❶ 三相可控硅整流电路单个可控硅的最大电流是多少
可控硅要导通需要满足两个条件： 1、可控硅上加入正向电压2、导通初期控制极要有足够电流 2、即使六个可控硅全部加入触发电流，由于三相相关120差的交流电压，也会同样出现轮流导通的情况。即相当于全波整流。（注：全波整流也不是所有二极管同时导通）全波整流是一种对交流整流的电路。在这种整流电路中，在半个周期内，电流流过一个整流器件（比如晶体二极管），而在另一个半周内，电流流经第二个整流器件，并且两个整流器件的连接能使流经它们的电流以同一方向流过负载。全波整流整流前后的波形与半波整流所不同的，是在全波整流中利用了交流的两个半波，这就提高了整流器的效率，并使已整电流易于平滑。因此在整流器中广泛地应用着全波整流。在应用全波整流器时其电源变压器必须有中心抽头。无论正半周或负半周，通过负载电阻R的电流方向总是相同的。
❷ 关于可控硅的半波导通和全波导通的问题
自己画个波形图不就什么都明白了吗！
全波导通—可控硅触发以后，整个波形就是正弦波，在示波器上就是一条正弦曲线。
半波导通—分两种情况，一种是正半周导通，即在横轴的上方导通，示波器上显示都是往上凸的曲线，两曲线之间差180度相位
另一种是负半周导通，即在横轴的下方导通，示波器上显示都是往下凸的曲线，两曲线之间差180度相位。
其原理和电源电路里的二极管全波整流和半波整流是一样的
❸ 可控硅电路原理
一、可控硅的概念和结构？
晶闸管又叫可控硅(Silicon Controlled Rectifier, SCR)。自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族，它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管，等等。今天大家使用的是单向晶闸管，也就是人们常说的普通晶闸管，它是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电极〔图2(a)〕：第一层P型半导体引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号〔图2(b)〕可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制极G，这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。
可控硅
二、晶闸管的主要工作特性
为了能够直观地认识晶闸管的工作特性，大家先看这块示教板(图3)。晶闸管VS与小灯泡EL串联起来，通过开关S接在直流电源上。注意阳极A是接电源的正极，阴极K接电源的负极，控制极G通过按钮开关SB接在3V直流电源的正极(这里使用的是KP5型晶闸管，若采用KP1型，应接在1.5V直流电源的正极)。晶闸管与电源的这种连接方式叫做正向连接，也就是说，给晶闸管阳极和控制极所加的都是正向电压。现在我们合上电源开关S，小灯泡不亮，说明晶闸管没有导通；再按一下按钮开关SB，给控制极输入一个触发电压，小灯泡亮了，说明晶闸管导通了。这个演示实验给了我们什么启发呢?可控硅
这个实验告诉我们，要使晶闸管导通，一是在它的阳极A与阴极K之间外加正向电压，二是在它的控制极G与阴极K之间输入一个正向触发电压。晶闸管导通后，松开按钮开关，去掉触发电压，仍然维持导通状态。
晶闸管的特点： 是“一触即发”。但是，如果阳极或控制极外加的是反向电压，晶闸管就不能导通。控制极的作用是通过外加正向触发脉冲使晶闸管导通，却不能使它关断。那么，用什么方法才能使导通的晶闸管关断呢?使导通的晶闸管关断，可以断开阳极电源(图3中的开关S)或使阳极电流小于维持导通的最小值(称为维持电流)。如果晶闸管阳极和阴极之间外加的是交流电压或脉动直流电压，那么，在电压过零时，晶闸管会自行关断。
怎样测试晶闸管的好坏
三、用万用表可以区分晶闸管的三个电极吗?怎样测试晶闸管的好坏呢?
