TOT电路

㈠ 电度表中IMP EXP ToT 分别代表什么

IMP，EXP，TOT分别表示正向电能、反向电能、电能总和。

电能表，是用来测量电能的仪表，又称电度表，火表，千瓦小时表，指测量各种电学量的仪表。显示器上，IMP，EXP，TOT再D区，分别表示正向电能、反向电能、电能总和。

(1)TOT电路扩展阅读：

电度表常用分类：

1，电能表按其使用的电路可分为直流电能表和交流电能表。交流电能表按其相线又可分为单相电能表、三相三线电能表和三相四线电能表。

2，电能表按其工作原理可分为电气机械式电能表和电子式电能表（又称静止式电能表、固态式电能表）。电气机械式电能表用于交流电路作为普通的电能测量仪表，其中最常用的是感应型电能表。电子式电能表可分为全电子式电能表和机电式电能表。

3，电能表按其结构可分为整体式电能表和分体式电能表。

4，电能表按其用途可分为有功电能表、无功电能表、最大需量表、标准电能表、复费率分时电能表、预付费电能表、损耗电能表和多功能电能表等。

5，电能表按其准确度等级可分为普通安装式电能表（0.2、0.5、1.0、2.0、3.0级）和携带式精密级电能表（0.01、0.02、0.05、0.1、0.2级）。

㈡ 在rcl串联交流电路中求电源电压和Vc的关系直接一次性用Vc=Xc*Vac/Ztot 然后用指

串联电路电流相等，用电流做参考相位；

并联电路电压相等，用电压做参考相位。

你贴一题出来。

㈢ 串联谐振的公式有哪些

是当X发生的事实谐振大号 = X Ç允许构建一个公式，允许谐振频率（ƒ计算从仅仅为系列将L的值和C.电子最常用的式的电路的） LCR电路的谐振频率为：

在许多应用中，电路装配后需要仔细调整通常是决定不使用纯LC电路的决定因素。在许多应用中，它们已被不需要调节的固态陶瓷滤波器和谐振晶体调谐电路所取代。但是，有时固态滤波器可能会在所需频率的谐波（多个）处产生多个谐振频率的问题。然后也可以包括单个可调LC调谐电路以克服该问题。

串联电路计算。

在串联LCR电路中，尤其是在谐振时，发生了很多事情，因此计算通常是多阶段的。在本系列的较早模块中已经描述了许多常用计算的公式，现在的区别在于，查找有关电路条件的相关信息的任务依赖于选择适当的公式并以适当的顺序使用它们。

例如，在下面的问题，以红色显示在值项目是必需的，但是请注意V Ç和V 大号不容被首先计算出，作为用于ƒ的值[R （和另一式）需要计算电抗。但是有时候，通过记住上面灰色面板中有关串联谐振（也叫变频谐振）的记录，可以使这项工作变得更容易，无需计算V L，因为在谐振时X C和X L相等，因此两端将产生相等的电压。但是请注意，V L与在L两端测得的总电压不同。内部电阻两端的电压（在90°至VL）需要包括在内，并且由于V L和内部电阻电压（VR L）之间的相位差，可测量的电感器总电压V L TOT将是V L和VR L的相量之和。

