cry电路

㈠ 数字电路设计一个二进制全减器 过程详细一点

输入译码器的三个输入端，真值表如下：

A B C F
0 0 0 0
0 0 1 1X
0 1 0 1X

0 1 1 0X
1 0 0 1
1 0 1 0
1 1 0 0
1 1 1 1X

解释下真值表：输出F是0的话加个非门，然后把八个输出来一个大或门，或出来的就是D
带X的几个，输入端用与门与起来，注意在输入端，意思你懂不，就是0加非门然后1直接与，三个输入与起来，一共有4组，把这四组或起来，就是Co。

(1)cry电路扩展阅读：

可见二进制的10表示二，100表示四，1000表示八，10000表示十六，……。

二进制同样是“位值制”。同一个数码1，在不同数位上表示的数值是不同的。如11111，从右往左数，第一位的1就是一，第二位的1表示二，第三位的1表示四，第四位的1表示八，第五位的1表示十六。

所谓二进制，也就是计算机运算时用的一种算法。二进制只由一和零组成。

比方说吧，你上一年级时一定听说过“进位筒”（“数位筒”）吧！十进制是个位上满十根小棒就捆成一捆，放进十位筒，十位筒满十捆就捆成一大捆，放进百位筒……

二进制也是一样的道理，个位筒上满2根就向十位进一，十位上满两根就向百位进一，百位上满两根…… 二进制是世界上第一台计算机上用的算法。

最古老的计算机里有一个个灯泡，当运算的时候，比如要表达“一”，第一个灯泡会亮起来。要表达“二”，则第一个灯泡熄灭，第二个灯泡就会亮起来。

㈡ 半导体有几种，是否都是随温度的升高电阻减小

半导来体是随着环境改变的 不一定是源温度 比如光，比如气压，比如电流变化强度都会影响他的电阻电感等物理参数。
比如氧化锌热合物是一种半导体材料，在这种材料里，氧化锌颗粒被钴镍其他尽速杂质包围，造成电阻，而随着温度的增加以及电压变大等条件的改变，包围曾的电子活动发生变化，从而出现电阻变小的现象发生。

㈢ 电路图中这是什么元器件，名称！

是一个晶振，1、2为输入，3、4为输出，型号：CRY－D3225
晶振在电路中的位号用Y表示，在这里是Y2。

㈣ 求解（关于半导体的）(小学生也可以弄的）

半导体
什么是半导体呢？

顾名思义：导电性能介于导体与绝缘体(insulator)之间的材料，叫做半导体（semiconctor）．
物质存在的形式多种多样，固体、液体、气体、等离子体等等。我们通常把导电性和导电导热性差或不好的材料，如金刚石、人工晶体、琥珀、陶瓷等等，称为绝缘体。而把导电、导热都比较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。与金属和绝缘体相比，半导体材料的发现是最晚的，直到20世纪30年代，当材料的提纯技术改进以后，半导体的存在才真正被学术界认可。

半导体的发现实际上可以追溯到很久以前，

1833年，英国巴拉迪最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。不久，

1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特征。

在1874年，德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第三种特性。同年，舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。

1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体又一个特有的性质。

半导体的这四个效应，(jianxia霍尔效应的余绩——四个伴生效应的发现)虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。很多人会疑问，为什么半导体被认可需要这么多年呢？主要原因是当时的材料不纯。没有好的材料，很多与材料相关的问题就难以说清楚。

半导体于室温时电导率约在10ˉ10～10000/Ω·cm之间，纯净的半导体温度升高时电导率按指数上升。半导体材料有很多种，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化镓、磷化镓等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的有机物半导体等。

本征半导体(intrinsic semiconctor) 没有掺杂且无晶格缺陷的纯净半导体称为本征半导体。在绝对零度温度下，半导体的价带(valence band)是满带(见能带理论)，受到光电注入或热激发后，价带中的部分电子会越过禁带(forbidden band/band gap)进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带(conction band)，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴(hole)，导带中的电子和价带中的空穴合称为电子 - 空穴对。上述产生的电子和空穴均能自由移动，成为自由载流子(free carrier)，它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流，分别称为电子导电和空穴导电。这种由于电子-空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。导带中的电子会落入空穴，使电子-空穴对消失，称为复合(recombination)。复合时产生的能量以电磁辐射（发射光子photon）或晶格热振动（发射声子phonon）的形式释放。在一定温度下，电子 - 空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时本征半导体具有一定的载流子浓度，从而具有一定的电导率。加热或光照会使半导体发生热激发或光激发，从而产生更多的电子 - 空穴对，这时载流子浓度增加，电导率增加。半导体热敏电阻和光敏电阻等半导体器件就是根据此原理制成的。常温下本征半导体的电导率较小，载流子浓度对温度变化敏感，所以很难对半导体特性进行控制，因此实际应用不多。

