电路工艺角

㈠ 超大规模集成电路的发展现状

截至2012年晚期，数十亿级别的晶体管处理器已经得到商用。随着半导体制造工艺从32纳米水平跃升到下一步22纳米，这种集成电路会更加普遍，尽管会遇到诸如工艺角偏差之类的挑战。值得注意的例子是英伟达的GeForce 700系列的首款显示核心，代号‘GK110’的图形处理器，采用了全部71亿个晶体管来处理数字逻辑。而Itanium的大多数晶体管是用来构成其3千两百万字节的三级缓存。Intel Core i7处理器的芯片集成度达到了14亿个晶体管。所采用的设计与早期不同的是它广泛应用电子设计自动化工具，设计人员可以把大部分精力放在电路逻辑功能的硬件描述语言表达形式，而功能验证、逻辑仿真、逻辑综合、布局、布线、版图等可以由计算机辅助完成。

㈡ mos工艺中工艺角（ttffss）都是代表什么

由于工艺偏来差，即使在同一圆片源上的芯片，就是不同位置的器件属性会有所不同，就拿MOS管来说（电阻、电容类似)，会有FF、SS、TT、FNSP、SNFP情形，表现出来的特性除了阈值电压不一样以外，还有其他一些参数会有所不同，详情可参见Spicemodel工艺文件.Foundry提供这些工艺角是因为他们的工艺在制作过程中会有所偏差，所以我们在设计芯片时需要考虑工艺偏差，在设计阶段使其在各种工艺角下都能正常工作，这样才能使最后的芯片可靠。
拉扎维，模拟CMOS集成电路设计，中文版，490页
单一器件所测的结果为正态分布，均值为tt，最小最大限制值为ss与ff。

㈢ 请教工艺角问题

由于工艺偏差，即使在同一圆片上的芯片，就是不同位置的器件属性会有所不同，回就拿MOS管来说（电阻答、电容类似)，会有FF、SS、TT、FNSP、SNFP情形，表现出来的特性除了阈值电压不一样以外，还有其他一些参数会有所不同，详情可参见Spicemodel工艺文件.Foundry提供这些工艺角是因为他们的工艺在制作过程中会有所偏差，所以我们在设计芯片时需要考虑工艺偏差，在设计阶段使其在各种工艺角下都能正常工作，这样才能使最后的芯片可靠。
拉扎维，模拟CMOS集成电路设计，中文版，490页
单一器件所测的结果为正态分布，均值为tt，最小最大限制值为ss与ff。

㈣ 怎么制作开关电源ic

电源ic是指开关电源的脉宽控制集成来,电源靠它自来调整输出电压电流的稳定.
开关电源是一种电压转换电路，主要的工作内容是升压和降压，广泛应用于现代电子产品。因为开关三极管总是工作在
“开”
和“关”
的状态，所以叫开关电源。开关电源实质就是一个振荡电路，这种转换电能的方式，不仅应用在电源电路，在其它的电路应用也很普遍，如液晶显示器的背光电路、日光灯等。开关电源与变压器相比具有效率高、稳性好、体积小
开关电源简化图等优点，缺点是功率相对较小，而且会对电路产生高频干扰，电路复杂不易维修等开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关电源一般由脉冲宽度调制（pwm）控制ic和mosfet构成。开关电源和线性电源相比，二者的成本都随着输出功率的增加而增长，但二者增长速率各异。

㈤ 目前使用的计算机采用( )为主要电子元器件。

是D。

如果是A的话那么计算机的体积至少要比现在大上万倍，而且功能也不多，工作也不稳定。

如果是B那体积也要比现在大上百倍，而且操作比较难。

至于C晶体管，想要用晶体管制造一台如今的计算机那需要用几千万亿个晶体管，不要说使用单是制造一台电脑就需要很长的时间，成本也会很高，体积也要比现在的大几千倍。所以正确的答案应该是D。

(5)电路工艺角扩展阅读：

硬件方面，逻辑元件采用大规模和超大规模集成电路（LSI和VLSI）。软件方面出现了数据库管理系统、网络管理系统和面向对象语言等。1971年世界上第一台微处理器在美国硅谷诞生，开创了微型计算机的新时代。应用领域从科学计算、事务管理、过程控制逐步走向家庭。

由于集成技术的发展，半导体芯片的集成度更高，每块芯片可容纳数万乃至数百万个晶体管，并且可以把运算器和控制器都集中在一个芯片上、从而出现了微处理器，并且可以用微处理器和大规模、超大规模集成电路组装成微型计算机，就是我们常说的微电脑或PC机。

微型计算机体积小，价格便宜，使用方便，但它的功能和运算速度已经达到甚至超过了过去的大型计算机。另一方面，利用大规模、超大规模集成电路制造的各种逻辑芯片，已经制成了体积并不很大，但运算速度可达一亿甚至几十亿次的巨型计算机。我国继1983年研制成功每秒运算一亿次的银河Ⅰ这型巨型机以后，又于1993年研制成功每秒运算十亿次的银河Ⅱ型通用并行巨型计算机。这一时期还产生了新一代的程序设计语言以及数据库管理系统和网络软件等。