普通晶闸管的三个电极可以用万用表欧姆挡R×100挡位来测。大家知道，晶闸管G、K之间是一个PN结〔图2(a)〕，相当于一个二极管，G为正极、K为负极，所以，按照测试二极管的方法，找出三个极中的两个极，测它的正、反向电阻，电阻小时，万用表黑表笔接的是控制极G，红表笔接的是阴极K，剩下的一个就是阳极A了。测试晶闸管的好坏，可以用刚才演示用的示教板电路(图3)。接通电源开关S，按一下按钮开关SB，灯泡发光就是好的，不发光就是坏的。
四、晶闸管在电路中的主要用途是什么?
普通晶闸管最基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。如果把二极管换成晶闸管，就可以构成可控整流电路、逆变、电机调速、电机励磁、无触点开关及自动控制等方面。现在我画一个最简单的单相半波可控整流电路〔图4(a)〕。在正弦交流电压U2的正半周期间，如果VS的控制极没有输入触发脉冲Ug，VS仍然不能导通，只有在U2处于正半周，在控制极外加触发脉冲Ug时，晶闸管被触发导通。现在，画出它的波形图〔图4(c)及(d)〕，可以看到，只有在触发脉冲Ug到来时，负载RL上才有电压UL输出(波形图上阴影部分)。Ug到来得早，晶闸管导通的时间就早；Ug到来得晚，晶闸管导通的时间就晚。通过改变控制极上触发脉冲Ug到来的时间，就可以调节负载上输出电压的平均值UL(阴影部分的面积大小)。在电工技术中，常把交流电的半个周期定为180°，称为电角度。这样，在U2的每个正半周，从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α；在每个正半周内晶闸管导通的电角度叫导通角θ。很明显，α和θ都是用来表示晶闸管在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ，改变负载上脉冲直流电压的平均值UL，实现了可控整流。
可控硅
五、在桥式整流电路中，把二极管都换成晶闸管是不是就成了可控整流电路了呢?
在桥式整流电路中，只需要把两个二极管换成晶闸管就能构成全波可控整流电路了。现在画出电路图和波形图(图5)，就能看明白了。
六、晶闸管控制极所需的触发脉冲是怎么产生的呢?
晶闸管触发电路的形式很多，常用的有阻容移相桥触发电路、单结晶体管触发电路、晶体三极管触发电路、利用小晶闸管触发大晶闸管的触发电路，等等。今天大家制作的调压器，采用的是单结晶体管触发电路。
七、什么是单结晶体管?它有什么特殊性能呢?
单结晶体管又叫双基极二极管，是由一个PN结和三个电极构成的半导体器件(图6)。我们先画出它的结构示意图〔图7(a)〕。在一块N型硅片两端，制作两个电极，分别叫做第一基极B1和第二基极B2；硅片的另一侧靠近B2处制作了一个PN结，相当于一只二极管，在P区引出的电极叫发射极E。为了分析方便，可以把B1、B2之间的N型区域等效为一个纯电阻RBB，称为基区电阻，并可看作是两个电阻RB2、RB1的串联〔图7(b)〕。值得注意的是RB1的阻值会随发射极电流IE的变化而改变，具有可变电阻的特性。如果在两个基极B2、B1之间加上一个直流电压UBB，则A点的电压UA为：若发射极电压UE<UA，二极管VD截止；当UE大于单结晶体管的峰点电压UP(UP=UD＋UA)时，二极管VD导通，发射极电流IE注入RB1，使RB1的阻值急剧变小，E点电位UE随之下降，出现了IE增大UE反而降低的现象，称为负阻效应。发射极电流IE继续增加，发射极电压UE不断下降，当UE下降到谷点电压UV以下时，单结晶体管就进入截止状态。
八、怎样利用单结晶体管组成晶闸管触发电路呢?