杂质半导体(extrinsic semiconctor) 半导体中的杂质对电导率的影响非常大，本征半导体经过掺杂就形成杂质半导体，一般可分为n型半导体和p型半导体。半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产生附加的杂质能级。能提供电子载流子的杂质称为施主(donor)杂质，相应能级称为施主能级,位于禁带上方靠近导带底附近。例如四价元素锗或硅晶体中掺入五价元素磷、砷、锑等杂质原子时，杂质原子作为晶格的一分子，其五个价电子中有四个与周围的锗（或硅）原子形成共价键，多余的一个电子被束缚于杂质原子附近，产生类氢浅能级-施主能级。施主能级上的电子跃迁到导带所需能量比从价带激发到导带所需能量小得多，很易激发到导带成为电子载流子，因此对于掺入施主杂质的半导体，导电载流子主要是被激发到导带中的电子，属电子导电型，称为n型半导体。由于半导体中总是存在本征激发的电子空穴对，所以在n型半导体中电子是多数载流子，空穴是少数载流子。相应地，能提供空穴载流子的杂质称为受主(acceptor)杂质，相应能级称为受主能级，位于禁带下方靠近价带顶附近。例如在锗或硅晶体中掺入微量三价元素硼、铝、镓等杂质原子时，杂质原子与周围四个锗（或硅）原子形成共价结合时尚缺少一个电子，因而存在一个空位，与此空位相应的能量状态就是受主能级。由于受主能级靠近价带顶，价带中的电子很容易激发到受主能级上填补这个空位，使受主杂质原子成为负电中心。同时价带中由于电离出一个电子而留下一个空位，形成自由的空穴载流子，这一过程所需电离能比本征半导体情形下产生电子空穴对要小得多。因此这时空穴是多数载流子，杂质半导体主要靠空穴导电，即空穴导电型，称为p型半导体。在p型半导体中空穴是多数载流子，电子是少数载流子。在半导体器件的各种效应中，少数载流子常扮演重要角色。
编辑词条
开放分类：
技术、电子、半导体物理

参考资料：
1.Introction to Solid State Physics - by Charles Kittle

半导体应用：
硅是集成电路产业的基础，半导体材料中98％是硅，半导体硅工业产品包括多晶硅、单晶硅（直拉和区熔）、外延片和非晶硅等，其中，直拉硅单晶广泛应用于集成电路和中小功率器件。区域熔单晶目前主要用于大功率半导体器件，比如整流二极管，硅可控整流器，大功率晶体管等。单晶硅和多晶硅应用最广。

中彰国际（SINOSI）是一家致力于尖端科技、开拓创新的公司。中彰国际（SINOSI）能够规模生产和大批量供应单晶硅、多晶硅及Φ4〃- Φ6〃直拉抛光片、 Φ3〃- Φ6〃直拉磨片和区熔NTD磨片并且可以按照国内、外客户的要求提供非标产品。

单晶硅

单晶硅主要有直拉和区熔

区熔（NTD）单晶硅可生产直径范围为：Φ1.5〃- Φ4〃。直拉单晶硅可生产直径范围为：Φ2〃-Φ8〃。

各项参数可按客户要求生产。

多晶硅

区熔用多晶硅：可生产直径Φ40mm－Φ70mm。直径公差(Tolerance)≤10%，施主水平＞300Ω.㎝，受主水平＞3000Ω.㎝，碳含量＜2×1016at/㎝3 。各项参数可按客户要求生产。

