供电管电路

❶ 电力二极管和信息电路中二极管功能上有什么的区别

电力二极管和信息抄电路二极管功能区别袭：

1、电力二极管（Power Diode）在20世纪50年代初期也被称为半导体整流器；它的基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管是一样的，都以半导体PN结为基础，实现正向导通、反向截止的功能。

2、电力二极管的作用一般是整流；信息电路中的二极管作用是检波。

3、电力二极管对恢复时间和功耗要求较为严格；信息电路中的二极管对高频性能要求较高。

(1)供电管电路扩展阅读：

电力二极管实际上是由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的，从外形上看，主要有螺栓型和平板型两种封装。其主要类型有普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管。

1、普通二极管：多用于开关频率不高（1kHz以下）的整流电路中。

2、快速恢复二极管 工艺上多采用了掺金措施，结构上有的采用PN结构类型，也有的采用对此加以改进的PiN结构。

3、肖特基二极管以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管称为肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode--SBD），简称为肖特基二极管。

❷ 双回路供电和双电源供电的区别

1、电源数量不同

双回路供电一般是指某一负荷的电源有两回，此电源接自上级配电版所不同的开权关，正常运行时由其中一回电源供电，另一回处于备供状态；当一回电源停电时，由用户侧的自动切换装置将电源进行切换，保障负荷的不间断供电。

双电源供电一般特指两回电源来自不同的变电站（或配电所），这样就不会出现两回电源同时失压的情况，这种模式一般运用在特别重要的用户供电上，例如机场、火车站、医院等（上述场所还具备自行发电能力）。

2、工作方式不同

双回路中的这个回路指的是区域变电站出来的回路。双电源是电源来源不同，相互独立，其中一个电源断电以后第二个电源不会同时断电，可以满足一二级负荷的供电。而双回路一般指末端，一条线路故障后另一备用回路投入运行，为设备供电。

3、性质不同

双回路供电是指二个变电所或一个变电所二个仓位出来的同等电压的二条线路。

双电源供电当然是引自两个电源（性质不同），馈电线路当然是两条；一用一备如果指的是电源，那它就是双电源供电。

❸ 电脑主板cpu供电上下管怎样区分替换

主板维修电路顺序： 分为：开机电路，供电电路包括：（CPU供电电路，内存供电电路，芯片组供电电路）时钟电路，复位电路,BIOS电路,接口电路,CMOS电路。这几大电路，检修流程按照：开机，供电，始终，复位，也就是说，维修一块主板，上来先看他能不能开机，如果不能开机，先判断是否是主板短路引起，所以说修主板第一步上来进行对地阻值测量，+12V +5V +3.3V +5VSB PS-ON这几组，的对地阻值，如果这几组没有对地短路，则证明主板无短路故障，可以插电源开机，插上电源以后，通过短接POWER开关针，触发主板，如果不触发，则要短接ATX电源绿线和黑线，强制主板开机，能开机的话说明故障在开机电路，则要按照开机电路检修流程检修：

开机电路检修流程：上来测量开关针供电一般为3.3V或5V，低电平触发一般开关针正极是3.3V，高电平触发开关针一般是5V电压，开关针有供电，第二步测量电池.电压低于2.5V换电池，电池正常量32.768KHZ的晶振两脚有无0.5V左右压差有的话说明晶振起振木有换晶振，3.3V开关针的供电一般是1117中间脚的3.3VSB通过电阻接开关，5V开关针供电一般是紫色5VSB通过电阻加到开关。这些都正常如果主板还是无法触发的话，通过使用蜂鸣档跑线，一般是触发电路损坏的多，比如I/O损坏,南桥待机电压偏低导致无法触发，南桥待机一般可以量外围贴片电阻。

如果能开机的话，就要检查供电电路，有供电，就要有时钟，有时钟就要有复位。如果遇到无复位的主板，则要检查供电，时钟，都要正常以后如果还是无复位的话，则要检查复位电路，如果供电时钟有一项不正常都会无复位。

