A. 求一张低频自激带单硅后级的好机(淡水机)和一张高频鱼机电路图。电路尽量简单为好。
前级用场管自激呗,高频低频都能做,功率也够大的了。电路网上多的是。淡水无非电压做高点
B. 单管自激电路图,重谢。J13007
J13007属于高反压功率管,Ic=8A,Vceo=400V,P=80W。驱动电流最大Ib=4A。
假设集电极接18伏电压,故基极电阻内为Vcc-Vbe/(lc/β)容=18-0.7/(8/100)=216.25≈216K
匝数3比200多可以了。
C. 单管自激电路原理,如下图,他为啥能持续震荡
接通电源-电压通过1k电阻向3904供电-管子导通-变压器次级通电感应电压-反射到初级回时反相答-抵消初级电压降低初级电流-直到3904截止-次级反压消失-初级电压恢复到使3904导通-管子再次导通......。振荡线圈初次级如图必须反相。
D. 谁给我一张三极管自激震荡电路图啊
把3DD59A换成8050即可。变压器铁芯采用瓷罐铁氧体材料:直径30毫米那种;N1N2用0.2毫米漆包线;N3用0.1毫米漆包线。
E. 三极管自激电路
电流经过10T,R1到Q1基极,基极此时高电平,Q1导通,30T导通,随后10T电流减小(并联内电路关系),10T产生反向电动势容阻止电流减小(电感原理),导致基极没有电流,Q1停止工作,30T也停止,反向电动势就一刹那间消失,电源又开始工作,之后继续循环下去,电路产生方波形频率
F. s8050并联自激电路图
G. 谁能给我一个自激高压发生电路图
图中,IC555时基电路与电阻R1、R2和电容C1、C2组成无稳态振荡电路,当电源接通后,电路产生高频振荡,版直接权推动功率放大管BG,经放大后的振荡电流由升压变压器B的升压,再经高压硅堆整流,即可得到3~5kV的直流高压,可用于负离子发生器及静电吸尘等方面。
BG的β>25,BVCEO>50V。
B可选用22.9~30.5cm(9~12英寸)电视机行输出变压器,高压包不动,低压包用φ0.5mm左右的高强度添包线,绕25~30圈,也可直接使用摩托车上的点火线圈。
D为15kV的高压硅堆。
H. 场效应管自激电路工作原理
场效应管工作原理用一句话说,就是“漏极-源极间流经沟道的内ID,用以栅极与沟道间的容pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说,ID流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域,表示的过渡层的扩展因为不很大,根据漏极-源极间所加VDS的电场,源极区域的某些电子被漏极拉去,即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型,ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡,并不是电流被切断。
在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动,在理想状态下几乎具有绝缘特性,通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场,实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近,由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次,VGS向负的方向变化,让VGS=VGS(off),此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上,将电子拉向漂移方向的电场,只有靠近源极的很短部分,这更使电流不能流通。
I. 我要一份单管自激逆变器电路图
你看变压器左面部分就是。