切磨片

切磨片可生产直径范围为：Φ1.5〃- Φ6〃。厚度公差、总厚度公差、翘曲度、电阻率等参数符合并优于国家现行标准，并可按客户要求生产。

抛光片

抛光片可生产直径范围为：Φ2〃- Φ6〃，厚度公差、总厚度公差、翘曲度、平整度、电阻率等参数符合并优于国家现行标准，并可按客户要求生产。

高纯的单晶硅棒是单晶硅太阳电池的原料，硅纯度要求99.999％。单晶硅太阳电池是当前开发得最快的一种太阳电池，它的构和生产工艺已定型，产品已广泛用于空间和地面。为了降低生产成本，现在地面应用的太阳电池等采用太阳能级的单晶硅棒，材料性能指标有所放宽。有的也可使用半导体器件加工的头尾料和废次单晶硅材料，经过复拉制成太阳电池专用的单晶硅棒。

单晶硅是转化太阳能、电能的主要材料。在日常生活里，单晶硅可以说无处不在，电视、电脑、冰箱、电话、汽车等等，处处离不开单晶硅材料；在高科技领域，航天飞机、宇宙飞船、人造卫星的制造，单晶硅同样是必不可少的原材料。

在科学技术飞速发展的今天，利用单晶硅所生产的太阳能电池可以直接把太阳能转化为光能，实现了迈向绿色能源革命的开始。现在，国外的太阳能光伏电站已经到了理论成熟阶段，正在向实际应用阶段过渡，太阳能单晶硅的利用将普及到全世界范围，市场需求量不言而喻。

直拉硅单晶广泛应用于集成电路和中小功率器件。区域熔单晶目前主要用于大功率半导体器件，比如整流二极管，硅可控整流器，大功率晶体管等。
区熔（NTD）单晶硅可生产直径范围为：Φ1.5〃- Φ4〃。
直拉单晶硅可生产直径范围为：Φ2〃-Φ8〃。
硅单晶被称为现代信息社会的基石。硅单晶按照制备工艺的不同可分为直拉（CZ）单晶硅和区熔（FZ）单晶硅，直拉单晶硅被广泛应用于微电子领域，微电子技术的飞速发展，使人类社会进入了信息化时代，被称为硅片引起的第一次革命。区熔单晶硅是利用悬浮区熔技术制备的单晶硅。它的用途主要包括以下几个方面。
1、制作电力电子器件
电力电子技术是实现电力管理，提高电功效率的关键技术。飞速发展的电力电子被称为“硅片引起的第二次革命”，大多数电力电子器件是用区熔单晶硅制作的。电力电子器件包括普通晶闸管(SCR)、电力晶体管GTR、GTO以及第三代新型电力电子器件——功率场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及功率集成电路(PIC)等，广泛应用于高压直流输电、静止无功补偿、电力机车牵引、交直流电力传动、电解、励磁、电加热、高性能交直流电源等电力系统和电气工程中。制作电力电子器件，是区熔单晶硅的传统市场，也是本项目产品的市场基础。
2、制作高效率太阳能光伏电池
太阳能目前已经成为最受关注的绿色能源产业。美国、欧洲、日本都制定了大力促进本国太阳能产业发展的政策，我国也于2005年3月份通过了《可再生能源法》。这些措施极大地促进了太阳能电池产业的发展。据统计，从1998—2004年，国际太阳能光伏电池的市场一直保持高速增长的态势，年平均增长速度达到30%，预计到2010年，仍将保持至少25%的增长速度。
晶体硅是目前应用最成熟，最广泛的太阳能电池材料，占光伏产业的85%以上。美国SunPower公司最近开发出利用区熔硅制作太阳能电池技术，其产业化规模光电转换效率达到20%，为目前产业化最高水平，其综合性价比超过直拉单晶硅太阳能电池（光电转换效率为15%）和多晶硅太阳能电池（光电转换效率为12%）。这项新技术将会极大地扩展区熔硅单晶的市场空间。据估计，到2010年，其总的市场规模到将达到电力电子需求规模，这是本项目新的市场机会。
3、制作射频器件和微电子机械系统（MEMS）
区熔单晶还可以用来制作部分分立器件。另外采用高阻区熔硅制造微波单片集成电路（MMIC）以及微电子机械系统（MEMS）等高端微电子器件，被广泛应用于微波通讯、雷达、导航、测控、医学等领域，显示出巨大的应用前景。这也是区熔单晶的又一个新兴的市场机会。
4、制作各种探测器、传感器，远红外窗口
探测器、传感器是工业自动化的关键元器件，被广泛应用于光探测、光纤通讯、工业自动化控制系统中以及医疗、军事、电讯、工业自动化等领域。高纯的区熔硅单晶是制作各种探测器、传感器的关键原材料，其市场增长趋势也很明显。