回复者：华天电力

㈣ 电子电路里三极管型号mje13003E与三极管mje13005有什么区别

你好，这是UTC公司生产的管子

下图为13003和13005的参数，它们的区别就是Ic、反向电压等参数不同，具体见图。

㈤ CPU供电电路中的MOS管可以随便更换吗

看了一下论坛上关于MOS管的帖子，说的和“超越”大概一样，就是新MOS管的电压、电流、功率值要大于等于原MOS管的电压、电流、功率值。也就是说，换MOS管的时候，要了解各个MOS管的参数，这可是个不小的工作量，而且有些MOS管的PDF图纸在网上找不到，比如“K3918”，至于可不可以混用，只要满足上面的要求，是可以混用的。帖子里还说，09N03和06N03可以用于所有CPU供电电路中，基本通吃。我在网上搜了一下09N03和06N03的PDF看了一下：09N03：V DS=25V、I D=50A、P tot=63W（25 °C）06N03：V DS=25V、I D=50A、P tot=83W（25 °C）同时我还顺便下载了04N03的PDF：04N03：V DS=25V、I D=80A、P tot=107W（25°C）我发现N03前面的数字越小，这种管子的功率越高，不知道是不是这样。听朋友说，在更换MOS管的时候，不同的主板，如果都是775的CPU，那么MOS管是可以互换的，上管之间也可以混用，下管之间也可以混用，以这样的原则来代换MOS管应该没问题吧。在帖子里还看到MOS管的DS极是可以颠倒的，因为MOS管在制作的过程中DS是对称设计的。那我就想不明白，既然是对称的，为什么用万用表量S到D有500的数值，D到S却无穷大。有没有高手可以指点一下呢？

㈥ 退耦电容有几种接法各起什么作用有什么好处

电容选择上都采用的MLCC的电容进行退耦，常见的MLCC的电容因为介质的不同可以进行不同的分类，可以分成NPO的第一类介质，X7R和Z5V等的第二、三类介质。EIA对第二、三类介质使用三个字母，按照电容值和温度之间关系详细分类为：
第一个数字表示下限类别温度：
X：－55度；Y：－30度；Z：＋10度
第二个数字表示上限温度：
4：＋65度；5：＋85度；6：105度；7：125度；8：150度；
第三个数字表示25度容量误差：
P：＋10％/-10％；R：＋15％/-15％；S：＋22％/-22％；
T：＋22％/-33％；U：＋22％/-56％；V：＋22％/-82％
例如我们常见的Z5V，表示工作温度是10度～85度，标称容量偏差＋22％/-82％，
为了做成纯文档的格式，尽量采用文字说明，不不采用图片，这样给理解带来一定的困难，看官们见笑了。设电源引脚和地引脚的封装电感和引线电感之和分别为：Lv和Lg。两个互补的MOS管（接地的NMOS和接电源的PMOS）简单作为开关使用。假设初始时 刻传输线上各点的电压和电流均为零，在某一时刻器件将驱动传输线为高电平，这时候器件就需要从电源管脚吸收电流。在时间T1，使PMOS管导通，电流从PCB板上的VCC流入，流经封装电感Lv，跨越PMOS管，串联终端电阻，然后流入传输线，输出电流幅度为VCC/（2×Z0）。电流在传输线网络上持续一个完整的返回（Round-Trip）时间，在时间T2结束。之后整个传输线处于电荷充满状态，不需要额外流入电流来维持。当电流瞬间涌过封装电感Lv时，将在芯片内部的电源提供点产生电压被拉低的扰动。该扰动在电源中被称之为同步开关噪声（SSN，Simultaneous Switching Noise；SSO，Simultaneous Switching Output Noise）或Delta I噪声。
在时间T3，关闭PMOS管，这一动作不会导致脉冲噪声的产生，因为在此之前PMOS管一直处于打开状态且没有电流流过的。同时打开NMOS管，这时传输线、地平面、封装电感Lg以及NMOS管形成一回路，有瞬间电流流过开关B，这样在芯片内部的地结点处产生参考电平点被抬高的扰动。该扰动在电源系统中被称之为地弹噪声（Ground Bounce，我个人读着地tan）。
实际电源系统中存在芯片引脚、PCB走线、电源层、底层等任何互连线都存在一定电感值，因此上面就IC级分析的SSN和地弹噪声在进行Board Level分析时，以同样的方式存在，而不仅仅局限于芯片内部。就整个电源分布系统来说（Power Distribute System）来说，这就是所谓的电源电压塌陷噪声。因为芯片输出的开关操作以及芯片内部的操作，需要瞬时的从电源抽取较大的电流，而电源特性来说不能快速响应该电流变化，高速开关电源开关频率也仅有MHz量级。为了保证芯片附近电源线上的电压不至于因为SSN和地弹噪声降低超过器件手册规定的容限，这就需要在芯片附近为高速电流需求提供一个储能电容，这就是我们所要的退耦电容。

