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集成電路簡介

發布時間:2023-05-30 06:33:23

Ⅰ 集成電路板的簡介

集成電路板是採用半導體製作工藝,在一塊較小的單晶矽片上製作上許多晶體管及電阻器、電容器等元器件,並按照多層布線或遂道布線的方法將元器件組合成完整的電子電路。它在電路中用字母「IC」(也有用文字元號「N」等)表示。

Ⅱ 集成電路簡介集成電路的工作原理以及用途


集成電路是現在最為常用的,它是一種微型電子器件或部件。集成電路是把晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起,並且在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質基片上製作而成的。所以集成電路具有非常多的特性,例如它是微小型化、低功耗、智能化和高可靠性強的。現在大部分的電子產品都是利用集成電路的原理製作出來的。例如手機、電腦晶元、以及一些控制系統的單片機等等。那麼接下來我們就個大家說說有關於集成電路的知識,希望對大家有幫助。
集成電攔此路簡介
集成電路(integratedcircuit)是一種微型電子器件或部件。採用一定的工藝,把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起,製作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質基片上,然後封裝在一個管殼內,成為具有所需電路功能的微型結構;其中所有元件在結構上已組成一個整體,使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進了一大步。它在電路中用字母「IC」表示。集成電路發明者為傑克·基爾比(基於鍺(Ge)的集成電路)和羅伯特·諾伊思(基於硅(Si)的集成電路)。當今半導體工業大多數應用的是基於硅的集成電路。
是20世紀50年代後期一60年代發展起來的一種新型半導體器件。它是經過氧化、光刻、擴散、外延、蒸鋁等半導體製造工藝,把察並構成具有一定功能的電路所需的半導體、電阻、電容等元件及它們之間的連接導線全部集成在一小塊矽片上,然後焊接封裝在一個管殼內的電子器件。其封裝外殼有圓殼式、扁平式或雙列直插式等多種形式。集成電路技術包括晶元製造技術與設計技術,主要體現在加工設備,加工工藝,封裝測試,批量生產及設計創新的能力上。
集成電路的工作原理以及用途
集成電路的工作原理
模擬集成電路又稱線性電路,用來產生、放大和處理各種模擬信號(指幅度隨時間變化的信號。例如半導體收音機的音頻信號、錄放機的磁帶信號等),其輸入信號和輸出信號成比例敗衡跡關系。而數字集成電路用來產生、放大和處理各種數字信號(指在時間上和幅度上離散取值的信號。例如3G手機、數碼相機、電腦CPU、數字電視的邏輯控制和重放的音頻信號和視頻信號)。
集成電路的用途
1.電視機用集成電路包括行、場掃描集成電路、中放集成電路、伴音集成電路、彩色解碼集成電路、AV/TV轉換集成電路、開關電源集成電路、遙控集成電路、麗音解碼集成電路、畫中畫處理集成電路、微處理器(CPU)集成電路、存儲器集成電路等。
2.音響用集成電路包括AM/FM高中頻電路、立體聲解碼電路、音頻前置放大電路、音頻運算放大集成電路、音頻功率放大集成電路、環繞聲處理集成電路、電平驅動集成電路,電子音量控制集成電路、延時混響集成電路、電子開關集成電路等。
3.影碟機用集成電路有系統控制集成電路、視頻編碼集成電路、MPEG解碼集成電路、音頻信號處理集成電路、音響效果集成電路、RF信號處理集成電路、數字信號處理集成電路、伺服集成電路、電動機驅動集成電路等。
4.錄像機用集成電路有系統控制集成電路、伺服集成電路、驅動集成電路、音頻處理集成電路、視頻處理集成電路。
5.計算機集成電路,包括中央控制單元(CPU)、內存儲器、外存儲器、I/O控制電路等。

Ⅲ 雙極型集成電路的簡介


以通常的NPN或PNP型雙極型晶體管為基礎的單片集成電路。它是1958年世界上最早製成的集成電路。雙極型集成電路主要以硅材料為襯底,在平面工藝基礎上採用埋層工藝和隔離技術,以雙極型晶體管為基礎元件。按功能可分為數字集成電路和模擬集成電路兩類。在數字集成電路的發展過程中,曾出現了多種不同類型的電路形式,典型的雙極型數字集成電路主要有晶體管-晶體管邏輯電路(TTL),發射極耦合邏輯電路(ECL),集成注入邏輯電路(I2L)。TTL電路形式發展較早,工藝比較成熟。ECL電路速度快,但功耗大。I2L電路速度較慢,但集成密度高。
同金屬-氧化物-半導體集成電路相比,雙極型集成電路速度快,廣泛地應用於模擬集成電路和數字集成電路。
雙極型集成電路是最早製成集成化的電路,出現於1958年。雙極型集成電路主要以硅材料為襯底,在平面工藝基礎上採用埋層工藝和隔離技術,以雙極型晶體管為基礎元件。它包括數字集成電路和線性集成電路兩類。