单结晶体管组成的触发脉冲产生电路在今天大家制作的调压器中已经具体应用了。为了说明它的工作原理，我们单独画出单结晶体管张弛振荡器的电路(图8)。它是由单结晶体管和RC充放电电路组成的。合上电源开关S后，电源UBB经电位器RP向电容器C充电，电容器上的电压UC按指数规律上升。当UC上升到单结晶体管的峰点电压UP时，单结晶体管突然导通，基区电阻RB1急剧减小，电容器C通过PN结向电阻R1迅速放电，使R1两端电压Ug发生一个正跳变，形成陡峭的脉冲前沿〔图8(b)〕。随着电容器C的放电，UE按指数规律下降，直到低于谷点电压UV时单结晶体管截止。这样，在R1两端输出的是尖顶触发脉冲。此时，电源UBB又开始给电容器C充电，进入第二个充放电过程。这样周而复始，电路中进行着周期性的振荡。调节RP可以改变振荡周期。
九、在可控整流电路的波形图中，发现晶闸管承受正向电压的每半个周期内，发出第一个触发脉冲的时刻都相同，也就是控制角α和导通角θ都相等，那么，单结晶体管张弛振荡器怎样才能与交流电源准确地配合以实现有效的控制呢?
为了实现整流电路输出电压“可控”，必须使晶闸管承受正向电压的每半个周期内，触发电路发出第一个触发脉冲的时刻都相同，这种相互配合的工作方式，称为触发脉冲与电源同步。
怎样才能做到同步呢?大家再看调压器的电路图(图1)。请注意，在这里单结晶体管张弛振荡器的电源是取自桥式整流电路输出的全波脉冲直流电压。在晶闸管没有导通时，张弛振荡器的电容器C被电源充电，UC按指数规律上升到峰点电压UP时，单结晶体管VT导通，在VS导通期间，负载RL上有交流电压和电流，与此同时，导通的VS两端电压降很小，迫使张弛振荡器停止工作。当交流电压过零瞬间，晶闸管VS被迫关断，张弛振荡器得电，又开始给电容器C充电，重复以上过程。这样，每次交流电压过零后，张弛振荡器发出第一个触发脉冲的时刻都相同，这个时刻取决于RP的阻值和C的电容量。调节RP的阻值，就可以改变电容器C的充电时间，也就改变了第一个Ug发出的时刻，相应地改变了晶闸管的控制角，使负载RL上输出电压的平均值发生变化，达到调压的目的。
双向晶闸管的T1和T2不能互换。否则会损坏管子和相关的控制电路。
十、可控硅元件的工作原理及基本特性电路
可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件,共有三个PN结,分析原理时,可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成,其等效图解如图1所示
图1 可控硅等效图解图
当阳极A加上正向电压时,BG1和BG2管均处于放大状态。此时,如果从控制极G输入一个正向触发信号,BG2便有基流ib2流过,经BG2放大,其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连,所以ib1=ic2。此时,电流ic2再经BG1放大,于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极,表成正反馈,使ib2不断增大,如此正向馈循环的结果,两个管子的电流剧增,可控硅使饱和导通。
由于BG1和BG2所构成的正反馈作用, 可控硅导通后,即使控制极G的电流消失了,可控硅仍然能够维持导通状态,由于触发信号只起触发作用,没有关断功能,所以这种可控硅是不可关断c 所以一旦的。
由于可控硅只有导通和关断两种工作状态,所以它具有开关特性,这种特性需要一定的条件才能转化,此条件见表1
表1 可控硅导通和关断条件
状态 条件 说明
从关断到导通 1、阳极电位高于是阴极电位
2、控制极有足够的正向电压和电流
两者缺一不可
维持导通 1、阳极电位高于阴极电位
2、阳极电流大于维持电流
两者缺一不可
从导通到关断 1、阳极电位低于阴极电位
2、阳极电流小于维持电流
任一条件即可
2、基本伏安特性
可控硅的基本伏安特性见图2
图2 可控硅基本伏安特性
（1）反向特性
当控制极开路,阳极加上反向电压时（见图3）,J2结正偏,但J1、J2结反偏。此时只能流过很小的反向饱和电流,当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后,接差J3结也击穿,电流迅速增加,图3的特性开始弯曲,如特性OR段所示,弯曲处的电压URO叫“反向转折电压”。此时,可控硅会发生永久性反向击穿。
图3 阳极加反向电压