图片参考：
http://www.sinosi.com/chinese/Procts%20Gallcry/Semi-Silica/Semi-Conctor%20Silicon.htm
http://www.istis.sh.cn/list/list.asp?id=2214

㈤ 单片机最小系统为例子，用层次原理图设计出来

1.开门见山直接回答知识点
2.对相关知识点进行延伸
3.规范排版，内容充实更容易通过认证哦
4.补充参考资料（没有可以忽略哦~）

㈥ 555是不是时序逻辑集成电路

可以说555根本不是逻辑电路，更谈不上时序逻辑电路。555基本可以看做是模拟电路，基本功能就是一个振荡器，定时器电路，也可以用作触发器。

㈦ 帮我翻译这些（和电子有关的名称）

1. 静态电容(电容器)英文名称血沉低电压电解电容器µ六、因子、 酚醛聚酯电容器χ核定的UL核准伏特陶瓷电容器介质x7r非营利z5u2. 被动(电感、 变压器)核心的核心尺寸电感环形铁氧体铁粉核心的核心物质丝铜线转数计高频感应荣誉µ八铵阻抗共模电感卧式立式铁管长度毫米铁氧体磁珠厘米内径(250~300)筒管外径(密度)变压器初级中学(结束)(结束)辅助(结束)三重绝缘电线胶带胶水电感七公斤体重差距ei41片玻璃热熔断器熔断器推理3.semiconctorsPTC材料(离散)低功率半导体晶体管NPN型晶体管发射极晶体管即插即用收藏家基地to92案(转)(转)过电压增益饱和三极管(hfe)功率晶体管散热器to220案螺丝螺帽垫圈绝缘复合硅功率MOSFET绝缘栅源流失案(计划生育)半导体二极管整流二极管向前信号电压 网络Zener二极管肖特基二极管电压电流逆转t.v.s做-34轮案新桥型整流率领率领率领5毫米圆绿色长方形率领率领亮度视角(°)4.semiconctors光电二极管光电晶体管隔离电压操作温度储存温度集成电路放大器数字集成电路模拟集成电路运筹学比较调压微控制器五杂蓄电池铅酸蓄电池镍氢电池锂离子电池容量出院收费站收取短路电池极性反转电源插头-台式充电器线性开关输入电压输出电压输出电流长官核准印制板酚醛cem1豌豆铜方方组成,通过焊料空穴元件组成6工具(焊)烙铁钎焊水泵站7. 笔( 工具(零件及电线)钳钳刀刀汽8.tools螺丝(位置等驾驶叶尖冰山)螺丝(单位)档案副锤钢锯9. 手持万用表台式万用表测量尺卡尺导致绝缘万用表测试鳄鱼夹10文具cissor胶水粘合剂胶水室温硫化硅胶胶水胶带聚酯胶带吻合大宗计算器