随着物理元、器件的变化，不仅计算机主机经历了更新换代，它的外部设备也在不断地变革。比如外存储器，由最初的阴极射线显示管发展到磁芯、磁鼓，以后又发展为通用的磁盘，现又出现了体积更小、容量更大、速度更快的只读光盘（CD—ROM）。

㈥ 一款IC，每款打10PCS，共10PCS是什么意思啊急

数量单位
可以说10个,10片

㈦ hspice可是仿真fpga吗

这是一个示例的hspice输入文件，具体的语法见hspice使用手册。这里简单描述一下各语句的含义。hspice输入文件按大块分为三块，一是电路描述语句，二是电路分析语句，三是输出描述语句。如果再细分，还有标题语句，注释语句，结束语句。这样共六块。
.option属于电路分析语句，后面跟着的都是分析参数，参数的详细意思见参考手册。.lib .temp .inc属于电路描述语句。.lib指定电路参数的模型名，即libnam.lib，也是一个文本文件，晶圆厂会提供每种工艺的模型文件，后面的TT指定工艺角为TT。.temp指定温度25摄氏度。.inc即.include，指将名为netlist的文件包含进这个输入文件，效果和将netlist文件中的全部文本复制到此文件中是一样的。.ic指给定电路一个初始值，不然电路不会动了。.tran为分析语句，指瞬态分析，后面的意思是分析电路100u即一百微秒以前的关况，0.1u指每零点一微秒步进一次。.plot为输出语句，后面tran指输出.tran的分析，即瞬态分析。.end结束语句。
hspice输入文件写好以后，假设这个文件保存为my.sp文件，则在终端中输入hspice my.sp，然后hspice开始运行，不断输出一些文本。运行结束以后，目录就会多出一些文件，其中my.tr0指瞬态分析的波形文件。用查看波形的软件，比如awaves打开波形文件（在终端中敲 awaves），可查看波形。或者用更好的波形查看工具Sandwork的Spice Explorer查看，打开方法是在终端中敲sx，软件开启后 Import进波形文件即可。

㈧ 模拟电路里的工艺角的具体涵义是什么

ss:NMOS/PMOS Vth较高，ff:NMOS/PMOS Vth较低；
阈值电压Vth的高低直接影响器件的性能，
同样的条件下，Vth低相应的回跨导gm,电流I都会较高：答
gm=k*(W/L)(VGS-Vth),
Isat=1/2*k*(W/L)(VGS-Vth)^2
GBW=gm/Cc
……

㈨ mos工艺中工艺角（tt ff ss）都是代表什么

Finish-to-Start (TT)，把这个任务的开始日期和前提条件任务的结束日期对齐，一般用于串行的任务安排，前一个任务必须完成后才能启动下一个新任务。

Start-to-Start (SS)，把这个任务的开始日期和前提条件任务的开始日期对齐，一般用于并行任务的安排，也可以一个任务启动后，第二个任务延后或提前数日启动。

Finish-to-Finish (FF)，把这个任务的结束日期和前提条件任务的结束日期对齐，可以用于协调任务的统一时间完成，这样可以定义好任务的开始时间

NMOS的结构如下：在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极d和源极s。

然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏——源极间的绝缘层上再装上一个铝电极,作为栅极g。在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。

(9)电路工艺角扩展阅读：

当vGS数值较小，吸引电子的能力不强时，漏——源极之间仍无导电沟道出现，如图1(b)所示。vGS增加时，吸引到P衬底表面层的电子就增多，当vGS达到某一数值时，这些电子在栅极附近的P衬底表面便形成一个N型薄层。

且与两个N+区相连通，在漏——源极间形成N型导电沟道，其导电类型与P衬底相反，故又称为反型层，如图1(c)所示。

vGS越大，作用于半导体表面的电场就越强，吸引到P衬底表面的电子就越多，导电沟道越厚，沟道电阻越小。

开始形成沟道时的栅——源极电压称为开启电压，用VT表示。

N沟道MOS管在vGS<VT时，不能形成导电沟道，管子处于截止状态。只有当vGS≥VT时，才有沟道形成。

这种必须在vGS≥VT时才能形成导电沟道的MOS管称为增强型MOS管。沟道形成以后，在漏——源极间加上正向电压vDS，就有漏极电流产生。

㈩ 如何选择开关电源的IC

先设计好原理图，完成前仿真，设计好版图，完成后仿真，包括工艺角仿真专(这些过程可以用属cadence
IC或者ADS等软件完成)，就可以送去流片了，可以选择SMIC或者台积电等厂家。
小量流片的费用大概是20至50万元，具体价格视芯片规模和工艺类型而定。一般开关电源ic规模不大，工艺要求也不高，估计十万多元就够了，很便宜。大约需要一个月至几个月的时间，可以获得几十个样片。另外，教育部每年都有免费流片的计划，如果符合条件，可以去申请。
取得样片后，要进行测试，包括各项指标，以及指标的一致性。根据测试的结果确定是否要修改后继续流片，如果测试结果满足要求，就可以批量投产了，批量我没做过，所以不知道价格如何。