（2）正向特性
当控制极开路,阳极上加上正向电压时（见图4）,J1、J3结正偏,但J2结反偏,这与普通PN结的反向特性相似,也只能流过很小电流,这叫正向阻断状态,当电压增加,图3的特性发生了弯曲,如特性OA段所示,弯曲处的是UBO叫：正向转折电压
图4 阳极加正向电压
由于电压升高到J2结的雪崩击穿电压后,J2结发生雪崩倍增效应,在结区产生大量的电子和空穴,电子时入N1区,空穴时入P2区。进入N1区的电子与由P1区通过J1结注入N1区的空穴复合,同样,进入P2区的空穴与由N2区通过J3结注入P2区的电子复合,雪崩击穿,进入N1区的电子与进入P2区的空穴各自不能全部复合掉,这样,在N1区就有电子积累,在P2区就有空穴积累,结果使P2区的电位升高,N1区的电位下降,J2结变成正偏,只要电流稍增加,电压便迅速下降,出现所谓负阻特性,见图3的虚线AB段。
这时J1、J2、J3三个结均处于正偏,可控硅便进入正向导电状态---通态,此时,它的特性与普通的PN结正向特性相似,见图2中的BC段
3、触发导通
在控制极G上加入正向电压时（见图5）因J3正偏,P2区的空穴时入N2区,N2区的电子进入P2区,形成触发电流IGT。在可控硅的内部正反馈作用（见图2）的基础上,加上IGT的作用,使可控硅提前导通,导致图3的伏安特性OA段左移,IGT越大,特性左移越快。
图5 阳极和控制极均加正向电压
十一、可控硅参数符号
参数符号说明:
IT(AV)--通态平均电流
VRRM--反向重复峰值电压
IDRM--断态重复峰值电流
ITSM--通态一个周波不重复浪涌电流
VTM--通态峰值电压
IGT--门极触发电流
VGT--门极触发电压
IH--维持电流
dv/dt--断态电压临界上升率
di/dt--通态电流临界上升率
Rthjc--结壳热阻
VISO--模块绝缘电压
Tjm--额定结温
VDRM--通态重复峰值电压
IRRM--反向重复峰值电流
IF(AV)--正向平均电流
十二、如何鉴别可控硅的三个极
鉴别可控硅三个极的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。
阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通）。
控制极与阴极之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻断状态的，可以有比较大的电流通过，因此，有时测得控制极反向电阻比较小，并不能说明控制极特性不好。另外，在测量控制极正反向电阻时，万用表应放在R*10或R*1挡，防止电压过高控制极反向击穿。
若测得元件阴阳极正反向已短路，或阳极与控制极短路，或控制极与阴极反向短路，或控制极与阴极断路，说明元件已损坏。
可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件。实际上，可控硅的功用不仅是整流，它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电，等等。可控硅和其它半导体器件一样，其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。
一、 可控硅的结构和特性
■可控硅从外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三种（见图表-25）。螺旋式的应用较多。
■可控硅有三个电极----阳极（A）阴极（C）和控制极（G）。它有管芯是P 型导体和N 型导体交迭组成的四层结构，共有三个PN 结。其结构示意图和符号见图表-26。
■从图表-26中可以看到，可控硅和只有一个PN 结的硅整流二极度管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引用，为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。在应用可控硅时，只要在控制极加上很小的电流或电压，就能控制很大的阳极电流或电压。目前已能制造出电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。
■可控硅为什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我们用图表-27来简单分析可控硅的工作原理。
