mos管电路

① 请教：MOS管做电子开关电路

电路错了，PMOS你还D入S出？也就是说，S和D反了，调过来就对了。这个电路很常用，类似于PNP型三极管，对P三极管来说，E接电源入，C接控制输出，同理如上。

② 求一个单片机控制mos管的电路图

电路原理图：

单片机驱动mos管电路主要根据MOS管要驱动什么东西， 要只是一个继电器之类的小负载的话直接用51的引脚驱动就可以，要注意电感类负载要加保护二极管和吸收缓冲，最好用N沟道的MOS。

如果驱动的东西（功率）很大，（大电流、大电压的场合），最好要做电气隔离、过流超压保护、温度保护等~~ 此时既要隔离传送控制信号（例如PWM信号），也要给驱动级（MOS管的推动电路）传送电能。

常用的信号传送有PC923 PC929 6N137 TL521等 至于电能的传送可以用DC-DC模块。如果是做产品的话建议自己搞一个建议的DC-DC，这样可以降低成本。

(2)mos管电路扩展阅读：

MOS管应用

1、低压应用

当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有4.3V。这时候，我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险。同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合。

2、宽电压应用

输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。

为了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。在这种情况下，当提供的驱动电压超过稳压管的电压，就会引起较大的静态功耗。

③ 怎么看一个mos管电路

这里场效应管肯定是起着开关作用，至于说电平转换，真的没必要如此浪费资源，用电阻就可以了。而这样构成电路，估计是要多个相同IIC设备，却无法改变其相同的地址，就只能是采用开关电路来切换了；

④ MOS管在开关电路的作用

MOS管在开关电路的作用是信号的转换、控制电路的通断。

金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，源极上加有足够的正电压(栅极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。

改变栅压可以改变沟道中的空穴密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。

N沟道的MOS管的电路中，BEEP引脚为高电平即可导通，蜂鸣器发出声音，低电平关闭蜂鸣器；P沟道的MOS管是用来控制GPS模块的电源通断，GPS_PWR引脚为低电平时导通，GPS模块正常供电，高电平时GPS模块断电。

(4)mos管电路扩展阅读

NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。

PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。

PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压供电。

MOS场效应晶体管具有很高的输入阻抗，在电路中便于直接耦合，容易制成规模大的集成电路 。

⑤ MOS管开关电路

1 这个电来路采用是NMOS管，如自果COP是高组态，那么为什么A点处是高电平，那个Rcop上拉电阻如果达到1M，那么A处还是高电平吗？ 答：正是由于Rcop所以COP是高组态时处是高电平。即便Rcop阻值高达10MA处还会是高电平，只是阻值太高容易引入干扰，所以取几K的阻值就好。

2 图中标识的放电用FET，我大概分析下是：NMOS管的栅极B如果是低电平，那么放电用MOS管应该是导通的，此时电流流向是D流向S的，这个分析对吗？答：应该DOB是高电平时放电FET导通。

⑥ 【求教】MOS管开关电路。

MOS和三极管相像，但是三极管属于电流驱动型，而MOS属于电压驱动型，因此在控制回的时候需要考虑MOS的G端电答压。一般的N沟道MOS在3V往上就可以导通，但是为了考虑可靠性，往往是加上一个电阻，接到12V左右，这是我们常用的。如图我们产品中的一个图，是电机驱动，用的就是MOS的开关特性。另外，数字电路中所用到的三极管和MOS就是一个开关，因为数字电路只有0和1。图中的PWM是单片机IO端口直接过来的，0V和5V可变。后面一个推挽电路，然后给MOS。

⑦ 谁能帮我分析一下这个mos管的电路

这个电路是典来型的USB_OTG电路：源当外接USB是DEVICE设备时，板上的USB_ID引脚被检测到悬空或者上拉，此时MCU_OTG_PWEON输出高电平，Q8导通，G集被拉低，5V向VCC5V端供电，同时板上设备可以对外接DEVICE设备进行读写操作（比如电脑外接U盘或者手机）；同理，当外接USB是HOST设备时，板上的USB_ID引脚被检测到下拉，此时MCU_OTG_PWEON输出低电平，Q8截止，G集被Q6或Q7中D到S电平较高的PMOS上拉，同时外接HOST设备可以对板上设备进行烧写程序（好比电脑刚生产出来需要烧写驱动程序一样）。所以，Q6，Q7的接法并没有错，当然，楼上说的也没有错，不管何种状态，都会有一个PMOS导通，这是为了保证G集电平的确定性，这就是为什么有个10K的R103电阻的原因。望采纳。

⑧ 请教：MOS管做开关电路

MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要回由栅源电压uGS决定其答工作状态。

MOS管在导通与截止两种状态发生转换时同样存在过渡过程，但其动态特性主要取决于与电路有关的杂散电容充、放电所需的时间，而管子本身导通和截止时电荷积累和消散的时间是很小的。

MOS管也是三端压控元件，三端分别是G、D、S，可以等效于普通三极管的B、C、E三极，VGS的电压（=VG-VS）控制Mos 开关状态:

当VGS大于Von（开启电压，NMOS为2~4V，PMOS为-2~-4V）时就使得Mos打开，D& S两极之间导通，压降为零，阻抗较小，零点几欧姆；

同理当VGS小于Von时就使得Mos处于关闭状态，D& S两极之间阻抗很大；

所以，G极就是控制极；

要注意的是，Vgs不能太高，比如IRF530，Von的最大值为4V，可是击穿电压为正负20V；又比如IRF9530，开启电压为最大-4V，也就是说Vgs=-5V时已经打开，开启电压上限也为正负20V，当Vgs=-21V或者22V时，管子会被击穿。通常使用时，可以使所加电压Vgs=正负9伏比较适合。

⑨ mos管在电路中的作用

MOS即MOSFET全称金属氧化膜绝缘栅型场效应管，有门极Gate,源极Source,漏极Drain.通过给Gate加电压产生电场控制S/D之间的沟道电子或者空穴密度（或者说沟道宽度）来改变S/D之间的阻抗。这是一种简单好用，接近理想的电压控制电流源电晶体
它具以下特点:开关速度快、高频率性能好，输入阻抗高、驱动功率小、热稳定
性优良、无二次击穿问题、全工作区宽、工作线性度高等等，其最重要的优点
就是能够减少体积大小与重量，提供给设计者一种高速度、高功率、高电压、
与高增益的元件。在各類中小功率开关电路中应用极为广泛。
MOS又分为兩种，一种为耗尽型（Depletion MOS），另一种为增强型
（Enhancement MOS）。这兩种型态的结构没有太大的差異，只是耗尽型MOS一
开始在Drain-Source的通道上就有载子，所以即使在VGS为零的情况下，耗尽型
MOS仍可以导通的。而增强型MOS则必须在其VGS大於某一特定值才能导通。