CPU供电电路检修：上来先测量4Pin12V口有无对地短路正常为300-600欧姆，如果12V对地短路的话，插上12V铺助电源主板是不会触发的 ATX电源保护，一般12V对地短路，上管击穿的多，12V输入电容，12V输入电感，电源管理芯片，串口芯片，这些都是12V的供电，如果12V没有短路，开机以后，如果主板跑码00或FF说明CPU不工作，先检查CPU座有无虚焊，可以按压CPU座，没有虚焊的话，先测量上管D级电压，有无12V输入，有的话，测量上管G级，上管有控制级电压的话，那么上管S级应该有电压输出，则下管D级应该有输入电压，CPU主供电测量点，可以通过测量上管S级和下管D级来测量，一般测量我们都测量下管D级，为了防止测量上管S，引起将上管DS级短路，所以一般测量CPU主供电都是测量下管D级对地电压，正常值为1.2V-1.8VCPU主供电，如果上下管，没有控制级电压的话，首先要检查是不是 G级保险电阻烧断，排除这个，如果上下管还是无控制级电压的话，则要测量电源IC的VID信号是否为低电平，理论上来讲，不插入CPU的话，上下管都是无控制电压的，没有插入CPU，VID信号没有被接地，电源IC不会输出控制电压来控制上下管的控制级。

CPU供电电路中，上下管关系：12V接口通过输入电感接上管D级，上管G级直接进入电源管理芯片，上管S级接下管D级，下管G级直接进入电源管理芯片，下管S级直接接地，每项上下管的关系都是如此。

芯片组供电电路：一般杂牌主板，芯片组供电电路都是用运放控制MOS管产生1.5V供电电压来给南北桥供电，北桥供电见的多的，一般是 358或324控制MOS管产生1.5V 这应该比较多的了， 南桥供电，一般是1117中间脚输出3.3V给南桥外围的贴片电阻，或电感，一般南桥待机测量点。

内存供电电路：一般主板为了降低成本，内存供电电路采用431精密稳压器，控制MOS管产生2.5V，或使用运放358控制MOS管产生2.5V 有的主板使用专用IC控制一组上下管，也就是说有的主板内存供电采用上下管方式。但它的控制是由专用IC控制。 内存参考电压测量点一般在内存插槽周围的贴片电阻上都可以测量到。

时钟电路：时钟电路要在开机电路，供电电路工作正常的情况下才会产生，时钟电路检修，首先测量时钟IC供电电压，一般为2.5V或3.3V 时钟IC周围的贴片保险电阻或贴片电感，两端的电压，供电正常，则要测量时钟IC的14.318MHZ的时钟晶振，两脚有无起振压差，如果这些都正常，那么南桥需要给时钟IC一个PG信号， PG（power good）在主板开机以后延迟输出，100-500S当主板几组供电都输出以后，则PG信号输出高电平，说明主板已经正常供电，这个是作用。PG信号正常以后，时钟IC外围的贴片电阻，都会有1.几伏的输出电压。 内存的时钟一般是由北桥给，或时钟IC直接提供，CPU时钟一般也是时钟IC直接给。

复位电路：复位电路，要在供电，时钟都正常才会产生复位电路，复位电路检修，主要是，先测量复位开关针有无3.3V电压，无的话，通过开关跑线，跑到相应元件更换，其次就是如果CPU无复位或复位电压低，则要检查的对象是北桥，因为主板上所有复位都是南桥提供的，南桥要像把复位给CPU要经过北桥，所以说如果PCI复位正常，CPU复位不正常，则说明故障在北桥。