■首先，我们可以把从阴极向上数的第一、二、三层看面是一只NPN 型号晶体管，而二、三四层组成另一只PNP 型晶体管。其中第二、第三层为两管交迭共用。这样就可画出图表-27（C）的等效电路图来分析。当在阳极和阴极之间加上一个正向电压Ea ，又在控制极G和阴极C之间（相当BG1 的基一射间）输入一个正的触发信号，BG1 将产生基极电流Ib1 ，经放大，BG1 将有一个放大了β1 倍的集电极电流IC1 。因为BG1 集电极与BG2 基极相连，IC1 又是BG2 的基极电流Ib2 。BG2 又把比Ib2 （Ib1 ）放大了β2 的集电极电流IC2 送回BG1 的基极放大。如此循环放大，直到BG1 、BG2 完全导通。实际这一过程是“一触即发”的过程，对可控硅来说，触发信号加入控制极，可控硅立即导通。导通的时间主要决定于可控硅的性能。
■可控硅一经触发导通后，由于循环反馈的原因，流入BG1 基极的电流已不只是初始的Ib1 ，而是经过BG1 、BG2 放大后的电流（β1 *β2 *Ib1 ）这一电流远大于Ib1 ，足以保持BG1 的持续导通。此时触发信号即使消失，可控硅仍保持导通状态只有断开电源Ea 或降低Ea ，使BG1 、BG2 中的集电极电流小于维持导通的最小值时，可控硅方可关断。当然，如果Ea 极性反接，BG1 、BG2 由于受到反向电压作用将处于截止状态。这时，即使输入触发信号，可控硅也不能工作。反过来，Ea 接成正向，而触动发信号是负的，可控硅也不能导通。另外，如果不加触发信号，而正向阳极电压大到超过一定值时，可控硅也会导通，但已属于非正常工作情况了。
■可控硅这种通过触发信号（小的触发电流）来控制导通（可控硅中通过大电流）的可控特性，正是它区别于普通硅整流二极管的重要特征。
[编辑本段]二、可控硅的主要参数
可控硅的主要参数有：
1、 额定通态平均电流IT在一定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。
2、 正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值。
3、 反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值。
4、 控制极触发电流Ig1 、触发电压VGT在规定的环境温度下，阳极---阴极间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的最小控制极电流和电压。
5、 维持电流IH在规定温度下，控制极断路，维持可控硅导通所必需的最小阳极正向电流。
■近年来，许多新型可控硅元件相继问世，如适于高频应用的快速可控硅，可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅，可以用正触发信号使其导通，用负触发信号使其关断的可控硅等等。
可控硅
可控硅是硅可控整流元件的简称，亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件。
可控硅的分类
按其工作特性，可控硅（THYRISTOR)可分为普通可控硅（SCR）即单向可控硅、双向可控硅（TRIAC)和其它特殊可控硅。
可控硅的触发
过零触发-一般是调功，即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发，必须是过零点才触发，导通可控硅。
非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅，常见的是移相触发，即通过改变正弦交流电的导通角（角相位），来改变输出百分比。
可控硅的主要参数:
1. 额定通态电流（IT)即最大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。
2. 反向重复峰值电压（VRRM)或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。
3. 控制极触发电流（IGT)，俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。
可控硅的常用封装形式
