icd电路

① 求大家帮忙看下这个4到20mA转0到5V的电路，图中三极管的作用是什么，-12V是否是错的，实在不明白

OP07组成的4－20mA输入/5V输出的I/V转换电路

图3电路是一种被推荐使用的较好线路，首先，对运放的供电采用了由封装的TL431组成的高精度稳压电路，这种TL431采用DIP8封装，耗散功率达到1W，更改供电电压只需更换分压电阻就可以轻易办到。其次，运算放大器选择使用的是高精度低失调的OP07，其参数指标大大优于普通廉价运放。最为关键的是在对零点信号的处理上，可以保证输入4mA的时候，运放ICC的输出电压等于零。

分析一下这部分电路的工作原理：运放ICD的同相输入端电压由经过TIA31稳压后的负电源提供，它通过R15与R14的分压，取R14上的电压与R10 上在4mA时的电压一样，然后，经过运放的缓冲，从运放输出接有一只PNP型三极管用于扩展输出能力，实际这是一个典型的运算放大器稳压电源，其输出将跟随着运放同相端的电压，可以从接近零的电压起调。

R10就是4~20mA的I/V转换电阻，按照上述道理，由于运放的作用，这个电阻的最小取值可以很小，电阻越小越能减轻前方传感变送器的供电要求。 正是考虑到传感变送器属于一种远传信号的使用环境，为了防止引入干扰信号，加有输入滤波电容器C0和两只1N4148二极管对输入信号可能出现的危险电压进行保护。 例如：

取R10=25Ω，4mA时，其压降=0.1V，把ICD的同相端输入电压配置为负的0.1V，这样，输入信号的0.1V与这个I／V配置的负0.1V恰好互相抵消，ICC输出将是零电压。随着输入电流的增大，如果输入电流是5mA，I/V转换电压将是0.125V……如果输入电流是20mA，I／V取样电压就是500mV。这样，我们可以把这个电压放大10倍得到5V满度输出，或者放大20倍得到10V满度输出。为了方便工程上的工作方便，减少同时手续，对R10、R15、R14、R01、R02等重要电阻，必须选择其精度0.1％的E96分度的金属膜电阻，其温度漂移参数最好能够不大于50ppm。

许多传感器变送器输入标注着4～20mA的输出指标，可是，在实际上，这些参数都是不够精确的，包括一些进口传感交送器，实际测试零点电流有误差高达 18％的，即标称的4mA变成了3.3mA或4.7mA，这时候，就需要进行零点调整。在零点调整的时候，需要注意，R10与R14原来是1：4的关系，是因为它们流过的电流恰好是4：l的关系。因此，如果需要调整零点电压的时候，千万不要再动R10与R14，而应该在零点调整时更改R15，在满度调整时更改 R01。 在工程上，人们往往会采取比较快捷的工程应用方法而不是理论推导来完成任务，因为在选择元器件时，就往往无法按照计算好的数值去购买，只能从标准化生产的品种里头去选择搭配，而且，在调试时，也不可能按照理论计算的数值去测量，尤其当计算结果带着超过4位小数以上时．对所使用的仪表就会要求很高，成为"鸡蛋里头挑骨头了"。我们可以通过一个实际例子来说明这种电路的调试过程。 首先，必须把实际的传感交送器拿到手并且进行实际的测量，例如测量到的数据为：零点电流=4.25mA，满度电流=20.5mA。然后，根据最大输入电流的实际数值来求出最大输入电压：20.5mA时R10上的电压就是：20.5×25=512.5mV，其次求出零点电压：4.25×25= 106.25mV。

完成上面的简单计算后，接着，对电路的参数进行调整，零点的时候调整R15，满度的时候调整R01。按照说明提到过得，ICD的同相输入电压等于零点时 R10上的电压，可以求出：R15=(2500-106.25)／(106.25／100)=2.25KΩ。R01=[5000／(512.5- 106.25)-1]×1=11.3l等于(5000是满度输出电压，512.5是满度输入电压，106.25是零点输入电压，-1是因为同相放大器会自然+1，-1是因为R02=1KΩ)。 验算一下：

零点电流输入时，输入电压为：4.25×25=(2.5×100)／(225+100)，结果：106.25=106.4，误差：0.0014。满度电流输入时的满度输出电压：(20.5×25-106.4)×(1 1.31／1+1)=4999.09，误差：0.00018。

上面的计算和对电阻的取值都省略了小数点后多于3位的数字，因为实用中已经不够现实了。就目前的数值而言，在实际应用中也可以满足许多较高精度测量的要求了。 提示：

1. 运算放大器OP-07本身在零电压输而输出不为零时，可以在其1PN8P上连接微调电位器进行静态零点调整，也可以在零点电流输入时一并处理。 2. 由ICA和ICB组成的高精度稳压电源，其输出电压应该大于主电路要求的满度输入电压至少3V以上，这时候，不能使用T902小功率封装的TL431来替换本电路DIP8封装的TL431。

