『壹』 場效應管在電路板上用什麼符號表示
場效應管和普通三極體的代號一般都是Q。但絲印的符號是不同的。
『貳』 一些場效應管的規格書裡面,場效管符號上有一個二極體符號,但是我以前在書上看到的符號沒有這個二極體
這是寄生二極體,是等效出來的,只是符號不一樣,不是什麼保護作用,可以看一下這個鏈接的詳細解釋
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『叄』 急求各種電子元件符號表示法和圖
電子元件符號圖:二極體表示符號:D變容二極體表示符號:D雙向觸發二極體表示符號:D穩壓二極體表示符號:ZD,D穩壓二極體表示符號:ZD,D橋式整流二極體表示符號:D肖特基二極體隧道二極體隧道二極體光敏二極體或光電接收二極體發光二極體表示符號:LED雙色發光二極體表示符號:LED光敏三極體或光電接收三極體表示符號:Q,VT單結晶體管(雙基極二極體)表示符號:Q,VT復合三極體表示符號:Q,VTNPN型三極體表示符號:Q,VTPNP型三極體表示符號:Q,VTPNP型三極體表示符號:Q,VTNPN型三極體表示符號:Q,VT帶阻尼二極體NPN型三極體表示符號:Q,VT帶阻尼二極體及電阻NPN型三極體表示符號:Q,VTIGBT 場效應管表示符號:Q,VT帶阻尼二極體IGBT 場效應管表示符號:Q,VT接面型場效應管P-JFET接面型場效應管N-JFET場效應管增強型P-MOS場效應管增強型N-MOS場效應管耗盡型P-MOS場效應管耗盡型N-MOS電阻 電阻器或固定電阻 表示符號:R電阻 電阻器或固定電阻 表示符號:R電位器表示符號:VR,RP,W可調電阻表示符號:VR,RP,W電位器表示符號:VR,RP,W可調電阻表示符號:VR,RP,W三腳消磁電阻表示符號:RT二腳消磁電阻表示符號:RT壓敏電阻表示符號:RZ,VAR熱敏電阻表示符號:RT光敏電阻CDS電容(有極性電容)表示符號:電容(有極性電容)表示符號:C可調電容表示符號:C電容(無極性電容)表示符號:C四端光電光電耦合器表示符號:IC,N六端光電光電耦合器表示符號:IC,N單向可控硅(晶閘管)雙向可控硅(晶閘管)雙向可控硅(晶閘管)晶振 石英晶體振盪器表示符號:X晶振 石英晶體振盪器表示符號:X石英晶體濾波器表示符號:X雙列集成電路表示符號:IC或U單列集成電路表示符號:IC或U運算放大器倒相放大器AND gate 非門 OR gate 或門 NAND gate與非門 NOR gate 或非門保險管表示符號:F保險管表示符號:F變壓器表示符號:T永久磁鐵電感表示符號:L帶鐵芯電感線圈表示符號:L繼電器繼電器線路輸入端子按鍵開關表示符號:S雙極開關揚聲器電池 或直流電源電池 或直流電源電流源特別重要的AC交流DC直流公共接地端恆壓源恆流源信號源GND公共接地端
『肆』 電路圖符號大全
電阻器與電位器;
符號詳見圖 1 所示;
1,(a )表示一般的阻值固定的電阻器。
2,( b )表示半可調或微調電阻器。
3,( c )表示電位器。
4,( d )表示帶開關的電位器。
5,電阻器的文字元號是「 R 」。
6,電位器是「 RP 」,即在 R 的後面再加一個說明它有調節功能的字元「 P 」。
(4)場效應管電路符號擴展閱讀;
電路圖主要由元件符號、連線、結點、注釋四大部分組成。
元件符號表示實際電路中的元件,它的形狀與實際的元件不一定相似,甚至完全不一樣。但是它一般都表示出了元件的特點,而且引腳的數目都和實際元件保持一致。
連線表示的是實際電路中的導線,在原理圖中雖然是一根線,但在常用的印刷電路板中往往不是線而是各種形狀的銅箔塊,就像收音機原理圖中的許多連線在印刷電路板圖中並不一定都是線形的,也可以是一定形狀的銅膜。 結點表示幾個元件引腳或幾條導線之間相互的連接關系。
所有和結點相連的元件引腳、導線,不論數目多少,都是導通的。 注釋在電路圖中是十分重要的,電路圖中所有的文字都可以歸入注釋—類。細看以上各圖就會發現,在電路圖的各個地方都有注釋存在,它們被用來說明元件的型號、名稱等等。
『伍』 場效應管的電路符號中,箭頭方向向外表示是什麼溝道
是P溝道吧
『陸』 場效應管的電路符號
這叫絕緣柵型場效應管,裡面的不是穩壓管,而是反相保護二極體。
『柒』 如何識別場效應管
幫你找的,希望有用。
【場效應管的識別】
場效應管在電路中常用字母「v」、「VT」加數字表示,如VT1表示編號為1的場效應管。對於國產場效應三極體的型號, 現在有兩種命名方法。一是與普通三極體相同:第三位寧母J代表結型場效應管,o代表絕緣柵煬效應管。第位字母代表材料,D是P型硅,反型層是N溝道;C是N型硅P溝道。例如,3DJ6D是結型N溝道場效應三極體,3D06C是絕緣柵型N溝道場效應三極體。
第二種命名方法是採用字母「CS」+「xx#」的形式,其中「cs」代表場效應管,「xx」以數字代表型號的序號,「#」用字母代表同『型號中的不同規格,如CS16A、CS55G等。
常見的金屬封裝場效應管的外形圖如圖6-9所示。常見的塑料封裝場效應管的外形圖如圖6. 10所示。
在國家標准電路中,常用場效應管的符號如圖6-11所示。
目前,在有些人功率MOSFET管中的G-S極間或者D-S極間增加了保護二極體,以保護管了不至於被靜電擊穿。這種管子的電路圖符號如圖6-12所示。
與普通晶體管一樣,場效應管也自三個引腳,分別足門板(義稱柵極)、源極、漏極3