如果电容是理想的电容，选用越大的电容当然越好了，因为越大电容越大，瞬时提供电量的能力越强，由此引起的电源轨道塌陷的值越低，电压值越稳定。但是，实际的电容并不是理想器件，因为材料、封装等方面的影响，具备有电感、电阻等附加特性；尤其是在高频环境中更表现的更像电感的电气特性。我们都知道实际电容的模型简单的以电容、电阻和电感建立。除电容的容量C以外，还包括以下寄生参数：
1、等效串联电阻ESR（Resr）：电容器的等效串联电阻是由电容器的引脚电阻与电容器两个极板的等效电阻相串联构成的。当有大的交流电流通过电容器，Resr使电容器消耗能量(从而产生损耗)，由此电容中常用用损耗因子表示该参数。
2、等效串联电感ESL（Lesl）：电容器的等效串联电感是由电容器的引脚电感与电容器两个极板的等效电感串联构成的。
3、等效并联电阻EPR Rp ：就是我们通常所说的电容器泄漏电阻，在交流耦合应用、存储应用(例如模拟积分器和采样保持器)以及当电容器用于高阻抗电路时，Rp是一项重要参数，理想电容器中的电荷应该只随外部电流变化。然而实际电容器中的Rp使电荷以RC时间常数决定的速度缓慢泄放。
还是两个参数RDA、CDA 也是电容的分布参数，但在实际的应该中影响比较小，这就省了吧。所以电容重要分布参数的有三个：ESR、ESL、EPR。其中最重要的是ESR、 ESL，实际在分析电容模型的时候一般只用RLC简化模型，即分析电容的C、ESR、ESL。因为寄生参数的影响，尤其是ESL的影响，实际电容的频率特性表现出阻抗和频率成“V”字形的曲线，低频时随频率的升高，电容阻抗降低；当到最低点时，电容阻抗等于ESR；之后随频率的升高，阻抗增加，表现出电感特性（归功于ESL）。因此对电容的选择需要考虑的不仅仅是容值，还需要综合考虑其他因素。包括： 所有考虑的出发点都是为了降低电源地之间的感抗（满足电源最大容抗的条件下），在有瞬时大电流流过电源系统时，不至于产生大的噪声干扰芯片的电源地引脚。选用常见的有两种方法计算所需的电容：
简单方法：由输出驱动的变化计算所需退耦电容的大小；
复杂方法：由电源系统所允许的最大的感抗计算退耦电容的大小。