Ⅳ 數字集成電路的基本介紹

數字集成電路是基於數字邏輯(布爾代數)設計和運行的,用於處理數字信號的集成電路。根據集成電路的定義,也可以將數字集成電路定義為:將元器件和連線集成於同一半導體晶元上而製成的數字邏輯電路或系統。根據數字集成電路中包含的門電路或元、器件數量,可將數字集成電路分為小規模集成(SSI)電路、中規模集成MSI電路、大規模集成(LSI)電路、超大規模集成VLSI電路、特大規模集成(ULSI)電路和巨大規模集成電路(GSI,Giga Scale Integration)。
小規模集成電路包含的門電路在10個以內,或元器件數不超過10個;中規模集成電路包含的門電路在10~100個之間,或元器件數在100~1000個之間;大規模集成電路包含的門電路在100個以上,或元器件數在1,000~10, 000個之間;超大規模集成電路包含的門電路在1萬個以上,或元器件數在100,000~1,000,000之間;特大規模集成電路的門電路在10萬個以上,或元器件數在1,000,000~10,000,000之間。隨著微電子工藝的進步,集成電路的規模越來越大,簡單地以集成元件數目來劃分類型已經沒有多大的意義了,目前暫時以「巨大規模集成電路」來統稱集成規模超過1億個元器件的集成電路。

Ⅳ 超高速集成電路的簡介

(—VHSIC)
超高速集成電路是一種超大規模集成電路,是為滿足軍用高速信號處理、抗核輻射、故障容限和晶元自檢測要求而研製的。美國國防部於1980年開始實施超高速集成電路研製計劃,總目標是:晶元的微加工線寬達到0.5微米、門電路運算速度比民用的提高100倍,可靠性提高10倍。現已製成各類硅超高速集成電路和砷化鎵超高速集成電路。用超高速集成電路製造的微型和小型超高速計算機已廣泛用於美國多種先進的武器系統,如F-15、F-16戰斗機,「海爾法」反坦克導彈,「針刺」攜帶型防空導彈,「戰斧」巡航導彈和「愛國者」防空導彈系統等。
美國國防部在1979年財政年度提出的「超高速集成電路(C工程,是美國微電子國防工業中最重要的工程。這項工程的最終目標是在硅半導體超大規模集成電路的基礎上,把微處理器的信號處理速度再提高一百倍,將道集三成電路上元件的線寬推進到亞微米.(05微米)的量級,再將它們插入到戰術和戰略的制導武器的火控裝置、遠程運載工縣和星際通訊裝置上,以保證美國在未來的電子戰和星球大戰中技術的絕對優勢。這項工程是按照由前端產品(超高速集成電路)的研製到最終產品(插入設備)的設計、生產和試驗的向前垂直集成」(forwardverti。alintegrati。)n)的工業模式分三個階段開展的。
第一個階段從1980年3月起,到同年n月結束。這一階段屬於「軟體」階段,主要是研討超高速集成電路的具體概念、性能指標和制定研製計劃,動用了九個電子公一司,耗資一千零五十萬美圓。
第二階段從1981年5月開始,到1984年4月結束。在這一階段已經完成了元件線寬為1/4微米、功能通過速率為5欠10」門一赫/平方厘米i為集成電路的設計、研製和生產,並開始了元件線寬為亞微米的集成電路的研製。參加這一階段工程的有得克薩斯儀器公司、國際商業機器公司、亨尼韋公司(Honyewell))、威斯汀豪斯公司等六個合同單位,耗資一億六千萬余美圓。
第三階段是從1984年5月開始的,預廿在1986年結束。這個階段的主要任務是將第二階段生產的超高速集成電路插入各戰術和戰略武器、運載和通訊設備的微型化電子裝置中,另外,還要完成亞微米線寬的功能通過速率為10』「門一赫/平方厘米的集成塊的試制和生產。
從技術的角度來看,美國超高速集成電路工程有三個問題是值得注意的。
第一,在材料選擇上,以硅為主,而不採用砷化嫁半導體,原因是硅數字集成電路技術已趨成熟。高速、低能耗和抗輻射性強是超高速集成電路的三個基本要求,現在已經生產出幾種雙極集成電路、單極集成電路(NMOS、CMOS)和以硅藍寶石S(05)為材料的互補金屬一氧化物一半導體(CMOS)集成電路,這些集成電路已經達到了上述性能要求。
第二,在工藝上選擇的技術途徑是電子束刻蝕、電子束直接刻蝕,因為這類工藝具有高度靈活性,適合於小批量的生產。光刻蝕技術和X一射線技術適合於大批量的商用集成電路的生產,國防部就不再投資這些技術。
第三,高度強調設計自動化,計算機輸助設計(CAD)是必不可少的。超高速集成電路主要用於微處理器,而不是存貯器。存貯器上門陣列電路的重復性可以減輕設計約困難,而這種優點在微處理器晶元上不復存在。雖然說商用集成電路的線寬也已經進入了亞微米的階段,但這僅僅是指存貯器。現在一塊2弓已k的存貯器上的確己具有幾十萬只晶體管,而要一塊超高速集成電路上製造出十萬只晶體管卻還有相當大的困難。問題的根本出路在於設計和生產的自動化。