电路检修一般也就这么多，没有具体写。

❹ 简述高低压供电切换电路的原理，并写出二极管的作用

二极管 二极管的特性与应用 几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。 二极管的工作原理 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。 二极管的类型 二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。由于是点接触，只允许通过较小的电流（不超过几十毫安），适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。面接触型二极管的“PN结”面积较大，允许通过较大的电流（几安到几十安），主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管，它不仅能通过较大的电流，而且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及高频电路中。 二极管的导电特性 二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。 1. 正向特性。 在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。 2. 反向特性。 在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。 二极管的主要参数 用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。对初学者而言，必须了解以下几个主要参数： 1、额定正向工作电流 是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为140左右，锗管为90左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以，二极管使用中不要超过二极管额定正向工作电流值。例如，常用的IN4001－4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。 2、最高反向工作电压 加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了最高反向工作电压值。例如，IN4001二极管反向耐压为50V，IN4007反向耐压为1000V。 3、反向电流 反向电流是指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下，流过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10，反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管，在25时反向电流若为250uA，温度升高到35，反向电流将上升到500uA，依此类推，在75时，它的反向电流已达8mA，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二极管，25时反向电流仅为5uA，温度升高到75时，反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性

❺ 怎样区分cpu供电电路中的上管和下管

上管的S极接的是下管的D极,另外下管的D极接线圈电感,电感另一极通CPU供1.75V,现在会区分了吧

❻ 三极管，单管基本放大电路，为什么采用双电源供电

请参阅此文。 最简单、经典的三极管放大器这个电路是一个最简单的放大器，算是一个古董电路！下面将对这个电路进行直流： 电路组成：三极管是电路的放大元件，具有放大电流的作用，是放大电路的“心脏”；电源CC的接法应使集电极处于反向偏置，保证晶体管工作在放大状态，同时CC为放大电路提供能源，一般为几伏到几十伏。很多电路中一般是用电压来传递，如果在三极管集电极与电源之间串一个电阻，这样能把三极管的电流转换为电压取出来。集电极负载电阻R2的主要作用是将集电极电流的变化转换为电压的变化，以实现电压的放大。R2的阻值一般为几千欧。负载电阻越大，得到的电压变化也会越大。电源CC和基极电阻R1的作用是使发射结处于正向偏置，并提供大小适当的基极电流IB,以便放大电路获得合适的工作点。R1的阻值一般为几十千欧到几百千欧。耦合电容C1的作用在于隔断直流、通过交流。因此，它既能为交流构成通路，同时又能隔断放大电路、源及负载之间的直流通路，使源及负载的工作状态免收直流电源的影响。通常要求C1 上的交流电压可以降到可以忽略不计，即对交流可视为短路。C1的电容值一般为几微法到几十微法，常用极性电容，连接时应注意极性。如果把IC的变化作为输出而取出，就可以得到比较大的。直流工作概念：直流工作的时候，电容上没有流过电流，所以在直流中都会将所有的电容看成开路。这个是原理图，在做直流的时候，交流源和电容C1都看成开路。设计一个电路的时候，要先确定IC也就是集电极电流。CC=CE+R2*IC电源电压=三极管CE极电压+负载电阻×集电极电流先定CE=6 集电极电阻为10K ，除去两个变量，就好办多了。12=6+* ICIC=(12-6)/IC=0.6mA有了IC就可以确定IB了。IB=IC/放大倍数(放大倍数现定为)IB=0.6/;IB=6uA.IB确定后，可以确定 R1也就是为三极管基极提供电流的电阻。R1=12-BE/IB (BE=0.7)R1=11.3/6uAR1=1.88M 1.88M 电阻不能到，只能用2M 。当然结果也会有些变化，只是变化得不太大。我们先来看看IB电流，约为5.uA和设计的6uA有一点差别，当然这个主要和基极电阻大小有关。现在来看看IC电流，集电极电流为.uA。大家可以看得出来这个放大约为倍，也符合设计的要求。最后我们来看看CE电压：CE电压为6.，和设计的有差别，这个差别主要是R1也就是基极的电阻决定的。直流完毕，下一个接着交流。 基极只要注入了电流，集电极IC也会随基极电流大小而改变。
硬之城有这个型号的 可以去看看有这方面的资料么

