mos管电路驱动电路

A. 单片机控制MOS管驱动12V电机电路

之所以用MOS驱动是因为单片机I/O驱动能力很弱（一般只有500mA左右的电流）。D14的作用是为回Q1和Q4组成答的互补输出电路提供开启电压，让Q1、Q4始终在开启状态。电源改成12V你不需要改任何东西。

B. 怎样理解这个MOS管驱动电路

因为这个场效应管是作为开关管使用，那么让G极电位比S极低4V一下即可；

Ugs = Ug - Us =-UR3，

关于三极管有 3.3（版V）= Ube + Ue ==> Ue = 3.3-0.7=2.6（V）;

则 Ie = Ue/Re = 2.6/20 = 0.13（mA）;

所以权电阻R3的电压 UR3= Ie*R3 = 0.13*100=13（V）;

C. 求一个单片机控制mos管的电路图

电路原理图：

单片机驱动mos管电路主要根据MOS管要驱动什么东西， 要只是一个继电器之类的小负载的话直接用51的引脚驱动就可以，要注意电感类负载要加保护二极管和吸收缓冲，最好用N沟道的MOS。

如果驱动的东西（功率）很大，（大电流、大电压的场合），最好要做电气隔离、过流超压保护、温度保护等~~ 此时既要隔离传送控制信号（例如PWM信号），也要给驱动级（MOS管的推动电路）传送电能。

常用的信号传送有PC923 PC929 6N137 TL521等 至于电能的传送可以用DC-DC模块。如果是做产品的话建议自己搞一个建议的DC-DC，这样可以降低成本。

(3)mos管电路驱动电路扩展阅读：

MOS管应用

1、低压应用

当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有4.3V。这时候，我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险。同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合。

2、宽电压应用

输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。

为了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。在这种情况下，当提供的驱动电压超过稳压管的电压，就会引起较大的静态功耗。

D. 关于光耦驱动MOS管的电路

你做高边驱动？
没什么问题，要注意的是30V的管子用在24V供电系统中如果感性负载过大耐压不够。
你可以换一个更快的续流二极管。
另外你那个C61太大了，换一个100nf即可。

E. 这个电路图MOS管是怎么驱动的

1. Q5为NMOS管，R12为限流电阻（或是偏置电阻），源漏之间的二极管内为保护二极管。
2. 源极接地容，电压为0，当栅极（即图中右眼驱动1）的电压大于开启电压Vth（一般为0.7V）时，就可在源漏之间形成导电沟道，产生电流。
3. 栅极未加电压（或电压小于Vth）时，管子关闭，电阻很大，12V电压基本全部加在管子上，R12上电压很小，电路电流为几乎为0；栅极电压大于开启电压时，管子导通，电阻迅速变小，R12分得部分电压，电路中产生电流。此电流大小既满足欧姆定律（电阻电流电压方程），也满足萨支唐方程（管子电流电压方程），即上下电流相同，满足电流一致性。
4. 二极管起保护作用。当漏源电压较大时，在管子发生源漏穿通之前，二极管先发生反向击穿，从而保护了管子。
5. 如果二极管为稳压管的话，就是用来恒定漏源电压的，从而通过选择稳压管可以设置电流的大小。此时流过R12的电流等于流过二极管的电流与流过管子的电流之和，满足基尔霍夫电流定律，即流入节点的电流等于流出节点的电流。

F. 分析这个Mos管驱动电路原理

上面的是P沟道场管，下面的是N沟道场管；
此电路中，N沟道场管的栅极电压高电平时导通低电平时截止，而P沟道场管的则刚好相反；
余下的，就希望你自己能去想想了；

G. 单片机驱动mos管电路

单片机任意一个I/O口通过一个三极管控制SG3525的10脚。I/O口和三极管基极间串个几K的电版阻，发射极权接地，集电极接SG3525的10脚同时接个10K电阻上拉至15脚。单片机发高电平时工作，低电平时关断。

H. MOS全桥驱动电路

电路有两个输入端，逻辑上是互为反相的，即输入信号使Q1导通时，会令Q2截止；

Q1漏极输出回低电答平，通过R7使得Q4栅极也是低电平，从而令Q4导通，为电机通过了电源和电流。场效应管是电压驱动的，与三极管的电流驱动不同，因而为Q4通过栅压的R7，其取值小了，是浪费电，但也不能过大了，还要为此类场效应管是栅极电容提供充放电流；

另外一半电路同理