㈧ 各位用天正电气做电路图的兄弟们请进！

可能你把它关了，右击空白处勾选你
要的就是了，要不自己输下面的命令
天正电气
1．平面图
平面设备：
任意布置RYBZ
矩形布置JXBZ
两点均布LDJB
弧线布置HXBZ
沿线均布YXJB
沿线单布YXDB
沿墙布置YQBZ
沿墙均布YQJB
穿墙布置CQBZ
门侧布置MCBZ
设备编辑：
设备替换SBTH
设备缩放SBSF
设备旋转SBXZ
设备翻转SBFZ
设备移动SBYD
设备擦除SBSC
改属性字GSXZ
造设备ZSB
块属性KSX
导线：
平面布线PMBX
系统导线XTDX
任意导线RYDX
配电引出PDYC
插入引线CRYX
引线翻转YXFZ
箭头转向JTZX
编辑导线：
编辑导线BJDX
线形比例XXBL
导线置上DXZS
导线置下DXZX
断导线DDX
导线连接DXLJ
断直导线DZDX
导线擦除DXCC
擦短斜线CDXX
导线圆角DXYJ
导线打散DXDS
标注与平面统计：
设备定义SBDY
拷贝信息KBXX
标注灯具BZDJ
标注设备BZSB
标注开关BZKG
标注插座CBCS
标导线数BDXS
改导线数GDXS
导线标注DXBZ
多线标注DDXB
沿线文字YXWZ
沿线箭头YXJT
回路编号HLBH
平面统计PMTJ
合并统计HBTJ
接地防雷：
自动避雷ZDBL
避雷线BLX
接地线JDX
擦避雷线CBLX
删支持卡SZCK
插接地极CJDJ
避雷区域BLQY
插支持卡CZCK
变配电室：
插绝缘子CJYZ
角钢支架JGZJ
卵石填充LSTC
线槽绘制XCHZ
剖面地沟PMDG
插变压器CBYQ
插电气柜CDQG
线槽倒角XCDJ
2系统图
元件：
元件插入YJCR
元件复制YJFZ
元件移动YJYD
元件替换YJTH
元件擦除YJCC
造元件ZYJ
元件标注YJBZ
沿线翻转FZYJ
侧向翻转CXFZ
元件标号YJBH
元件宽度YJKD
强电系统：
照明系统ZMXT
动力系统DLXT
系统生成XTSC
低压单线DYDX
插开关柜CKGG
造开关柜ZKGG
套用表格TYBG
计算电流JSDL
弱电系统：
有线电视YXDS
电视元件DSYJ
分配引出FPYC
消防数字XFWZ
造消防块ZXFK
消防干线XFGX
消防设备XFSB
消防统计XFTJ
原理图：
原理图库YLTK
电机回路DJHL
端子表HDZB
端板接线DBJX
转换开关ZHKG
闭合表BHB
固定端子CJDJ
可卸端子KCDZ
绘连接点HLJD
擦连接点CLJD
端子擦除DZCC
端子标注DZBZ
沿线标注YXBZ
3电气计算
照度计算程序ZDJS
负荷计算FHJS
电压损失计算DYSS
短路电流计算DLDL
无功补偿计算WGBC
年雷击数NLJS
低压短路DYDL
4建筑图
轴网：
直线轴网ZXZW
弧线轴网HXZW
插弧轴网CHZW
墙生轴网QSZW
两点标注LDZB
逐点标注ZDZB
重排轴号CPZH
单轴变号DZBH
添补轴号TBZH
删除轴号SCZH
添加轴线TJZX
添加径轴TJJZ
轴线裁剪ZXCJ
墙体：
绘制墙体HZQT
等分加墙DFJQ
单线变墙DXBQ
轴线生墙ZXSQ
倒墙角DQJ
修墙角XQJ
边线对齐BXDQ
改墙厚GQH
改外墙厚GWQH
墙端封口QDFK
加保湿层JBWC
消保湿层XBWC
玻璃幕墙BLMQ
柱子：
标准柱BZZ
角柱JZ
Pline转柱
门窗：
门窗MC
带形窗DXC
转角窗ZJC
异形洞YXD
内外翻转TMIRWINLO
左右翻转TMIRWINLR
加装饰套JZST
窗棂展开CLZK
窗棂映射CLYS
楼梯：
直线梯段ZXTD
圆弧梯段YHTD
任意梯段RYTD
扶手FS
双跑楼梯SPLT
多跑楼梯DPLT
电梯DT
其他：
阳台YT
台阶TJ
坡道PD
5文字与表格
文字相关命令：
文字样式WZYS
单行文字DHWZ
电气文字DQWZ
多行文字TMTEXT
转角自纠ZJZJ
文字转化WZZH
文字合并WZHB
查找替换CZTH
简转繁JZF
繁转简FJZ
修改文字XGWZ、DD
递增文字DZWZ
表格的绘制与编辑：
新建表格XJBG
全屏编辑QPBJ
单元编辑DYBJ
单元合并DYHB
表行编辑BLBJ
表列编辑BHBJ
表格填写BGTX
单元递增DYDZ
单元复制DYFZ
6尺寸与符号标注
尺寸标注命令
两点标注LDBZ
逐点标注ZDBZ
半径标注BJBZ
角度标注JDBZ
更改文字GGWZ
文字复位WZFW
文字复值WZFZ
剪裁延伸JCYS
取消尺寸QXCC
连接尺寸LJCC
增补尺寸ZBCC
切换角标QHJB
尺寸转化CCZH
尺寸自调CCZT
符号标注命令：
单注标高DZBG
连注标高TMELEV
指向索引ZXSY
剖切索引PQSY
索引图名SYTM
剖面剖切PMPQ
断面剖切DMPQ
加折断线JZDX
箭头引注JTYZ
引出标注YCBZ
作法标注ZFBZ
画对称轴HDCZ
画指北针HZBZ
图名标注TMBZ
7通用工具
对象操作：
对象查询DXCX
对象选择DXXZ
移动与复制：
自由复制ZYFZ
自由移动ZYYD
移位YW
自由粘贴ZYNT
幻灯管理：HDGL
虚线工具：
任意虚线RYXX
线形比例XXSZ
虚线框XXK
虚线擦除XXCC
8布图
定义视口DYSK
改变比例GBBL