常用可控硅的封装形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220AB、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252等。
可控硅的主要厂家
主要厂家品牌：ST，NXP/PHILIPS，NEC，ON/MOTOROLA，RENESAS/MITSUBISHI，LITTELFUSE/TECCOR，TOSHIBA，JX ，SANREX，SANKEN ，SEMIKRON ，EUPEC，IR迪昌科技，北京瑞田达技贸有限责任公司等。
❹ 三相全波可控硅波形图
Va,Va1,Va2是三相电源，星点接地，并且整流桥的直流输出负极接地了。这样的接法是三相半控桥式电路，不是三相全控桥式电路。
改正办法：Va,Va1,Va2三相电源的公共点和直流负端不同时接地，只能一点接地。
❺ 请问老师 这个 这个全波可控 SCR整流电路 和普通的整流电路 用处上有什么差别，它用在哪里
这是一种通过双基二极管触发可控硅的不同的导通角来实现直流调压的的电路，图中是用来调节白灼灯亮度的。
呵呵！这是至少40年前的电路了，现在根本不会用，了解一下也好。
❻ 可控硅调压整流桥线路图谁有请赐教
网上一搜一大堆，你试过没有？
网页链接，网页链接。
❼ 三相可控硅全控桥式整流带滤波电容的原理图
楼上的大哥说了很详细了
不允许接低通滤波电容！但完全可以接入高通滤波电容。
❽ 求教可控硅和IGBT整流的原理和电路实现方法
一种大容量IGBT整流器控制技术1引言随着现代微电子、功率元件、计算机的发展，整流器结构及其控制技术也得到了迅猛的进步。从二极管整流、可控硅整流，再到大容量igbt整流器，各种整流器都得到实际的应用。针对不同的技术需求，选择不同的整流结构，同时采纳了各种先进的控制技术。因此基于功率元件的通流能力和耐压水平，选择某种结构的整流器在传动系统中至关重要;而其软件控制技术也保障了传动设备在现场安全运行。2大容量igbt整流器在大型冷轧厂的应用某冷轧厂主轧机五机架，主马达功率最大为5750kw。包括卷曲机在内，总共采用了6套大容量传动系统。在大容量传动系统中，采用日立矢量变频调速控制系统，其中整流器和逆变器功率元件均采用三菱3.3kv/1.2ka规格的igbt。每台整流器采用独立直流母线给逆变器供电，而中容量和小容量传动系统则采用公共直流母线。在整流器中采用pwm控制方式以及igbt功率元件，一方面其高功率因数节省电能的同时，另一方面能够减少谐波，因此省去部分svc装置。这套变频装置具有输出电压谐波小，功率因数高，调速精度高，系统动态特性好等诸多优点。同时由于全数字控制方式，整套系统在工艺调整、日常维护等方面简洁方便并能准确查找故障。3igbt整流器控制原理igbt整流器一方面用来将电网电压整流成直流电压送往逆变器;同时也可以将反向制动产生的能量通过igbt逆变成网侧频率电压送往电网。在igbt模块中，与igbt元件还并联一个二极管。此二极管在逆变器中常作续流二极管，将马达反向制动过程的机械能量反馈回逆变输入侧。而在igbt整流器中，整流过程主要是依靠二极管进行全波整流，并不是依靠igbt进行整流，也不进行调压，调频调压主要由逆变器实现;igbt元件的功能主要体现在提高功率因数为1，同时将系统回馈能量逆变成工频电压反馈回电网,如图1所示。图1大容量igbt整流器主回路3.1日立变频器三电平pwm控制技术整流器采用三电平系统整流电路，它将输出直流电压为edc通过钳位二极管分为+edc/2、0和-edc/2三电平。采用三电平系统，可以有效的降低每个igbt承受的压降，从而提高整流器容量。在三电平控制系统中，门极指令逻辑见表1。图2为整流器的控制信号和波形示意图。通过双极性载波信号与一同步交流电压比较，输出门极控制脉宽调制信号，按照表1的指令逻辑，来控制igbt的导通[1]。表1igbt控制指令逻辑图2igbt控制指令及波形五机架中大马达额定电压达1750v，额定电流可达1553a。这么高的电压和大电流，如果采用高频载波频率，igbt发热量也较高，对igbt装置的损伤就较大。为了减少igbt的发热量以延长使用寿命，为此载波频率采用相对较低至600hz。但是这种控制方式带来的结果可能会使输出的电压波形失真较高，影响控制精度等问题。为解决这个问题，采用预见性pwm控制技术，即先预测采用600hz频率的载波频率会给输出pwm波带来多少误差，然后通过控制回路输出的pwm波形对其进行补偿，使输出的电压波形更接近正弦波[1]。