⑴ 單管放大電路如圖所示,已知三級管B=60.rbb=100歐姆,Vbeq=0.7V等等 1、求靜態工作斷背Ibq、Icq Vceq
1.Ibq=(Ucc-Ubeq)/Rb=(12V-0.7V)/300kΩ=0.0377mA
Icq=βIbq=60x0.0377mA=2.26mA
Uceq=Ucc-RcIcq=12V-3kΩx2.26mA=5.2V
2.微變等效電路
3.輸入電阻Ri≈rbe=rbb+UT/Ibq=100Ω+26mV/0.0377mA=100Ω+690Ω=790Ω
輸出電阻Ro=Rc=3kΩ
電壓放大倍數Au=-βRc//RL/rbe=-60x3//3/0.79=-60x1.5/0.79=-114
⑵ 求解電工這道題
1) Uce = Vcc - Rc*Ic;求得 Ic,那麼 Ib 可得;
2)Ib*(Rp+Rb) + Ube = Vcc; Ube = 0.7V;
那麼,Rp 可求得;
好了自己去計算吧;
⑶ 圖示為單管電壓放大電路,已知:晶體管β=50, UCC=12V, U
1)先求Ib,
Ib=Ic/β=2/50=0.04mA
然後求Rb,
由於UBE忽略不計,則Rb=Ucc/Ib=12/0.04=300KΩ(為了方便計,電流單位用mA,電阻取KΩ)
2)Uc=Ucc-UCE=12-6=6V
Rc=Uc/Ic=6/2=3KΩ(為了方便計,電流單位用mA,電阻取KΩ)
⑷ 如圖所示的放大電路,β=50,試畫出直流通路並估算靜態工作點
Vb=0.7V(硅管)
Vce=Vcc-Ic*Re
Ic=(Vcc-Vb)/Rb
直流通路就是把電容和電容之後的東西都去掉之後剩下的部分。
就剩下三極體,Rb,Re,Vcc和地了。
⑸ 單管晶體管放大電路如圖所示,已知Ucc=12V,RC=RL=3KΩ,RB=240Ω,晶體管的β=40 求rbe 求輸入和輸出電阻
這個是教材必講解的典型電路,有公式可套用,現在不過是要你代入具體參數進行計算而已,去看書吧
⑹ 單管共發射極放大電路如圖所示,已知其靜態電流ICQ=1.5mA,靜態電壓UCEQ=6V,三極體為NPN型硅管,β=60
Rc=(Ucc-Uce)/Icq=6/1.5=4K
Ibq=Icq/β=1.5/60=0.025mA
Rb=(Ucc-0.7)//Ibq=11.3/0.025=452K
⑺ 如圖所示單管共射放大電路中,Vcc=12V,Rc=3kΩ,Rb=280kΩ,Rl=3kΩ,NPN型硅三極體的β等於50。
你好:
根據題中信息可得:
IB=(Vcc-UBEq)/Rb=11.3V/280kΩ≈0.04mA,IC=50*IB=2mA,所以UCEQ=Vcc-IC*RC=12V-2*3=6V>飽和電壓,所以管子工作在放大區。
因你沒說明rbb或者rbe大小,根據《模擬電子技術基礎》中約定為300Ω,則rbe=300+51*(23/2)=0.963KΩ,則Au=-51*(Rc||RL)/rbe=-79倍,輸入電阻Ri=Rb||rbe≈0.963KΩ,輸出電阻Ro=RC||RL=1.5KΩ;
微變電路不好畫,參考《模擬電子技術基礎(第四版)》中有很多這種微變電路。
希望我的回答能幫助到你。
⑻ 放大電路如下圖所示,已知三極體的電流放大倍數β=50
忒簡單了:Ib=(12-0.7)/(Rb+(1+β)(Re1+Re2))=28μA,Ic=βIb=1.4mA,Ie=(1+β)Ib=1.43mA,則UceQ=V-Ic×回Rc-Ie×(Re1+Re2)=6.34V(整個計算過程答中約等於,)。。電路圖就自己畫吧,我手機呢
⑼ 電子管如何實現放大
在真空狀態下,燈絲的熱輻射會逐漸加熱了陰極的金屬片,陰極金屬片溫度達到一定程度後(版攝氏800度左右)。權雖然當電子管的燈絲加上電,燈絲的溫度會提高。金屬片上的電子會游離在陰極周圍,形成帶電荷的電子雲。
根據異性相吸原理,游離在陰極周圍電子雲中的負電子會穿過柵極,飛奔向陽極形成一個電子束,因為陰極和陽極之間加上一個高電壓時,此時柵極就像一個電子開關。這就是電子管放大器放大信號的原理。
(9)單管放大電路如圖所示擴展閱讀:
功放的比較
特點與結構
晶體管放大器是在低電壓大電流下工作,功放級的工作電壓在幾十伏之內,而電流達幾安或數十安。電路設計上多採用直耦式(OCL、BTL等)無輸出變壓器電路,輸出功率可以做得很大,可達數百瓦,各項電性能都做得很高。
電子管放大器是在高電壓、低電流狀態下工作。末極功放管的屏極電壓可達到400-500V甚至上千伏,而流過電子管的電流僅幾十毫安至幾百毫安。輸入動態范圍大,轉換速率快。
電子管放大器大多是採用分立元件、手工搭線、焊接,效率低,成本高。而晶體放大器多是採用晶體管和集成電路相結合方式,廣泛使用印刷電路板,效率高,焊接質量穩定,電性能指標高。