我们假设一个模型，在一个Vcc＝3.3V的SRAM系统中，有36根输出数据线，单根数据线的负载为Cload＝30pF（相当的大了），输出驱动需要在Tr＝2ns（上升时间）内将负载从0V驱动到3.3V，该芯片资料里规定的电源电压要求是3.3V＋0.3V/-0.165V。
可以看出在SRAM的输出同时从0V上升到3.3V时，从电源系统抽取的电流最大，我们选择此时计算所需的退耦电容量。我们采用第一种计算方法进行计算，单根数据线所需要的电流大小为：
I＝Cload×（dV/dt）＝30pF×（3V/2ns）=45mA;
36根数据线同时翻转时的电流大小为Itot＝45mA×36＝1.62A。芯片允许的供电电压降为0.165V，假设我们允许该芯片在电源线上因为SSN引入的噪声为50mV，那么所需要的电容退耦电容为：
C＝I×（dt/dV）＝1.62A×（2ns/50mV）=64nF；
从标准容值表中选用两个34nF的电容进行并联以完成该值，正如上面提到的退耦电容的选择在实际中并不是越大越好，因为越大的电容具有更大的封装，而更大的封装可能引入更大的ESL，ESL的存在会引起在IC引脚处的电压抖动（Glitching），这个可以通过V＝L×（di/dt）公式来说明，常见贴片电容的L大约是1.5nH，那么V＝1.5nH×（1.62A/2ns）=1.2V，考虑整个Bypass回路的等效电感之后，实际电路中glitch会小于该值。通过前人做的一些仿真的和经验的数据来看，退耦电容上的Glitch与同时驱动的总线数量有很大关系。
因为ESL在高频时觉得了电源线上的电流提供能力，我们采用第二种方法再次计算所需的退耦电容量。这中方法是从Board Level考虑单板，即从Bypass Loop的总的感抗角度进行电容的计算和选择，因此更具有现实意义，当然需要考虑的因素也就越多，实际问题的解决总是这样，需要一些折中，需要一点妥协。
同样使用上面的假设，电源系统的总的感抗最大：
Xmax＝（dV/dI）＝0.05/1.62=31m欧；
在此，需要说明我们引入的去耦电容是为了去除比电源的去耦电容没有滤除的更高频率的噪声，例如在电路板级参数中串联电感约为Lserial＝5nH，那么电源的退耦频率：
Fbypass＝Xmax/(2pi×Lserial)＝982KHz，这就是电源本身的滤波频率，当频率高于此频率时，电源电路的退耦电路不起作用，需要引入芯片的退耦电容进行滤波。另外引入另外一个参数——转折点频率Fknee，该频率决定了数字电路中主要的能量分布，高于该频率的分量认为对数字电路的上升沿和下降沿变化没有贡献。在High-Speed Digital Design:A Hand Book of Black Magic这本书的第一章就详细的讨论了该问题，在此不进行详细说明。只是引入其中推倒的公式：
Fknee＝（1/2×Tr）＝250MHz，其中Tr＝2ns；
可见Fknee远远大于Fbypass，5nH的串联电感肯定是不行了。那么计算：
Ltot＝Xmax/(2pi×Fknee)＝(Xmax×Tr/pi)=19.7pH;
如前面提到的常见的贴片电容的串联电感在1.5nH左右，所需要的电容个数是：
N＝（Lserial/Ltot）=76个，另外当频率降到Fbypass的时候，也应该满足板级容抗需要即：
Carray=(1/（2pi×Fbypass×Xmax）)＝5.23uF；
Celement=Carray/N=69nF.

1、电容容值；2、电介质材料；3、电容的几何尺寸和放置位置。

㈦ 怎么计算串联谐振的公式

计算串联谐振的公式为Z=√R2+XC-XL2=R。串联谐振在具有电阻R、电感L和电容C元件的交流电路中，电路两端的电压与其中电流位相一般是不同的。

如果调节电路元件的参数或电源频率，可以使它们位相相同，整个电路呈现为纯电阻性。电路达到这种状态称之为谐振。在谐振状态下，电路的总阻抗达到极值或近似达到极值。

研究谐振的目的就是要认识这种客观现象，并在科学和应用技术上充分利用谐振的特征，同时又要预防它所产生的危害。按电路联接的不同，有串联谐振和并联谐振两种。

在电阻、电感及电容所组成的串联电路内，当容抗XC与感抗XL相等时，即XC=XL，电路中的电压U与电流I的相位相同，电路呈现纯电阻性，这种现象叫串联谐振（也称为电压谐振）。当电路发生串联谐振时，电路的阻抗Z=√R2+XC-XL2=R,电路中总阻抗最小，电流将达到最大值。

(7)TOT电路扩展阅读：

串联谐振的特点：

1、所需电源容量大大减小。系列串联谐振试验装置是利用谐振电抗器和被试品电容产生谐振，从而得到所需高电压和大电流的，在整个系统中，电源只需要提供系统中有功消耗的部分，因此，试验所需的电源功率只有试验容量的1/Q倍（Q为品质因素）。

2、设备的重量和体积大大减小。串联谐振电源中，不但省去了笨重的大功率调压装置和普通的大功率工频试验变压器，而且，谐振激磁电源只需试验容量的1/Q，使得系统重量和体积大大减小，一般为普通试验装置的1/5～1/10。

3、改善输出电压波形。谐振电源是谐振式滤波电路，能改善输出电压的波形畸变，获得很好的正弦波，有效地防止了谐波峰值引起的对被试品的误击穿。

4、防止大的短路电流烧伤故障点。在谐振状态，当被试品的绝缘弱点被击穿时，电路立即脱谐（电容量变化，不满足谐振条件），回路电流迅速下降为正常试验电流的1/Q。

而采用并联谐振或者传统试验变压器的方式进行交流耐压试验时，击穿电流立即上升几十倍，两者相比，短路电流与击穿电流相差数百倍。所以，串联谐振能有效地找到绝缘弱点，又不存在大的短路电流烧伤故障点的忧患。