❼ 简述高低压供电切换电路的原理，并写出二极管的作用求大神帮助

二极管 二极管的特性与应用 几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。 二极管的工作原理 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。 二极管的类型 二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。由于是点接触，只允许通过较小的电流（不超过几十毫安），适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。面接触型二极管的“PN结”面积较大，允许通过较大的电流（几安到几十安），主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管，它不仅能通过较大的电流，而且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及高频电路中。 二极管的导电特性 二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。 1. 正向特性。 在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。 2. 反向特性。 在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。 二极管的主要参数 用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。对初学者而言，必须了解以下几个主要参数： 1、额定正向工作电流 是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为140左右，锗管为90左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以，二极管使用中不要超过二极管额定正向工作电流值。例如，常用的IN4001－4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。 2、最高反向工作电压 加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了最高反向工作电压值。例如，IN4001二极管反向耐压为50V，IN4007反向耐压为1000V。 3、反向电流 反向电流是指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下，流过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10，反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管，在25时反向电流若为250uA，温度升高到35，反向电流将上升到500uA，依此类推，在75时，它的反向电流已达8mA，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二极管，25时反向电流仅为5uA，温度升高到75时，反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性

❽ CPU供电电路中的MOS管可以随便更换吗

看了一下论坛上关于MOS管的帖子，说的和“超越”大概一样，就是新MOS管的电压、电流、功率值要大于等于原MOS管的电压、电流、功率值。也就是说，换MOS管的时候，要了解各个MOS管的参数，这可是个不小的工作量，而且有些MOS管的PDF图纸在网上找不到，比如“K3918”，至于可不可以混用，只要满足上面的要求，是可以混用的。帖子里还说，09N03和06N03可以用于所有CPU供电电路中，基本通吃。我在网上搜了一下09N03和06N03的PDF看了一下：09N03：V DS=25V、I D=50A、P tot=63W（25 °C）06N03：V DS=25V、I D=50A、P tot=83W（25 °C）同时我还顺便下载了04N03的PDF：04N03：V DS=25V、I D=80A、P tot=107W（25°C）我发现N03前面的数字越小，这种管子的功率越高，不知道是不是这样。听朋友说，在更换MOS管的时候，不同的主板，如果都是775的CPU，那么MOS管是可以互换的，上管之间也可以混用，下管之间也可以混用，以这样的原则来代换MOS管应该没问题吧。在帖子里还看到MOS管的DS极是可以颠倒的，因为MOS管在制作的过程中DS是对称设计的。那我就想不明白，既然是对称的，为什么用万用表量S到D有500的数值，D到S却无穷大。有没有高手可以指点一下呢？

❾ 电路中的mosfet管供电问题

电路图上的是三极管(或功率三极管)跟mos管符号不一样，电路跟一般H桥功能相约，应回该是升压或逆变答器类电路。
电路图上的Ug应该是Ug2，Ug1和Ug4可以共接一个驱动信号A，Ug2和Ug3一样信号B，A和B应该是相位或电平相反(如A=1 B=0或A=0 B=1)，A B可以是较高频变的PWM脉冲信号。
当A=1 B=0 VT1 VT4导通而VT2 VT3截止，电流从Uin+经VT1流入变压器初级绕线组(由上到下)後经VT4回路到Uin-，又当A=0 B=1 VT3 VT2导通，电流从Uin+经VT3流入变压器初级绕线组(由下到上)後经VT2回路到Uin-。
所以电路需要电源Uin和2个同步相反的驱动信号。

❿ 电脑cpu供电 每相有3个mos管 它们之间电路是怎么连接的

其实是两个管子一对，可以理解为上管和下管，两个管子交替导通，实现连续输出，下管可以看做同步整流作用，在小电流场合一般可以使用肖特基二极管

参考电路如图