3. 当需要本电路处理其他非4~20mA输入的信号时，可以去掉R10，这时候，利用OP-07的优良性能和供电电源的高精度，作为通用放大器来使用。也是非常理想的。

② ICD和ICE的区别

ICD与ICE的区别
在进行嵌入式系统开发的过程中，经常会用到 ICD和ICE。从字面上讲，ICD的全称为：In Circuit Debugger，ICE为：In Circuit Emulator，中文分别为“在线调试器”和“在线仿真器”。笼统地说，二者都可用于硬件调试和软硬件联调。市面上常见的产品包括ARM公司的Multi-ICE，WindRiver公司的VisionICE和VisionProbe，以及Lauterbach公司的Trace32-ICD和 Trace32-ICE。
那么二者之间究竟有什么区别和联系呢？回答这个问题这要从嵌入式系统调试手段的演化说起。
在早期的嵌入式开发中，尤其是8位机和16位机占主流的时代，ICE是最为常用的调试设备，它的核心思想是完全模拟CPU工作，通过外围电路捕获CPU的各种状态信息，输送到PC端，也就是说它相当于CPU＋调试电路，可以从物理上完全替代CPU。所以最早的ICE在使用时需要将CPU从插口上拔下来，再将ICE的电缆插进去。
ICE的出现，给嵌入式开发人员带来了极大的便捷。但随着芯片制造技术的飞速发展，ICE也逐渐显露出一些无法回避的缺陷
1、ICE必须比被调试 CPU运转更快，这样才能在模拟CPU的同时向外输送调试信息，而CPU主频的不断提高使得实现这一点越来越难；
2、日渐复杂的封装技术导致ICE替换CPU的难度不断增大；
3、ICE的先天特性决定它总是落后于CPU发布；
4、ICE的价格通常非常昂贵。
这些缺陷给ICE的发展带来了一定的阻碍，在这种情况下，EmbeddedICE应运而生。
EmbeddedICE是ARM公司提出的一种面向系统的解决方案，其关键技术是在处理器芯片内部加入一个EmbeddedICE单元，提供传统ICE的诸多功能，例如实时寻址、断点、单步以及对CPU核的控制，使用边界扫描链和JTAG接口与PC交互信息，从而实现硬件调试。EmbeddedICE解决了传统ICE的种种难题，从而得到了广泛的应用。ARM7TDMI系列就是基于该方案的典型产品，其名称中的字母I即指示EmbeddedICE。
有了EmbeddedICE，相应的也就出现了新的调试工具ICD。与复杂的ICE不同，ICD的核心硬件只包括一个EmbeddedICE接口盒，用于在PC和处理器芯片的JTAG接口之间搭起一座桥梁，实现PC端调试器指令与JTAG协议的转换，例如将PC端的一次鼠标点击转换成JTAG指令和数据序列，并最终通过EmbeddedICE实现对CPU核的控制。
说到这里，ICE和ICD的区别就不言自明了：ICE通过自身仿真CPU进行调试，而ICD则是利用芯片内部的EmbeddedICE单元对CPU进行调试。特别需要指出的是，上面的讨论都集中在硬件部分，实际上，不管是ICE还是ICD，都离不开一个优秀的集成开发环境；只有通过开发环境对二进制机器码的翻译，开发人员才能够轻松地查看寄存器，查看地址空间，设置断点，将机器指令转换为汇编指令甚至对应到高级代码、实现源码级调试。
弄清楚了二者的区别，现在回到第一段，给市面上的产品归归类。虽然名字看起来都像是ICE，其实未必：
ARM公司的Multi-ICE实际上是ICD，对应的开发环境是ARM SDT或者ADS；
WindRiver的visionICE和visionProbe也是ICD，开发环境是 visi；
Lauterbach的Trace32-ICD和Trace32-ICE倒是都货真价实，开发环境统一叫TRACE32，Lauterbach另外还有一款产品叫 Trace32-FIRE，同属ICE范畴；
目前国内不少公司也陆续开发了一些针对ARM芯片的JTAG仿真器，不过功能都比较简单，还不能称之为 ICD。

③ 单片机ocd和icd有什么区别

ICD可以指MICROCHIP公司推出的针对PIC单片机的简易调试编程器。
On
chip
debug是指电路调试的方法。
ICE可以指MICROCHIP公司推出的针对PIC单片机的高级仿真器，也可以指实时仿真的方法。
IAPIn
Application
Program，“在程序运行中编程”，是指给单片机烧写程序的一种方法，相对于的还有ISP“在系统编程”

