栅陷表电路

『壹』 钳位电路的问题，有图有真相！！！“栅极电位vG钳位在VDD+VF”是什么意思在线等！！！

这个实际上就类似于CMOS电路的ESD保护结构，正常工作时，vi不会超过vdd，但是如果出现静电，或者其他原因导致的能量进入vi，会把vi的电压拉高，这时D1会导通，并且通过D1将静电或其他能量泄放到vdd去，在静电泄放的过程中，vg的电压不会比vdd+vf更高，这里vf就是D1导通时的正向压降。
反过来说，如果出现负的静电，将vi的电压下拉，则D2会导通，并将负的静电荷泄放到vss，使vg的电压不会比vss-vf更低。
这样做的原因是CMOS的栅极到衬底之间的氧化层很薄，一旦电压过高或过低，就会使栅极到衬底之间发生氧化层击穿，而氧化层击穿是无法恢复的，因此CMOS电路中一定要做好ESD保护。

『贰』 什么是栅压

您好，不知您问的是电子管，还是场效应管。
不管是电子管还是场效应管，栅压,顾名思义，就是电路工作时，栅极需要的工作电压。
如果是电子管电路，电子管的工作状态，当屏压固定时，栅极上所需要的工作电压，习惯上也叫栅偏压。
因为电子管的放大作用，较小的栅偏压变化就会使屏流产生较大的变化。
常用电子管栅极都是加有负偏压（右特性电子管加有正偏压）。
栅偏压的供给一般有两种方式：
A：自给偏压式产生栅偏压方式；
B：固定式偏压供电方式。
较常用的是简单安全的第一种自给偏压式。
具体电路这里不作分析，请参考有关内容。

『叁』 igbt驱动电路的要求

对于大功率IGBT，选择驱动电路基于以下的参数要求：器件关断偏置、门极电荷、耐固性和电源情况等。门极电路的正偏压VGE负偏压-VGE和门极电阻RG的大小，对IGBT的通态压降、开关时间、开关损耗、承受短路能力以及dv/dt电流等参数有不同程度的影响。门极驱动条件与器件特性的关系见表1。栅极正电压 的变化对IGBT的开通特性、负载短路能力和dVcE/dt电流有较大影响，而门极负偏压则对关断特性的影响比较大。在门极电路的设计中，还要注意开通特性、负载短路能力和由dVcE/dt 电流引起的误触发等问题(见表1)。
表1 IGBT门极驱动条件与器件特性的关系
由于IGBT的开关特性和安全工作区随着栅极驱动电路的变化而变化，因而驱动电路性能的好坏将直接影响IGBT能否正常工作。为使IGBT能可靠工作。IGBT对其驱动电路提出了以下要求。
1)向IGBT提供适当的正向栅压。并且在IGBT导通后。栅极驱动电路提供给IGBT的驱动电压和电流要有足够的幅度，使IGBT的功率输出级总处于饱和状态。瞬时过载时，栅极驱动电路提供的驱动功率要足以保证IGBT不退出饱和区。IGBT导通后的管压降与所加栅源电压有关，在漏源电流一定的情况下，VGE越高，VDS傩就越低，器件的导通损耗就越小，这有利于充分发挥管子的工作能力。但是， VGE并非越高越好，一般不允许超过20 V，原因是一旦发生过流或短路，栅压越高，则电流幅值越高，IGBT损坏的可能性就越大。通常，综合考虑取+15 V为宜。
2)能向IGBT提供足够的反向栅压。在IGBT关断期间，由于电路中其他部分的工作，会在栅极电路中产生一些高频振荡信号，这些信号轻则会使本该截止的IGBT处于微通状态，增加管子的功耗。重则将使调压电路处于短路直通状态。因此，最好给处于截止状态的IGBT加一反向栅压(幅值一般为5～15 V)，使IGBT在栅极出现开关噪声时仍能可靠截止。
3)具有栅极电压限幅电路，保护栅极不被击穿。IGBT栅极极限电压一般为+20 V，驱动信号超出此范围就可能破坏栅极。
4)由于IGBT多用于高压场合。要求有足够的输入、输出电隔离能力。所以驱动电路应与整个控制电路在电位上严格隔离，一般采用高速光耦合隔离或变压器耦合隔离。
5)IGBT的栅极驱动电路应尽可能的简单、实用。应具有IGBT的完整保护功能，很强的抗干扰能力，且输出阻抗应尽可能的低。

『肆』 红外线对射防盗栅栏电路图

这是一种：
http://www.cndzz.com/dianlu/EFFFSFST.html
这里还有很多：
http://www.cndzz.com/catalog/107_1.htm
http://www.cndzz.com/catalog/410_1.htm