Ⅵ 集成電路設計的簡介是什麼

集成電路設計,是指以集成電路、超大規模集成電路為目標的設計流程。下面介紹一下集成電路設計的簡介是什麼。

1、 集成電路設計最常使用的襯底材料是硅。設計人員會使用技術手段將硅襯底上各個器件之間相互電隔離,以控制整個晶元上各個器件之間的導電性能。PN結、金屬氧化物半導體場效應管等組成了集成電路器件的基礎結構,而由後者構成的互補式金屬氧化物半導體則憑借其低靜態功耗、高集成度的優點成為數字集成電路中邏輯門的基礎構造。設計人員需要考慮晶體管、互連線的能量耗散,這一點與以往由分立電子器件開始構建電路不同,這是因為集成電路的所有器件都集成在一塊矽片上。金屬互連線的電遷移以及靜電放電對於微晶元上的器件通常有害,因此也是集成電路設計需要關注的課題。

2、 隨著集成電路的規模不斷增大,其集成度已經達到深亞微米級(特徵尺寸在130納米以下),單個晶元集成的晶體管已經接近十億個。由於其極為復雜,集成電路設計相較簡單電路設計常常需要計算機輔助的設計方法學和技術手段。集成電路設計的研究范圍涵蓋了數字集成電路中數字邏輯的優化、網表實現,寄存器傳輸級硬體描述語言代碼的書寫,邏輯功能的驗證、模擬和時序分析,電路在硬體中連線的分布,模擬集成電路中運算放大器、電子濾波器等器件在晶元中的安置和混合信號的處理。相關的研究還包括硬體設計的電子設計自動化(EDA)、計算機輔助設計(CAD)方法學等,是電機工程學和計算機工程的一個子集。

3、 對於數字集成電路來說,設計人員更多的是站在高級抽象層面,即寄存器傳輸級甚至更高的系統級(有人也稱之為行為級),使用硬體描述語言或高級建模語言來描述電路的邏輯、時序功能,而邏輯綜合可以自動將寄存器傳輸級的硬體描述語言轉換為邏輯門級的網表。對於簡單的電路,設計人員也可以用硬體描述語言直接描述邏輯門和觸發器之間的連接情況。網表經過進一譽備步的功能驗證、布局、布線,可以產生用於工業製造的GDSII文件,工廠根據該文件就可以在晶圓上製造電路。模擬集成電路設計涉及了更加復雜的信號環境,對工程師的經驗有更高的要求,並且其設計的自動化程度遠不及數字集成電路。

4、 逐步完成功能設計之後,設計規則會指明哪些設計匹配製造要求,而哪些設計不匹配,而這個規則本身也十分復雜。集成電路設計流程需要匹配數百條這樣的規則。在一定的設計約束下,集成電路物理版圖的布局、布線對於獲得理想速度、信號完整性、減少晶元面積來說至關重要。半導體器件製造的不可預測性使得集成電路纖虛罩設計的難度進一步提高。在集成電路設計領域,由於市場競爭的壓力,電子設計自動化等相關計算機輔助設計工具得到了廣泛的應用,工程師可以在計算機軟體的輔助下進行寄存器傳輸級設計、功能驗證、靜態時序分析、物毀鬧理設計等流程。

以上就是關於集成電路設計的簡介是什麼的內容介紹了。

Ⅶ 什麼是集成電路 集成電路介紹

1、集成電路是一種微型電子器件或部件。採用一定的工藝,把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起,製作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質基片上,然後封裝在一個管殼內,成為具有所需電路功能的微型結構;其中所有元件在結構上已組成一個整體,使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進了一大步。它在電路中用字母「IC」表示。集成電路發明者為傑克·基爾比(基於鍺(Ge)的集成電路)和羅伯特·諾伊思(基於硅(Si)的集成電路)。當今半導體工業大多數應用的是基於硅的集成電路。

2、是20世紀50年代後期一60年代發展起來的一種新型半導體器件。它是經過氧化、光刻、擴散、外延、蒸鋁等半導體製造工藝,把構成具有一定功能的電路所需的半導體、電阻、電容等元件及它們之間的連接導線全部集成在一小塊矽片上,然後焊接封裝在一個管殼內的電子器件。其封裝外殼有圓殼式、扁平式或雙列直插式等多種形式。集成電路技術包括晶元製造技術與設計技術,主要體現在加工設備,加工工藝,封裝測試,批量生產及設計創新的能力上。

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