④ 电路题 叠加定理 不懂icd=0 帮小弟解答下

(一)，下图的局部电路中：

∵Uab=0，∴Iab=0。

由KCL，对封闭区域，流入电流等于流出电流：回Icd=-Iab=0。

UR=1A×(30∥60+10)Ω=1×30=30V

I=(42-30)V/4Ω=3A，

IR=3A-1A=2A

∴R=UR/IR=30v/2A=15Ω

⑤ 电路问题……为什么icd也等于零谢谢

右边的20欧和电流源看做整体，就只剩下两个线头了，既然iab为0，也就是流入这个整体的电流为0，那么流出的电流也肯定是0，就是icd

⑥ 电路图题目

郭敦顒回答：

如图增加两个节点c、d，

已知：Is=30A，R1=12Ω，专R2=12Ω，R3=6Ω，R4=4Ω，R=5.5Ω，

求：电流I及

设Iac=I2，Ibc=I4，Ida=I1，Idb=I3，Iba=I；

区间电属压降Uac=U2，Ubc=U4，Uda=I1，Udb=U3，Uba=U；

总电阻为R0=Rdc, 总电压为U0=Udc。

Icd=Is=30A=I2+I4=I1+I3，

I1+I=I2

U1+U2=U0=U3+U4

U3+U=U1

其它按

欧姆定律：I=U/R，R=U/I

并联电路：

I=I1+I2+…+In，

U/R= U/R1+ U/R2+…+ U/Rn，

1/R=1/R1+1/R2+…+1/Rn，

串联电路：

I=I1=I2=…=In，

R= R1+ R2+…+ Rn，

U=I1R1+I2R2+…+InRn，

再建一些关系式，解多元联立方程式，逐步消元，即可求得所需的解。

下面详解甚繁，略。

⑦ 什么是ICD植入技术

这项已经被证实能有效防止院外心源性猝死的发生。icd（埋藏式心律转复除颤器）已经被证实能有效的防止院外心源性猝死的发生。icd的发明和应用于临床针对恶性心律失常的治疗提供了一个确实有效的治疗方法，icd植入技术已越来越多的被临床应用。经静脉电极导线植入：1994年以来，经静脉单极除颤系统开始在临床应用。目前临床上应用的非开胸植入icd系统根据除颤电极的构成大致可分为两类：1、以心内线圈电极为主的除颤系统： 虽然各个厂家设计有所不同，但是右心室的三极感知和除颤电极基本相同，经静脉植入的心内膜三极感知和除颤电极，在此之后为一用于除颤的线圈电极。此线圈电极需要与另一电极构成除颤电路。这些系统在临床应用时，大多数患者可得到满意的除颤效果，但是仍然有小部分的患者不能得到满意的除颤阈值，而改用其他非开胸icd系统或开胸植入icd系统。2、单极除颤系统：单极除颤系统是指除颤器外壳本身作为除颤的一个电极，与心内的线圈除颤电极构成除颤电路。该系统具有以下特点：① 手术操作进一步简化，只需要经筋脉植入一根三极的感知与出产电极，将除颤器直接埋于左胸前的皮下或胸肌下，由右心室的线圈电极与左胸前的除颤器外壳构成除颤电路；② 除颤阈值低，因为除颤器外壳作为除颤电极，大大增加了除颤电极的面积，从而进一步有效地降低了除颤阈值。除颤阈值测试：当感知和除颤电极导线固定后，电极与体外除颤测试系统连接进行除颤值得测定。进行除颤阈值测定时，首先需要诱发心室颤动。室颤的诱发方法有两种：一种为t波电击，即在t波易损期上低能量电击诱发室颤，另一种就是为50hz交流电刺激，两种方法均能非常有效地诱发出室颤。 虽然除颤阈值的标准各不相同，但是大多数医院采用连续两次20 j 或以下的能量有效除颤作为成功标准，即除颤阈值等于或低于 20 j，才可考虑电极与脉冲发生器连续，并将脉冲发生器植入。完成阈值测定后，将脉冲发生器与电极连接，诱发室颤，检验整个icd系统感知心律失常和除颤功能及效果。除颤器的植入：目前临床上普遍应用除颤器均埋藏于患者胸前，作为单极除颤系统的一个极，除颤器必须埋藏在左胸前。icd胸前植入可埋于肌肉下囊袋或皮下囊袋，视患者胸前的皮下组织而定，若患者较瘦，皮下脂肪少，可将icd埋于肌肉下，对于皮下脂肪较多的患者，可将icd埋于皮下囊袋。

⑧ PCB ICD(内层连接位断裂)缺陷的产生原因

要做切片分析，简单来说有以下几种情况：
1、线路断路。
2、层偏。
3、内层涨缩引起。
4、钻孔偏位。
5、镀孔不良。

⑨ 收音机中ICD7642是什么

收音机中ICD7642是什么
答：IC表示集成电路，D7642是集成块的具体型号

产品名称：单片调幅收音机电路
概述与应用：
D7642是一块单片调幅收音机电路，主要应用于收音机等系统。
功能特点：
● 工作电压低：VCC =1.3V
● 静态电流小：ICCQ =0.2mA
● 简单有效的AGC 作用范围
● 无需调整，易安装
● 外围电路简单，灵敏度高
主要应用：
主要应用于收音机等系统。

代换型号：TA7642，NB7642，YS414等