自给偏压电路

① 为什么自给偏压电路仅适用于耗尽型场效应管

耗尽型场效应管需要偏压才能导通。

② 增强型MOS管采用自给偏压时,漏极电流iD必为零为什么

基本放大电路 （2）工作原理 图2-39 N沟道增强型MOS管加栅源电压UGS（a）UGS=0，（b）UGS;0 基本放大电路 如图2-39所示，当UGS=0时，漏极和源极之间为两个背靠背的PN结，其中有一个PN结反向偏置，电阻很大，D和S之间无电流流过。 当UGS;0时，在UGS的作用下，D和S间绝缘层中会产生一个垂直于P衬底表面的电场，此电场的方向，排斥P型衬底的空穴，但会吸引P型衬底的自由电子，使自由电子汇集到衬底表面上来，随UGS增大，衬底表面汇集的自由电子增多。 基本放大电路 当UGS达到一定值后，这些电子在P型衬底表面形成一个自由电子层（又叫反型层或N型层），把漏极D和源极S连接起来，此N型层即为D、S间的导电沟道。此时若在D、S间加电压UDS，就会有漏极电流ID产生。 形成导电沟道所需要的最小栅源电压UGS，称为开启电压UT。改变栅源电压UGS的值，就可调整导电沟道的宽度，从而改变导电沟道的导通电阻，达到控制漏极电流的目的。 可见，此类管子，在栅源电压UGS=0时，D、S间没有导电沟道。UGS≥UT时，才有沟道形成，因此称此类管子为增强型管。 基本放大电路 2.6.2.2 N沟道耗尽型绝缘栅场效应管 （a）N沟道管结构示意图 （b）N沟道

③ 电子管推挽功率放大器自给偏压时，阴极电阻增大，自给偏压也增大吗

是的，自给偏压就是靠阴极电阻来调节的。

④ 场效应管基本自给偏压电路中栅极电阻RG作用

提供栅极零电位的静态偏置，如无该电阻，栅极静态电位无法确保为零。

⑤ 哪种场效应管可以采用自给偏压电路形式设置Q点

. 自给偏压共源组态放大电路Q点计算 自给偏压共源组态场效应管放大电路如图02.03.02所示。建立正确的偏压就是建立正确的静态工作点，图示电路中的场效应管应该采用N沟道耗尽型MOSFET。因为栅流等于0，所以UG=0V、US=IDR， UGSQ= -IDQR 。 根据场效应管的转移特性曲线，静态工作点Q应位于第二象限。漏极电流图02.03.02 自给偏压共源放大电路管压降 UDSQ= VDD－IDQ(Rd+R) 2. 自给偏压共源组态放大电路图解分析 对图02.03.02的放大电路可根据下列方程式进行图解QUGSQIDQ图02.03.03 在输入特性曲线上图解 直线方程 uGS =- iDR与输入特性曲线的交点即是工作点Q。 由工作点Q，即可确定UGSQ 和IDQ。 在输出特性曲线上进行图解，取场效应晶体管的输出特性曲线；列出放大电路直流通路输出回路的负载方程式ICQ 由输入特性图解得到的UGSQ UCEQ做直流负载线；由工作点Q即可得到Q图02.03.04 在输出特性曲线上图解 3. 场效应管放大电路偏置设置规律 场效应管放大电路要处于放大状态，必须有合适的偏置电压。由于场效应管有结型和绝缘栅

⑥ 什么是自给偏压电路啊

自给偏压就是不必另外设置偏置电压，电路能自己形成偏置的电路。这种情况内主要用在结型容场效应管中，不需要另外加栅极偏压，只需要在栅极与地之间串接一个1MΩ的电阻就可以形成栅偏压，当然漏极D下面应该接一个几十至几千欧姆的电阻就行啦。

⑦ JFET组成的放大电路可以采用自给偏压的方法设置静态工作点吗

JFET是耗尽型场效应管，它的输入特性与电子管一样，Vgs为零时，漏极电流最大，-Vgs到一定值时才截止，可以采用自给偏压电路。

⑧ 为什么自给偏压电路输入端要加电容

加电容是为了隔离直流电，前后级互不影响，交流信号可以顺利通过。如果不加电容，会影响静态工作点。

⑨ 为什么放大电路中自给偏压偏置电路适用的管子是N沟道耗尽型MOS管

自给偏置电路，要求在动态信号为0的时候还有电流，这种情况下，只有耗尽型的场效应管符合（你仔细看一下耗尽型场效应管的转移特性曲线，当Ugs=0时，iD还是一个大于0的值）。
另外，你的供电电压是正电源电压，D为正极，如果和P沟道，这个UDS的电压应该是负的才行（你可以看该场效应管的输出特性曲线）

⑩ 增强型NMOS管构成的放大电路只能采用分压式自偏压电路的形式。对吗

增强型场效应管是不能自给偏压的，需要通过外电路来提供偏置电压，通常是采用分压形式；
但是不能说是“只能”，还是可以直接采用两个电源的形式的嘛，一个给栅极，一个给漏源极；