三极管电路符号

『壹』 三极管的电路符号各个箭头分别表示什么引脚

三极管分pnp型、npn型，箭头符号代表基极 B 和发射极 E 之间的电流方向

学习电路、单片机回要多动手实答践，再结合一下帮助资料来学习和加深认识，这样学起来效果更佳。
给你推荐一下，网上早一下这些资料： 单片机宝典从硬件到软件 chm
电子电路公式计算器 chm

『贰』 三极管所以种类和表示符号

半导体三极管也称为晶体三极管,可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是电流放大和开关作用。三极管顾名思义具有三个电极。二极管是由一个PN结构成的,而三极管由两个PN结构成,共用的一个电极成为三极管的基极(用字母b表示)。其他的两个电极成为集电极(用字母c表示)和发射极(用字母e表示)由于不同的组合方式,形成了一种是NPN型的三极管,另一种是PNP型的三极管。
三极管的种类很多,并且不同型号各有不同的用途。三极管大都是塑料封装或金属封装,常见三极管的外观,有一个箭头的电极是发射极,箭头朝外的是NPN型三极管,而箭头朝内的是PNP型。实际上箭头所指的方向是电流的方向。
电子制作中常用的三极管有90××系列,包括低频小功率硅管9013(NPN)、9012(PNP),低噪声管9014(NPN),高频小功率管9018(NPN)等。它们的型号一般都标在塑壳上,而样子都一样,都是TO-92标准封装。
在老式的电子产品中还能见3DG6(低频小功率硅管)、3AX31(低频小功率锗管)等,它们的型号也都印在金属的外壳上。我国生产的晶体管有一套命名规则,电子工程技术人员和电子爱好者应该了解三极管符号的含义。符号的第一部分“3”表示三极管。
符号的第二部分表示器件的材料和结构:A——PNP型锗材料;B——NPN型锗材料;C——PNP型硅材料;D——NPN型硅材料。符号的第三部分表示功能:U——光电管;K——开关管;X——低频小功率管;G——高频小功率管;D——低频大功率管;A——高频大功率管。另外,3DJ型为场效应管,BT打头的表示半导体特殊元件。

『叁』 PNP三极管的图形符号是什么

如下图：

『肆』 电路图符号大全

电阻器与电位器；

符号详见图 1 所示；

1，(a )表示一般的阻值固定的电阻器。

2，( b )表示半可调或微调电阻器。

3，( c )表示电位器。

4，( d )表示带开关的电位器。

5，电阻器的文字符号是“ R ”。

6，电位器是“ RP ”，即在 R 的后面再加一个说明它有调节功能的字符“ P ”。

(4)三极管电路符号扩展阅读；

电路图主要由元件符号、连线、结点、注释四大部分组成。

元件符号表示实际电路中的元件，它的形状与实际的元件不一定相似，甚至完全不一样。但是它一般都表示出了元件的特点，而且引脚的数目都和实际元件保持一致。

连线表示的是实际电路中的导线，在原理图中虽然是一根线，但在常用的印刷电路板中往往不是线而是各种形状的铜箔块，就像收音机原理图中的许多连线在印刷电路板图中并不一定都是线形的，也可以是一定形状的铜膜。 结点表示几个元件引脚或几条导线之间相互的连接关系。

所有和结点相连的元件引脚、导线，不论数目多少，都是导通的。 注释在电路图中是十分重要的，电路图中所有的文字都可以归入注释—类。细看以上各图就会发现，在电路图的各个地方都有注释存在，它们被用来说明元件的型号、名称等等。

『伍』 三极管的文字符号是什么

三极管的文字符号国外一般用宇母QR或Q表示，在国内一般用VT或V表示。

三极管参数中文字符号英文对照

Pcm 集电极最大耗散功率

Icm 集电极最大允许电流

V(br)cbo 发射极开路时，集电极与基极间反向击穿电压

V(br)ceo 基极开路时，集电极与发射极间反向击穿电压

V(br)ebo 集电极开路时，发射极与基极间反向击穿电压

Icbo 发射极开路时，集电极与基极间反向漏电流

(5)三极管电路符号扩展阅读：

工作原理

理论原理

晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N是负极的意思（代表英文中Negative），N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而P是正极的意思（Positive）是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。

对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e （Emitter）、基极b (Base)和集电极c (Collector)。

当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Eb。

在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流子。

三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常通过电阻将三极管的电流放大作用转变为电压放大作用。

『陆』 三级管的电路符号是什么

『柒』 三极管放大信号的电路图符号怎么看（有图）

+EC是提供足够大抄的电袭流给输出的电源，C1、C2是两个电容，两根竖线是电容的符号，无极性电容，Eb是给三极管提供偏置电流的电源，三极管偏置电流也可以在+EC通过限流电阻取得，这样分开画是为了更好理解学习放大电流原理的电流回路。

『捌』 三极管在电路中的符号和实际中的符号分别是什么

三极管在电路中的符号如下图：

三极管是一种控制电流的半导体器件专。其作用是把微弱信号放大属成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。

(8)三极管电路符号扩展阅读：

在实际使用中要注意，在开关电路中，饱和状态若在深度饱和时会影响其开关速度，饱和电路在基极电流乘放大倍数等于或稍大于集电极电流时是浅度饱和，远大于集电极电流时是深度饱和。因此只需要控制其工作在浅度饱和工作状态就可以提高其转换速度。

对于PNP型三极管，分析方法类似，不同的地方就是电流方向跟NPN的刚好相反，因此发射极上面那个箭头方向也反了过来变成朝里的了。

『玖』 电路图中的三极管，各引脚是如何表示的

底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。

国内各种类型的晶体三极管有许多种，管脚的排列不尽相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置，或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。

(9)三极管电路符号扩展阅读

三极管8050是一种控制元件，主要用来控制电流的大小，有三个极，分别叫做集电极C、基极B、发射极E。以共发射极接法为例（信号从基极输入，从集电极输出，发射极接地），利用8050三极管工作理，当基极电压UB有一个微小的变化时，基极电流Ib也会随之有一小的变化。

受基极电流Ib的控制，集电极电流Ic会有一个很大的变化，基极电流Ib越大，集电极电流Ic也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。

但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多，这就是三极管的放大作用。Ic的变化量与Ib变化量之比叫做三极管的放大倍数β（β=ΔIc/ΔIb，Δ表示变化量。）。

三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。三极管在放大信号时，首先要进入导通状态，即要先建立合适的静态工作点，也叫建立偏置，否则会放大失真。

在三极管8050的集电极与电源之间接一个电阻，可将电流放大转换成电压放大：当基极电压Ub升高时，Ib变大，Ic也变大，Ic在集电极电阻Rc的压降也越大，所以三极管集电极电压Uc会降低，且Ub越高，Uc就越低，ΔUc=ΔUb。

对三极管放大作用的理解，切记一点：能量不会无缘无故的产生，所以，三极管一定不会产生能量，但三极管厉害的地方在于：它可以通过小电流控制大电流。