㈨ 430单片机控制带字符的LCD12864显示四行静态的文字，求串口的电路图和程序

/************************************************************
我直接贴程序吧，
这是main.c文件
*************************************************************/
#include <msp430x14x.h>
#include "cryfucns.h"
const uchar h0[] = {"诚实以启人之信我"};
const uchar h1[] = {"乐善以使人之亲我"};
const uchar h2[] = {"虚心以听人之教我"};
const uchar h3[] = {"恭顺以取人之敬我"};
const uchar h4[] = {"自检以杜人之议我"};
const uchar h5[] = {"自反以杜人之罪我"};
const uchar h6[] = {"容忍以免人之欺我"};
const uchar h7[] = {"勤俭以补人之助我"};
const uchar h8[] = {"量力以济人之求我"};
const uchar h9[] = {"尽心以报人之任我"};
const uchar *ptr[10];
uchar d1=0,d2=1,d3=2,d4=3;
uchar tcnt=0;
/************************主函数*************************/
void main(void)
{
WDTCTL = WDT_ADLY_1000; // 定时时间1S
IE1 |= WDTIE;

//初始化指针数组
ptr[0] = h0;
ptr[1] = h1;
ptr[2] = h2;
ptr[3] = h3;
ptr[4] = h4;
ptr[5] = h5;
ptr[6] = h6;
ptr[7] = h7;
ptr[8] = h8;
ptr[9] = h9;

Ini_Lcd(); // 初始化液晶

_EINT();
LPM1;
}
/*******************************************
函数名称：watchdog_timer
功 能：看门狗中断服务函数
参 数：无
返回值 ：无
********************************************/
#pragma vector=WDT_VECTOR
__interrupt void watchdog_timer(void)
{
uchar tmp;

tcnt++;

if(tcnt == 0x02)
{
Disp_HZ(0x80,ptr[d1],8);
Disp_HZ(0x90,ptr[d2],8);
Disp_HZ(0x88,ptr[d3],8);
Disp_HZ(0x98,ptr[d4],8);

tmp = d4;
d4++;
if(d4 == 10)
{
d4 = 0;
}
d1 = d2;
d2 = d3;
d3 = tmp;
tcnt = 0;
}
}
/*****************************************
这是cryfucns.c文件
*******************************************/
#include <msp430x14x.h>
typedef unsigned int uint;
typedef unsigned char uchar;
#define BIT(x)(1 << (x))
void Send(uchar type,uchar transdata);
/**********液晶控制IO的宏定义*************/
#define cyCS 0 //P3.0，片选信号
#define cySID 1 //P3.1，串行数据
#define cyCLK 2 //P3.2，同步时钟
#define cyPORT P3OUT
#define cyDDR P3DIR
/*******************************************
函数名称：delay_Nus
功 能：延时N个us的时间
参 数：n--延时长度
返回值 ：无
********************************************/
void delay_Nus(uint n)
{
uchar i;
for(i = n;i > 0;i--)
_NOP();
}
/*******************************************
函数名称：delay_1ms
功 能：延时约1ms的时间
参 数：无
返回值 ：无
********************************************/
void delay_1ms(void)
{
uchar i;
for(i = 150;i > 0;i--) _NOP();
}
/*******************************************
函数名称：delay_Nms
功 能：延时N个ms的时间
参 数：无
返回值 ：无
********************************************/
void delay_Nms(uint n)
{
uint i = 0;