5、不会出现任何恢复过电压。被试品发生击穿闪络时，因失去谐振条件，高电压也立即消失，电弧立刻熄灭，装置的保护回路动作，切断输出。

㈧ 跪求初中物理所有公式、ToT

初中物理所有公式
物理量（单位） 公式 备注 公式的变形
速度V（m/S） v= S：路程/t：时间

重力G (N） G=mg m：质量 g：9.8N/kg或者10N/kg
密度ρ （kg/m3） ρ=m/V m：质量 V：体积
合力F合 （N） 方向相同：F合=F1+F2
方向相反：F合=F1—F2 方向相反时，F1>F2
浮力F浮
(N) F浮=G物—G视 G视：物体在液体的重力

浮力F浮
(N) F浮=G物 此公式只适用
物体漂浮或悬浮
浮力F浮
(N) F浮=G排=m排g=ρ液gV排 G排：排开液体的重力
m排：排开液体的质量
ρ液：液体的密度
V排：排开液体的体积
(即浸入液体中的体积)
杠杆的平衡条件 F1L1= F2L2 F1：动力 L1：动力臂
F2：阻力 L2：阻力臂
定滑轮 F=G物
S=h F：绳子自由端受到的拉力
G物：物体的重力
S：绳子自由端移动的距离
h：物体升高的距离
动滑轮 F= （G物+G轮）
S=2 h G物：物体的重力
G轮：动滑轮的重力
滑轮组 F= （G物+G轮）
S=n h n：通过动滑轮绳子的段数
机械功W
（J） W=Fs F：力
s：在力的方向上移动的距离
有用功W有
总功W总 W有=G物h
W总=Fs 适用滑轮组竖直放置时
机械效率 η= ×100%

功率P
（w） P=
W：功
t：时间
压强p
（Pa） P=
F：压力
S：受力面积
液体压强p
（Pa） P=ρgh ρ：液体的密度
h：深度（从液面到所求点
的竖直距离）
热量Q
（J） Q=cm△t c：物质的比热容 m：质量
△t：温度的变化值
燃料燃烧放出
的热量Q（J） Q=mq m：质量
q：热值
常用的物理公式与重要知识点
一．物理公式

单位） 公式 备注 公式的变形

串联电路
电流I（A） I=I1=I2=…… 电流处处相等
串联电路
电压U（V） U=U1+U2+…… 串联电路起
分压作用
串联电路
电阻R（Ω） R=R1+R2+……
并联电路
电流I（A） I=I1+I2+…… 干路电流等于各
支路电流之和（分流）
并联电路
电压U（V） U=U1=U2=……
并联电路
电阻R（Ω） = + +……

