Ⅰ 可控硅调压电路原理
假设你可控来硅一直导通 那么源还是正弦波
假设220v 一个周期内 导通了一半时间 那么只剩下 半个周期的波形
但是你不知道什么时候开始导通 所以是否把峰值给关断了并不知道
所以要过零检测 过零了再开始控制可控硅
它的本质是 控制通电时间例如百分百 变成了百分二十
Ⅱ 求助可控硅调压器电路图(给电瓶充电用)
电路没问题抄,我的充电机就是这袭个电路,很好用,低压没问题。。。。。。。电感自己做的吗?应该9个元件不会多,初级没有直流成分。是《电子天下》里那个电路?充电电路,第2页汽车蓄电池充电电路,触发2级管万用表测正反不通,电子镇流器有个不通那个件就是,可控硅电流选20A以上,,,,,,,,,,,
Ⅲ 用bt136等双向可控硅制作的交流调压电路,究竟是怎样实现电压的调整
双向可控硅制作的交流调压电路主要是控制双向可控硅导通角实现调压的。专
工作原理:属R、RP、C、D 组成脉冲形成网络触发双向可控硅BT, 使BT在市电正负半周均保持相应正反向导通。调节RP阻值,即可改变BT的导通角,达到调节负载RL,上电压的目的。可用于家庭台灯调光、电熨斗、电热毯的调温及电风扇调速等。
Ⅳ 可控硅如何实现调压功能
可控硅调压原理
1. 可控硅(晶闸管)交流调压电路的原理方框图如图1所示(1)整流电路采用桥式整流,将220伏,50赫兹交流电压变为脉动直流电。(2)抗干扰电路为普通电源抗干扰电路。(3)可控硅控制电路采用可控硅和降压电阻组成。(4)张弛振荡器由单结晶体管和电阻组成。(5)冲放电电路有电阻和可变电阻及电容组成。
2.可控硅(晶闸管)交流调压电路原理图3.可控硅(晶闸管)交流调压电路工作原理图中tvp抗干扰普通电源电路。采用双向tvp管子。它对于电网的尖脉冲电压和雷电叠加电压等等干扰超过去额定的数值量,都能有效的吸收。整流电路采用桥式整流,由4只二极管组成,d1,d2,d3,d4组成。双基极二极管组成张弛真振荡器作为可控硅的同步触发电路。当调压器接上市电后220伏交流电通过负载电阻rc,二极管d1到d4整流,在可控硅sch的a,k两极形成一个脉动的直流电压。该电压由电阻r1降压后作为触发电路的直流电源。在交流的正半周时,整流电路通过电阻r1,可变电阻w1对电容充电。当充电电压t1管的峰值电压up时,管子由截止变为导通。于是电容c通过t1管的e1,b1结和r2迅速的放电,结果在r2上获得一个尖脉冲。这个脉冲作为控制信号送到可控硅scr的控制极,使可控硅导通。可控硅导通后的管压降很低,一般小于1伏,所以张弛振荡器停止工作。当交流电通过0点时,可控硅自行关断。当交流电在负半周时c又重新充电…周而复始。改变可变电阻的阻值可改变电容的冲放电时间,从而改变可控硅的导通时刻,来改变负载上的的输出电压。4.可控硅(晶闸管)交流调压电路元件参数的选择(1)二极管d1,d2,d3,d4于300伏,整流电流大于0.3安的硅流二极管。型号2cz21b,2cz83e。(2)晶闸管选用正向与反向电压大于300伏,额定平均电流大于1安的可控硅整流器件。型号国产3ct。(3)调压电位器选用阻值围470千欧的wh114—1型的合成炭膜电位器。(4)电阻r1选用功率为1瓦的金属膜电阻。(5)电阻r2,r3,r4选用功率为1/8瓦的炭膜电阻。5.这种交流可控硅调压电路特点(1)具有调压功能,输出电压范围100到220伏;(2)具有输出电压可调功能。可根据需要调节输出电压;(3)所设计的电路具有一定的抗干扰功能。
Ⅳ 求一个最简单的可控硅调压电路
火线来到一个20K的固定电阻自串联一个220K的电位器串联一个0.22uF的电容到零线端
电容接一触发二极管到双向可控硅的触发端,可控硅的另两极分别接火线和零线端。
零线端接灯泡等阻性或感性负载。
原理:在交流电的半周期内电阻给电容充电,电容电压逐渐升高,到达触发二极管的转折电压后触发二极管变成一导体,将电容上的电荷释放到可控硅,触发可控硅导通。触发二极管没电流后又恢复阻断状态等待下一次导通。
阻容的时间常数决定了开通时间的早晚
Ⅵ 怎么用双向可控硅做一个最简单的调压电路
这种电路很成熟 网上应该很多。而且也有半成品销售。
具体元件主要有,电位器(调相用470K) 、电容0.1微法、双向触发二极管(DB3)、双向可控硅。
Ⅶ 可控硅直流调压图纸
你是想800千瓦一块调那?还是12个分别调那?你出一个草图,本人为你看看。要不然如何与你那一堆东西衔接。你说那?
你的12台焊机是单相输出还是三相输出,输出电压是多少。我想帮助你设计图纸,因为这个不是个小工程,假如不成功你会浪费许多钱财。另外希望你把焊机的电流调节范围说一下,一般利用移相调节在最小电流阶段是非常不稳定的,你应该有心理准备。再见。
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Ⅷ 可控硅调压电路,求原理讲解。如图
~36V的交流电压经过桥式整流以后变成100Hz的直流电(注意:电路中没有滤波!整流输出的专是脉动直流,波形是属正弦正半周的半波)。
BT33E是一只单结晶体管,与R4+Rp和C构成锯齿波张弛振荡电路。振荡频率一般几百Hz,BP用来调整振荡频率(实际上是调整C的充电时间),也是第一个锯齿波尖峰与零点的时间差,也就是移相角(控制角)。因此,在一个半波内有多个锯齿,锯齿波的包络线就是半波波形。
当交流电压过零瞬间,整流后的直流电压也为零,晶闸管3CT被迫关断。张弛振荡器停振,因此,每次交流电压过零后,张弛振荡器发出第一个触发脉冲的时刻都相同,这个时刻取决于RP的阻值和C的电容量。调节RP的阻值,就可以改变电容器C的充电时间,也就改变了第一个Ug发出的时刻,相应地改变了晶闸管的控制角,使负载RL上输出电压的平均值发生变化,达到调压的目的。
Ⅸ 双向可控硅调压电路
可以的,可控硅需要用3Q BTA41-800BW ,但这么大功率的调节不能用这种简单的电路,这个电路只适合小功率调节。
Ⅹ 可控硅调压控制电路图
过零触发双向可控硅调压电路图