『伍』 场效应管中，有些电路栅极处的电容起到什么作用

举例说明：
极间电容： Power MOSFET的3个极之间分别存在极间电容CGS，CGD，CDS。通常生产厂家提供的是漏源极断路时的输入电容CiSS、共源极输出电容CoSS、反向转移电容CrSS。CiSS = CGS+CGD=4850pF, CoSS= CGD+CDS =855pF，CrSS = CGD =222pF

Power MOSFET 的开通过程：由于Power MOSFET 有输入电容，因此当脉冲电压上升沿到来时，输入电容有一个充电过程，栅极电压Ugs按指数曲线上升。当Ugs上升到开启电压Ut时，开始形成导电沟道并出现漏极电流Id。从up前沿时刻到Ugs=UT，且开始出现Id的时刻，这段时间称为开通延时时间td(on)。此后，Id随Ugs的上升而上升，Ugs从开启电压Ut上升到Power MOSFET临近饱和区的栅极电压Ugsp这段时间，称为上升时间tr。这样Power MOSFET的开通时间
ton=td(on)+tr =45ns+75ns=120ns (根据datasheet)
Power MOSFET的关断过程：当up信号电压下降到0时，栅极输入电容上储存的电荷通过连在MOS上的二极管放电到地，使栅极电压按指数曲线下降，当下降到Ugsp 继续下降，Id才开始减小，这段时间称为关断延时时间td(off)。此后，输入电容继续放电，Ugs继续下降，Id也继续下降，到Ugs< SPAN>T时导电沟道消失，Id=0，这段时间称为下降时间tf。这样Power MOSFET 的关断时间

『陆』 模拟电路中栅极源级漏极的工作原理是什么

我不知道TFT－LCD是什么型号的场效应管，但是了解场效应管的工作原理。

下图是一个示意图回：

可以把场效应管看作答一个由电压控制的可变电阻。G极的电压可以改变导电区的截面积从而改变了S－D间的电阻值。（事实上有一些场效应管的S和D极是可以互换使用的，但是效果会有所改变）。

场效应管是电压控制器件，G端只需要电压（－VG→0→＋VG），而不需要电流，所以输入阻抗极大，能达到10MΩ－1MMΩ。实际上是靠电场的感应达到使耗散区变宽变窄来改变阻值的，当导电区被夹断后就基本上不导电了所以可以用作电压控制开关。

场效应管的电压放大原理实际上是改变本身的电阻值从而改变了与负载电阻的分压比，所以电压放大倍数不如普通晶体三极管大。但电流放大倍数极大，因为栅极几乎无电流（甚至绝缘）。

场效应管的性能比晶体三极管的性能稳定，由于输入阻抗极大，所以偶合电容可以非常小，适合制作成大规模集成电路。

『柒』 电路图符号大全

电阻器与电位器；

符号详见图 1 所示；

1，(a )表示一般的阻值固定的电阻器。

2，( b )表示半可调或微调电阻器。

3，( c )表示电位器。

4，( d )表示带开关的电位器。

5，电阻器的文字符号是“ R ”。

6，电位器是“ RP ”，即在 R 的后面再加一个说明它有调节功能的字符“ P ”。

(7)栅陷表电路扩展阅读；

电路图主要由元件符号、连线、结点、注释四大部分组成。

元件符号表示实际电路中的元件，它的形状与实际的元件不一定相似，甚至完全不一样。但是它一般都表示出了元件的特点，而且引脚的数目都和实际元件保持一致。

连线表示的是实际电路中的导线，在原理图中虽然是一根线，但在常用的印刷电路板中往往不是线而是各种形状的铜箔块，就像收音机原理图中的许多连线在印刷电路板图中并不一定都是线形的，也可以是一定形状的铜膜。 结点表示几个元件引脚或几条导线之间相互的连接关系。

所有和结点相连的元件引脚、导线，不论数目多少，都是导通的。 注释在电路图中是十分重要的，电路图中所有的文字都可以归入注释—类。细看以上各图就会发现，在电路图的各个地方都有注释存在，它们被用来说明元件的型号、名称等等。

『捌』 有对栅陷表感兴趣的朋友吗

栅陷是什么，
真的不知道，但我还是很感兴趣的。
给我介绍一下，我学习一下。

『玖』 电路中，MOS管栅压变化时，它的漏源电压Vds变吗就像下面这个电路。

b，因为场效应管是压控器件，通过调整栅极电压来控制漏源机电压

『拾』 GFP5N60场效应管的引脚哪个是源栅漏极

字朝人放正：G-D-S排列。直插TO-220封装的场效应管基本都一样。第一个是G栅极，第二个是D漏极，第三个是S源极。5N60是N沟道MOS场效应管，G栅极与DS两极不通（绝缘，耐压小于30V）。DS之间有一个寄生二极管（S→D）。
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FGP5N60UFD - 600V, 5A ， IGBT 不是场效应管，是IGBT即“绝缘栅双极晶体管”，GCE排列，引脚同场效应管基本一样。