可控硅驱动电路

『壹』 超大电流双向可控硅驱动电路

具体可看下双向可控硅触发电路，有4象限触发方式，且只有一个控制脚，该电路直接用交流降压作为触发信号

『贰』 场效应管和可控硅驱动电路一样吗

他们的驱动电路是有本质上的区别，首先场效应管通常分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管，可控硅通常分为单向可控硅和双向可控硅（可控硅也叫晶闸管，可分单向晶闸管和双向晶闸管），其中绝缘栅型场效应管也叫MOS管（有一种场效应管、三极管混合的器件叫IGBT俗称门控管，该器件的驱动电路与场效应管的驱动电路几乎一样），这种驱动属于电压驱动，在大多应用在功率输出、电力变换等场合，要求最好采用PWM（脉宽调制）信号来控制，其输入到栅极的方波上升沿要求陡峭（也称图腾柱输出），并且要有一定的瞬态驱动能力（因为场效应管的栅极等效一个电容，当驱动信号的瞬态功率不够时，其原本的波形将被改变，通常等效为一个积分器），要求导通时，其栅极电压要相对于源极高10-20V左右，典型值15V，而关断时为了保证场效应管关断可靠，该电压此时应该为-15V，在实际应用中为了减小场效应管的功耗过大或防止其损坏一般要加如过流保护和相关吸收电路，并且尽量做到场效应管的工作频率与负载的谐振频率相同，典型应用就是电磁炉，流过炉盘（加热线圈）的电流与流过吸收电容的电流各自虽然都很大，但相位不同，互相抵消，经叠加后的总电流较小，即流过场效应管（实际用IGBT）的电流较小。下图为场效应管的典型驱动电路：

『叁』 可控硅控制电路

有专门的触发器的，单相。三相都有

『肆』 关于MOC3021驱动双向可控硅典型应用电路的问题

MC3021之2脚为低电平时双向可控硅导通，当它为高电平时，交流电的下一个过零点后截止。
RC的值图上已有标准值。
两电阻的功率没有明确经验值，1/4W貌似也可以正常工作。

『伍』 可控硅驱动电路

光耦的应该会有两个电源的是吧？！一个高电压，一个低电压，可以隔离开来，这样安全性能比较高；
脉冲变压器的话，一个电源搞定，方便省事。
各有好处，看用在什么情况了。。。

『陆』 如何驱动双向可控硅使其控制电源通断

双向可控硅是一种功率半导体器件，也称双向晶闸管，在单片机控制系统中，可作为功率驱动器件，由于双向可控硅没有反向耐压问题，控制电路简单，因此特别适合做交流无触点开关使用。双向可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器，且连接在强电网络中，其触发电路的抗干扰问题很重要，通常都是通过光电耦合器将单片机控制系统中的触发信号加载到可控硅的控制极。为减小驱动功率和可控硅触发时产生的干扰，交流电路双向可控硅的触发常采用过零触发电路。过零触发是指在电压为零或零附近的瞬间接通。由于采用过零触发，因此上述电路还需要正弦交流电过零检测电路。

1 过零检测电路

电路设计如图1 所示，为了提高效率，使触发脉冲与交流电压同步，要求每隔半个交流电的周期输出一个触发脉冲，且触发脉冲电压应大于4V ，脉冲宽度应大于20us.图中BT 为变压器，TPL521 - 2 为光电耦合器，起隔离作用。当正弦交流电压接近零时，光电耦合器的两个发光二极管截止，三极管T1基极的偏置电阻电位使之导通，产生负脉冲信号，T1的输出端接到单片机80C51 的外部中断0 的输入引脚，以引起中断。在中断服务子程序中使用定时器累计移相时间，然后发出双向可控硅的同步触发信号。过零检测电路A、B 两点电压输出波形如图2 所示。

原理简介：

1.可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成。当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。

2，由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化，条件如下：

A、从关断到导通1、阳极电位高于是阴极电位，2、控制极有足够的正向电压和电流，两者缺一不可。

B、维持导通1、阳极电位高于阴极电位，2、阳极电流大于维持电流，两者缺一不可。

C、从导通到关断1、阳极电位低于阴极电位，2、阳极电流小于维持电流，任一条件即可。

『柒』 可控硅控制电路问题

附图是MOC3061应用实例，用来对照。

R49是可控硅控制极的限流电阻。R48用来防止可控硅误触发。R47和C41组成RC吸收回路，不让瞬间过压造成可控硅误导通或损坏。

『捌』 三极管驱动双向可控硅电路

可控硅和SIP2互换位置，可控硅T1脚接直流电的负极。还有那MCU的2脚即ⅤCC脚串联一个电容，那直流电源也不通啊，MCU没有电源哪。把MCU的2脚要接在稳压管负极上，即VCC那点上。

『玖』 可控硅驱动脉冲驱动不了

1.可控硅的电压不够
2可控硅的带载能力不够，驱动不了。
3.可控硅损坏

『拾』 我现在有一个可控硅控制电路，驱动是用的只有几伏电压，为什么可控硅输出只有100多伏。

驱动电压不能满足可控硅要求的话是无法导通的