能对mos管中的Id电流进行调制，另外mos管开通和关断都需要进行充电和放电（虽然mos是电压驱动型器件，但由于结容的存在，需要对这些电容充电才能有驱动电压），这都需要电流，电流就是由驱动电路提供的，除此之外你还想问什么？
㈢ 请问mosfet管一定需要驱动电路吗如果是的话该怎么找谢谢！
mos管和三极管本身是驱动电路里比较重要的一部分，他们需要的是启动信号。
在驱动电路当中，内我们所容用到他们的工作区是截止区和饱和区。
拿提问的mos管来说，只需要给mos管门极高低电平的信号，让它能工作在截止和放大，那么驱动的前提条件就达到了。这里的信号可以是处理器给的，可以是某个芯片的pwm信号。
你需要找的应该是mos管的驱动电路，这个在网络能搜到很多。
如果我回答的不是你想要了解的，追问我。当然了，还有其它问题也可以追问。
㈣ 如何用3.3V单片机驱动mos管
用三极管不如用ULN2803，一个ULN2803可以驱动8只MOS管。没有其他电路。 直接可以连接，简单方便。 做H桥的话内，可以控制2路，容如果只控制一路，也可以用ULN2003.
补充：你肯定没有看这两个IC，输出12V没有问题，最高输出电压50V，最高输出电流500mA，内部集成了续流二极管，基极电阻。直接上一个片子即可。其实这个片子里面就是集成的达林顿管，和用三极管是一样的道理。 可靠性比分立元件高。
㈤ 求解释一些MOS管驱动电压
过驱动电压Vod=Vgs-Vth。可以理解为：超过驱动门限（Vth）的剩余电压大小。
1）只有在你的过驱动电压“大于版零”的权情况下，沟道才会形成，MOS管才会工作。也就是说，能够使用过驱动电压来判断晶体管是否导通。
2）沟道电荷多少直接与过驱动电压二次方成正比。也就是说，能够使用过驱动电压来计算饱和区的电流。
3）如果能够更加深入理解的话，可以领悟到过驱动电压不单单适用于指代Vgs，也适用于指代Vgd。即
Vod1=Vgs-Vth；
Vod2=Vds-Vth；
如果两种Vod都大于零，说明晶体管沟道全开，也就是处于线性区。只有一种Vod大于零，说明晶体管沟道半开（在DS任意一端没打开有夹断），也就是处于饱和区。
㈥ mos管为什么要驱动电路 博客
不太理解你的问题的意思啊。驱动电路能进行受控的开和关，这样就能对mos管中专的id电流进行调制，另外mos管开通属和关断都需要进行充电和放电（虽然mos是电压驱动型器件，但由于结容的存在，需要对这些电容充电才能有驱动电压），这都需要电流，电流就是由驱动电路提供的，除此之外你还想问什么？
㈦ 请问IGBT、GTO、GTR与MOSFET的驱动电路有什么特点
IGBT成为绝缘栅型场效应管 GTO 门极可关断晶闸管 GTR 巨型晶闸管 MOSFET
如果你采用的是王兆安的第五版专的 那么属书上的结论如下：
1.GTO的驱动电路：分为脉冲变压器耦合式和直接耦合两种，直接耦合应用范围广，但是功耗大，效率低。给出的例子就是其驱动特点：
原方N1到副方N2出项两种导通：
正向：C3放电—R1—V1（触发导通）—L—触发GTO
C1放电—R2—V2—L—GTO
反向关断：C4放电 —关断GTO—门级—L—V3
剩下三种推到方法类似....
2 GTR: 图中给的分为电气隔离和晶体管放大电路两部分组成，主要是通过光耦合器控制三极管的原理控制触发电路
3 MOSFET和IGBT都是电压驱动器件，要求驱动电路有较小的输出电阻。
㈧ MOSFET 为什么要驱动电路
现在市面上实际应用的多是平面工艺的MOSFET，在开关电源等领域应用非常普遍，一般版作为开关管使权用。实际的MOSFET有别于理想的MOSFET，栅极和源极，源极和漏极都是存在电容的，要用合适的驱动电路才能使MOS管工作在低导通损耗的开关状态。比如600V的MOS管多用8-12V的栅极电压驱动，并且要求一定的驱动能力。
也可以用示波器看MOS管的波形，看是否工作在完全导通状态，上升和下降时间在辐射满足要求的情况下，尽量的陡峭。
㈨ 如何选择最适合的MOS管驱动电路
1、管种类和结构
MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。
至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。
对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。下面的介绍中，也多以NMOS为主。
MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免，后边再详细介绍。
在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载(如马达)，这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。
2、MOS管导通特性
导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。
3、MOS开关管损失
不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。
MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失也越大。
导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失;降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。
4、MOS管驱动
跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。
在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。
第二注意的是，普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。
上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压，设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高，导通速度越快，导通电阻也越小。现在也有导通电压更小的MOS管用在不同的领域里，但在12V汽车电子系统里，一般4V导通就够用了。
MOS管的驱动电路及其损失，可以参考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs。讲述得很详细，所以不打算多写了。
5、MOS管应用电路
MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电源和马达驱动。
5种常用开关电源MOSFET驱动电路解析
在使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素，这样的电路也许可以正常工作，但并不是一个好的设计方案。更细致的，MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响MOSFET的开关性能。
当电源IC与MOS管选定之后， 选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就显得尤其重要了。
一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求：
(1)开关管开通瞬时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值，保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。
(2)开关导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源极间电压保持稳定且可靠导通。
(3)关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放，保证开关管能快速关断。
(4)驱动电路结构简单可靠、损耗小。
(5)根据情况施加隔离。