欧姆定律 I=
电路中的电流与电压
成正比，与电阻成反比
电流定义式 I=
Q：电荷量（库仑）
t：时间（S）
电功W
（J） W=UIt=Pt U：电压 I：电流
t：时间 P：电功率
电功率 P=UI=I2R=U2/R U:电压 I：电流
R：电阻
电磁波波速与波
长、频率的关系 C=λν C：波速（电磁波的波速是不变的，等于3×108m/s）
λ：波长 ν：频率
二．知识点
1． 需要记住的几个数值：
a．声音在空气中的传播速度：340m/s b光在真空或空气中的传播速度：3×108m/s
c．水的密度：1.0×103kg/m3 d．水的比热容：4.2×103J/（kg•℃）
e．一节干电池的电压：1.5V f．家庭电路的电压：220V
g．安全电压：不高于36V
2． 密度、比热容、热值它们是物质的特性，同一种物质这三个物理量的值一般不改变。例如：一杯水和一桶水，它们的的密度相同，比热容也是相同，
3．平面镜成的等大的虚像，像与物体 关于平面镜对称。
3． 声音不能在真空中传播，而光可以在真空中传播。
4． 超声：频率高于20000HZ的声音，例：蝙蝠，超声雷达；
5． 次声：火山爆发，地震，风爆，海啸等能产生次声，核爆炸，导弹发射等也能产生次声。
6． 光在同一种均匀介质中沿直线传播。影子、小孔成像，日食，月食都是光沿直线传播形成的。
7． 光发生折射时，在空气中的角总是稍大些。看水中的物，看到的是变浅的虚像。
8． 凸透镜对光起会聚作用，凹透镜对光起发散作用。
9． 凸透镜成像的规律：物体在2倍焦距之外成缩小、倒立的实像。在2倍焦距与1倍焦距之间，成倒立、放大的实像。 在1倍 焦距之内 ，成正立，放大的虚像。
10．滑动摩擦大小与压力和表面的粗糙程度有关。滚动摩擦比滑动摩擦小。
11．压强是比较压力作用效果的物理量，压力作用效果与压力的大小和受力面积有关。
12．输送电压时，要采用高压输送电。原因是：可以减少电能在输送线路上的损失。
13．电动机的原理：通电线圈在磁场中受力而转动。是电能转化为机械能 。
14．发电机的原理：电磁感应现象。机械能转化为电能。话筒，变压器是利用电磁感应原理。
15．光纤是传输光的介质。
16．磁感应线是从磁体的N极发出，最后回到S极
下面更清楚些
1、匀速直线运动的速度公式：
求速度：v=s/t
求路程：s=vt
求时间：t=s/v

2、变速直线运动的速度公式：v=s/t

3、物体的物重与质量的关系：G=mg （g=9.8N/kg）

4、密度的定义式

求物质的密度：ρ=m/V
求物质的质量：m=ρV
求物质的体积：V=m/ρ

4、压强的计算。
定义式：p=F/S（物质处于任何状态下都能适用）
液体压强：p=ρgh（h为深度）
求压力：F=pS
求受力面积：S=F/p

5、浮力的计算
称量法：F浮=G—F
公式法：F浮=G排=ρ排V排g
漂浮法：F浮=G物（V排＜V物）
悬浮法：F浮=G物（V排=V物）

6、杠杆平衡条件：F1L1=F2L2

7、功的定义式：W=Fs

8、功率定义式：P=W/t
对于匀速直线运动情况来说：P=Fv （F为动力）

9、机械效率：η=W有用/W总

对于提升物体来说：
W有用=Gh（h为高度）
W总=Fs

10、斜面公式：FL=Gh

11、物体温度变化时的吸热放热情况
Q吸=cmΔt （Δt=t-t0）
Q放=cmΔt （Δt=t0-t）
12、燃料燃烧放出热量的计算：Q放=qm

13、热平衡方程：Q吸=Q放

14、热机效率：η=W有用/ Q放 （ Q放=qm）

15、电流定义式：I=Q/t （ Q为电量，单位是库仑 ）

16、欧姆定律：I=U/R
变形求电压：U=IR
变形求电阻：R=U/I

17、串联电路的特点：（以两纯电阻式用电器串联为例）
电压的关系：U=U1+U2
电流的关系：I=I1=I2
电阻的关系：R=R1+R2

18、并联电路的特点：（以两纯电阻式用电器并联为例）
电压的关系：U=U1=U2
电流的关系：I=I1+I2
电阻的关系：1/R=1/R1+1/R2

19、电功的计算：W=UIt

20、电功率的定义式：P=W/t
常用公式：P=UI

21、焦耳定律：Q放=I2Rt

对于纯电阻电路而言：Q放=I2Rt =U2t/R=UIt=Pt=UQ=W

22、照明电路的总功率的计算：P=P1+P1+……

㈨ 【十万火急】求大神帮忙设计一个直流稳压电源

这个电路可以3-12伏可调，所以需要3份相同的电路，分别调到3伏、5伏、10伏即可。

㈩ 两题电路题目... 求解答TOT (有图~)

第1,L1和L2亮，L3和L4暗
第2,1/8A