3.2输出电压控制结构[1]图3整流器数字控制系统框架图图3为整流器数字控制系统框架图，其所含基本结构如下:(1)自动电压调节器(avr)avr控制可以在负载或电网波动时，通过反馈电压和和指令电压进行比较控制，保证输出直流电压与指令一致。avr采用比例积分pi环节，avr的输出作为整流器矢量控制中有功电流的给定。(2)负荷补偿整流装置采用负荷补偿环节，当负荷变化引起直流电压波动时，该环节通过反馈到输入环节可以减小该波动。负荷补偿计算逆变器侧功率的消耗变换，将功率波动计算结果作为整流器控制输入的一部分，改变有功电流的给定，减少直流电压的变化。(3)同步电源与pwm同步电源通过将网侧电源变压后得到;同步电源与高频载波信号通过比较结构产生pwm。由于该系统为数字系统，在pwm的产生过程中，考虑到高功率因数的控制，采用了矢量控制技术，将网侧无功控制为0。3.3谐波控制技术pwm变频器输出波形以接近正弦为目的，但是其输出电压中不可避免存在着谐波。对于制动能量反馈回电网的波形中也一样存在。产生谐波的主要原因是:（1)在工程应用中，对pwm波形的生成往往采用规则采样法或者专用集成电路器件，并不能保证脉宽调制序列波的波形面积与各段正弦波面积相等;(2)在实现控制时，为了防止逆变器同一桥臂上、下两器件的同时导通而导致直流侧短路，设置了一个导通时滞环节，这些因素不可避免的造成输出波形有所失真[2][3]。对pwm波形作傅氏级数分析，可求得其k次谐波相电压幅值的表达式为:其中:us—变频器直流电压;αi—以相位角表示的第i个脉冲起始/终了时刻;m—同步电压半个周期内pwm脉冲波的个数。从上述公式可以看出，pwm整流器所带来高次谐波的数量与载波的相位有很大关系。对于同一电网下多组大容量整流器运行，采用控制每组间载波相位差相配合，可以很好的消除一些谐波。假设两组整流器运行在同一电网下，图4为载波相位关系。图(a)中两个整流器单元载波相位相同，所以两整流器产生的谐波也同相，因此体现在该系统电网上的谐波为它们之和;图(b)中两整流器载波相位相差180o(假设一个载波周期对应360o)，那么两个整流器系统产生的某次谐波相位也将相差180o，幅值相反，则产生在电网上的合成谐波幅值则接近0。因此，对于n次谐波来说，可以通过设置同一电网下不同整流器载波相位差δφ并配合，来减少系统所产生的谐波[1]。，其中m为整流器单元个数。图4载波相位与谐波的关系原理图图5现场调整载波相位前后电压波形图图5中所示的两个现场测试波形图，图a为整流器控制中未调整载波相位配合时谐波对网侧的影响;图b为将酸轧、连退和镀锌三条机组的整流器的pwm载波相位调整配合后网侧输入点电压波形。因为现场整流器数量较多且复杂，每个整流器组具体调整的相位差由日方进行仿真得出。可以看出，调整载波相位配合后，谐波对网侧电压的影响明显减小。3.4高功率因数控制技术功率因数控制在变频器控制中是一个重要课题，对于电机节能有重要意义。但是变频器功率元件和控制方式的不同，其整流电路的功率因数也不尽相同。见表2。表2不同整流器的功率因数及特点[2][3]③功率可以双向传递,具有再生能力对于功率因数高的要求，便选择pwm了整流电路，其中功率元件采用了igbt功率元件。通过基于igbt的控制系统可以很好的将功率因数控制为1，将能量从网侧几乎全部传递到马达，同时将在反向制动时将能量反馈回电网。在这个功率因数控制中，采用矢量控制技术。其中电流调节器检出电源侧电流，通过(u,v,w)到(dfb,qfb)变换，将它分解为与电源电压同相的有功分量iqf和与电源电压正交的无功分量idfb。而将给定id*设定为0，并控制参数使两个反馈值与给定值iq*和id*一致。由此，可以使输入电压与电流同相，也就是功率因数为1。另外，将自动电压调节器和负荷补偿环节的输出作为有功电流给定来控制整流器输出。图6为功率因数控制过程中整流器矢量图，图a为非高功率因数参数矢量图，可见vs和is相位不一致，所以输入功率因数小于1;图b为对整流器矢量控制后的矢量图，vs和is被控制到同一相位，使输入功率因数为1。图6整流器向量图4结束语这套大容量高功率因数整流器在冷轧厂的成功应用，保证了生产的稳定运行。在试运行阶段，系统运行稳定，操作维护方便简洁。在其控制系统中，运用了大量的新技术，低载波频率和载波相位配合等技术的应用有效降低了谐波对电网的影响;同时，矢量控制高功率因数技术，保证了网侧输入功率因数达到1.0。