個端子。場效應管可看作是一隻普通晶體三極體,柵極(閘極)G對應基極b,漏極D對應
集電極c,源極s對應發射極e(N溝道對應NPN型晶體管,P溝道對應PNP型晶體管)。
場效應管引腳排列位置依其品種、型號及功能等不l司而異。要正確使用場效應管,首先必須識別出場效應管的各個電極。對於大功率場效應管來說,從左至右,其引腳排列基本為G、D、S極(散熱片接D極);採用絕緣底板模塊封裝的特種場效應管通常有叫個引腳,上面的兩個通常為兩個S極(相連),下面的兩個分別為G、D極;採用貼片封裝的場效應管,其散熱片是D檄,卜面的i個引腳(無淪中問腳是否被剪短)分別是G、D、S極,如圖6-13所示。
罔6—1 3貼片場效應管引腳排列
【用指針式萬用表檢測場效應管】
MOS場效應管比較「嬌氣」。這是由於它的輸入電阻很高,而柵一源極間電容又非常小,極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電,而少量電荷就可存極間電容上形成市H當高的電壓( U=Q/C),將管子損壞。凶此出廠時各引腳都絞合在一起,或裝在金屬箔內,使G極5S極短接,防止積累靜電倚。管子不用時,全部引腳也應短接。在測量時應格外小心,並採取相應的防靜電措施。
測量前,先把人體對地短路後,才能觸摸MOSFET的引腳。最好在手腕卜接一條導線與
大地連通,使人體與大地保持等電位,再把引腳分開,然後拆掉導線。
根據PN結的正、反向電阻值不同的現象可以很方便地判別出結型場效應管的G、D、S極。 .
將萬用表置j:Rxlk擋,任選兩電極,分別測出它們之間的正、反向電阻。若正、反向
電阻值相等(約幾千歐),則該兩極為漏極D和源極S(結型場效應管的D、S極可百換),
余F的則為柵極(閘極)G。
也可以將萬用表的黑表筆(紅表筆也行)任意接觸一個電極,另一支表筆依次去接觸其餘的兩個電極,測其電阻值。當}};現兩次測得的電阻值近似相等時,則黑表筆所接觸的電極為柵極(閘極>,其餘兩電極分別為漏極和源極。若兩次測出的電阻值均很大,則說明PN結為反向,即都是反向電阻,可以判定是N溝道場效應管,且黑表筆接的是柵極(閘極)。若兩次測出的電阻值均很小,則說明是正向PN結,即是正向電阻,判定為P溝道場效應管,
黑表筆接的也足柵極(閘檄)。若不出現上述情況,則可以調換黑、紅表筆按上述方法進行測試,直到判別出柵極(閘極)為止。
4場效應管跨導測量小意圖
【用數字萬用表檢測場效應管】
利用數寧萬用表不僅能判定場效應管的電極,還可以測量場效應管的跨導(放大系數)。由於數寧萬用表電阻擋的測試電流很小,所以不適用於檢測場效慮管,應使用h FE擋進行測試。將場效應管的G、D、S極分別插入hFE測量插座的B、C、E孔中(N溝道管插入NPN插座中,P溝道管插入PNP插座中),此時,顯示屏上會顯示一個數值,這個數值就是場效應管的跨導(放大系數),如圖6-14所示;若電極插錯或極性插錯,則顯示屏都不會顯示出這個數值,此時將顯示為「ooo」或「1」,如圖6-15、圖6-16所示。
『捌』 MOSFET 有幾種類型,電路符號是什麼樣
一、場效應管的分類 按溝道半導體材料的不同,結型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導電方式來劃分,場效應管又可分成耗盡型與增強型。結型場效應管均為耗盡型,絕緣柵型場效應管既有耗盡型的,也有增強型的。 場效應晶體管可分為結場效應晶體管和MOS場效應晶體管。而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型;P溝耗盡型和增強型四大類。見下圖。
二、場效應三極體的型號命名方法 第二種命名方法是CS××#,CS代表場效應管,××以數字代表型號的序號,#用字母代表同一型號中的不同規格。例如CS14A、CS45G等。
三、場效應管的參數 1、I DSS — 飽和漏源電流。是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中,柵極電壓U GS=0時的漏源電流。 2、UP — 夾斷電壓。是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中,使漏源間剛截止時的柵極電壓。 3、UT — 開啟電壓。是指增強型絕緣柵場效管中,使漏源間剛導通時的柵極電壓。 4、gM — 跨導。是表示柵源電壓U GS — 對漏極電流I D的控制能力,即漏極電流I D變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gM 是衡量場效應管放大能力的重要參數。 5、BUDS — 漏源擊穿電壓。是指柵源電壓UGS一定時,場效應管正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一項極限參數,加在場效應管上的工作電壓必須小於BUDS。 6、PDSM — 最大耗散功率。也是一項極限參數,是指場效應管性能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率。使用時,場效應管實際功耗應小於PDSM並留有一定餘量。 7、IDSM — 最大漏源電流。是一項極限參數,是指場效應管正常工作時,漏源間所允許通過的最大電流。場效應管的工作電流不應超過IDSM.