for(i = n;i > 0;i--)
delay_1ms();
}
/*******************************************
函数名称：Ini_Lcd
功 能：初始化液晶模块
参 数：无
返回值 ：无
********************************************/
void Ini_Lcd(void)
{
cyDDR |= BIT(cyCLK) + BIT(cySID) + BIT(cyCS); //相应的位端口设置为输出
delay_Nms(100); //延时等待液晶完成复位
Send(0,0x30); /*功能设置:一次送8位数据,基本指令集*/
delay_Nus(72);
Send(0,0x02); /*DDRAM地址归位*/
delay_Nus(72);
Send(0,0x0c); /*显示设定:开显示,不显示光标,不做当前显示位反白闪动*/
delay_Nus(72);
Send(0,0x01); /*清屏，将DDRAM的位址计数器调整为“00H”*/
delay_Nus(72);
Send(0,0x06); /*功能设置，点设定:显示字符/光标从左到右移位,DDRAM地址加1*/
delay_Nus(72);
}
/*******************************************
函数名称：Send
功 能：MCU向液晶模块发送1一个字节的数据
参 数：type--数据类型，0--控制命令，1--显示数据
transdata--发送的数据
返回值 ：无
********************************************/
void Send(uchar type,uchar transdata)
{
uchar firstbyte = 0xf8;
uchar temp;
uchar i,j = 3;
if(type) firstbyte |= 0x02;
cyPORT |= BIT(cyCS);
cyPORT &= ~BIT(cyCLK);
while(j > 0)
{
if(j == 3) temp = firstbyte;
else if(j == 2) temp = transdata&0xf0;
else temp = (transdata << 4) & 0xf0;
for(i = 8;i > 0;i--)
{
if(temp & 0x80)cyPORT |= BIT(cySID);
elsecyPORT &= ~BIT(cySID);
cyPORT |= BIT(cyCLK);
temp <<= 1;
cyPORT &= ~BIT(cyCLK);
}
//三个字节之间一定要有足够的延时，否则易出现时序问题
if(j == 3) delay_Nus(600);
else delay_Nus(200);
j--;
}
cyPORT &= ~BIT(cySID);
cyPORT &= ~BIT(cyCS);
}
/*******************************************
函数名称：Clear_GDRAM
功 能：清除液晶GDRAM内部的随机数据
参 数：无
返回值 ：无
********************************************/
void Clear_GDRAM(void)
{
uchar i,j,k;

Send(0,0x34); //打开扩展指令集
i = 0x80;
for(j = 0;j < 32;j++)
{
Send(0,i++);
Send(0,0x80);
for(k = 0;k < 16;k++)
{
Send(1,0x00);
}
}
i = 0x80;
for(j = 0;j < 32;j++)
{
Send(0,i++);
Send(0,0x88);
for(k = 0;k < 16;k++)
{
Send(1,0x00);
}
}
Send(0,0x30); //回到基本指令集
}
/*******************************************
函数名称：Disp_HZ
功 能：显示汉字程序
参 数：addr--显示位置的首地址
pt--指向显示数据的指针
num--显示数据的个数
返回值 ：无
********************************************/
void Disp_HZ(uchar addr,const uchar * pt,uchar num)
{
uchar i;
Send(0,addr);
for(i = 0;i < (num*2);i++)
Send(1,*(pt++));
}
/*****************************************
这是cryfucns.h文件
*******************************************/
void Send(unsigned char type,unsigned char transdata);
void Ini_Lcd(void);
void Clear_GDRAM(void);
void Disp_HZ(unsigned char addr,const unsigned char * pt,unsigned char num);
void Draw_PM(const unsigned char *ptr);
void Draw_TX(unsigned char Yaddr,unsigned char Xaddr,const unsigned char * dp) ;
void Disp_SZ(unsigned char addr,unsigned char shuzi);

㈩ FPS 这个是啥、

FPS 是频的状况....FPS 值越高越好...一般是在100+上